Produkte > SCT

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 547W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.94 EUR
30+41.94 EUR
120+38.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 547W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.87 EUR
5+66.04 EUR
10+56.76 EUR
50+52.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+38.31 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
Case: HIP247™
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 547W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 91A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+38.46 EUR
3000+36.94 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+73.72 EUR
5+63.7 EUR
10+54.41 EUR
50+50.02 EUR
100+47.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+36.69 EUR
10+35.16 EUR
25+33.19 EUR
250+31.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+36.69 EUR
10+35.95 EUR
25+34.46 EUR
250+33.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.73 EUR
10+34.47 EUR
100+33.7 EUR
600+32.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA10N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.62 EUR
22+7.95 EUR
50+7.57 EUR
100+7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA10N120STMicroelectronicsMOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.18 EUR
10+23.15 EUR
25+22.18 EUR
100+19.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA10N120STMicroelectronicsDescription: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA10N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA20N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an HiP247 long leads
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.1 EUR
10+16.95 EUR
100+14.58 EUR
600+13.74 EUR
1200+13.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA20N120STMicroelectronicsDescription: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA20N120STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.4 EUR
13+13.67 EUR
30+12.7 EUR
120+11.88 EUR
270+11.25 EUR
510+10.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA30N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.74 EUR
10+34.97 EUR
100+30.98 EUR
600+30.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA30N120STMicroelectronicsDescription: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA30N120STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
Case: HIP247™
Mounting: THT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs 650 V 45 A 75 mOhm
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.46 EUR
10+13.78 EUR
600+12.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsDescription: TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.22 EUR
30+14.67 EUR
120+12.59 EUR
510+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247LL
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.72 EUR
10+36.93 EUR
50+36.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.94 EUR
10+24.5 EUR
12+18.69 EUR
50+17.2 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronics
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.16 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.11 EUR
10+23.69 EUR
100+19.75 EUR
600+17.59 EUR
1200+16.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.01 EUR
10+18.27 EUR
100+13.9 EUR
600+13.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ TJ = 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A TO247
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2VSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247LL
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchFET Gen II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N12G24AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.63 EUR
10+23.98 EUR
100+22.22 EUR
600+17.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N12G24AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.84 EUR
10+26.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N12G24AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N12G24AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.98 EUR
7+34.27 EUR
10+27.26 EUR
50+26.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120STMMOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 318W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.73 EUR
10+41.75 EUR
25+39.25 EUR
100+36.5 EUR
250+35.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+62.48 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 389W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 389W
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
Case: HIP247-4
Mounting: THT
Pulsed drain current: 177A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.49 EUR
10+23.87 EUR
100+22.13 EUR
600+22.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.09 EUR
10+26.3 EUR
30+24.32 EUR
120+22.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA60N120G2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 389W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.06 EUR
10+37.87 EUR
50+37.85 EUR
100+37.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+41.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 547W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.37 EUR
30+38.26 EUR
120+37.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.63 EUR
5+60.29 EUR
10+56.07 EUR
25+52.71 EUR
50+49.47 EUR
100+47.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+55.98 EUR
5+53.43 EUR
10+47.8 EUR
25+42.49 EUR
50+39.14 EUR
100+35.64 EUR
250+32.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA70N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 547W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.63 EUR
5+61.62 EUR
10+58.23 EUR
25+55.66 EUR
50+53.6 EUR
100+52.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.17 EUR
10+42.19 EUR
100+39.27 EUR
600+39.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+73.82 EUR
5+68.52 EUR
10+63.24 EUR
50+54.88 EUR
100+50.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.15 EUR
30+32.49 EUR
120+31.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2VSTMicroelectronics
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.05 EUR
10+39.66 EUR
100+36.6 EUR
600+32.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsDescription: TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+35.94 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 565W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+93.81 EUR
5+83.73 EUR
10+74.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+35.94 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX-2
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX1-83-2W+Mini-CircuitsAudio Transformers / Signal Transformers 1:1 Core & Wire Transformer, 10 - 8000 MHz, 50ohm
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+134.78 EUR
20+131.86 EUR
50+128.94 EUR
100+127.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2-93-2W+Mini-CircuitsAudio Transformers / Signal Transformers 1:2 CORE & WIRE Transformer, 10 - 9000 MHz, 50?
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+147.85 EUR
10+138.75 EUR
30+138.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2-93-2W+Mini-CircuitsDescription: 1:2 XFMR, 10 - 9000 MHZ, 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 10MHz ~ 9GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 1:2
Insertion Loss (Max): 5.9dB
Phase Difference: 9°
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+138.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2-93-2W+Mini-CircuitsDescription: 1:2 XFMR, 10 - 9000 MHZ, 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 10MHz ~ 9GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 1:2
Insertion Loss (Max): 5.9dB
Phase Difference: 9°
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+117.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2B
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2B/SCDRX2DS
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2B/SCRX2B
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2B/SCRX2BC
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2B/SCRX2BS
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2B/SDRX2BD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2BD/SCRX2BD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2BS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2G
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX5A
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX5A/RX5A
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX5AS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX6A
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX6A/RX6A
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX8/RX8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX8A
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24  [ Nächste Seite >> ]