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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHK055N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3667 pF @ 100 V
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.55 EUR
10+12.76 EUR
50+10.27 EUR
100+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK055N60EF-T1GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK055N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.05 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11 EUR
25+9.47 EUR
27+8.08 EUR
50+7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK055N60EF-T1GE3VishayMOSFETs TOLL 600V 40A E SERIES
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.18 EUR
10+10.33 EUR
100+9.01 EUR
500+8.23 EUR
1000+7.39 EUR
2000+7.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK065N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK065N60E-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.67 EUR
10+9.13 EUR
500+8.57 EUR
2000+7.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK065N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 100 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.76 EUR
10+10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK065N60E-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60E-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK075N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2582 pF @ 100 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.02 EUR
10+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 29A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Mounting: SMD
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60E-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK075N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2582 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60E-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.1 EUR
10+8.19 EUR
500+7.79 EUR
1000+7.52 EUR
2000+6.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60E-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60EF-T1GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK075N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.061 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.37 EUR
18+13.32 EUR
25+8.83 EUR
50+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2954 pF @ 100 V
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.75 EUR
10+12.11 EUR
50+9.71 EUR
100+8.95 EUR
500+8.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60EF-T1GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK075N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.061 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.37 EUR
18+13.32 EUR
25+8.83 EUR
50+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2954 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60EF-T1GE3VishayMOSFETs PWRPK 600V 33A EF SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60EF-T1GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 97A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: PowerPAK® 1012
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 71mΩ
Pulsed drain current: 97A
Gate charge: 72nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N65E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N65E-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.46 EUR
10+8.4 EUR
100+7.71 EUR
500+7.58 EUR
2000+7.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N65E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK085N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK085N60EF-T1GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600Vds 30V Vgs PowerPAK 10 x 12
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.86 EUR
10+10.61 EUR
100+8.25 EUR
500+8.21 EUR
1000+7.77 EUR
2000+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK085N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.23 EUR
10+11.06 EUR
100+8.13 EUR
500+8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK085N60EF-T1GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.65 EUR
16+14.92 EUR
19+11.54 EUR
50+10.26 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK100N65E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK100N65E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 184W; PowerPAK® 1012
Mounting: SMD
Power dissipation: 184W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1012
On-state resistance: 0.1Ω
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK100N65E-T1-GE3VishayMOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.02 EUR
10+9.92 EUR
100+9.28 EUR
1000+8.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK100N65E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.37 EUR
10+12.58 EUR
100+9.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK105N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2301 pF @ 100 V
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.59 EUR
10+8.46 EUR
100+6.13 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK105N60E-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK105N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.085 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.43 EUR
500+5.72 EUR
1000+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK105N60E-T1-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.35 EUR
10+8.32 EUR
100+6.01 EUR
500+5.63 EUR
1000+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK105N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2301 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK105N60E-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK105N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.085 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.04 EUR
27+8.6 EUR
100+6.43 EUR
500+5.72 EUR
1000+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK105N60EF-T1GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 24A; 142W
Mounting: SMD
Power dissipation: 142W
Gate charge: 51nC
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.105Ω
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK105N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2301 pF @ 100 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.71 EUR
10+8.54 EUR
100+6.18 EUR
500+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK105N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2301 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK105N60EF-T1GE3VishayMOSFETs PWRPK 600V 24A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.46 EUR
10+6.62 EUR
100+6.07 EUR
500+5.71 EUR
1000+5.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK110N65SF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.73 EUR
10+7.85 EUR
50+6.2 EUR
100+5.66 EUR
500+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK110N65SF-T1GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.5 EUR
10+6.07 EUR
100+5.55 EUR
500+5.11 EUR
1000+4.94 EUR
2000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK110N65SF-T1GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK110N65SF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 34 A, 0.11 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.72 EUR
33+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK110N65SF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60E-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 3734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.6 EUR
10+6.14 EUR
100+5.59 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.99 EUR
2000+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60E-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK125N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.34 EUR
33+7.21 EUR
100+5.4 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.79 EUR
10+7.9 EUR
100+5.7 EUR
500+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 54A; 132W
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1012
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 132W
Gate charge: 29nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60E-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK125N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.109ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.4 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60E-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHK125N60EFVishay SemiconductorsSwitching Controllers 18.5V Input PWM/VFM Step-down DCDC Controller
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60EF-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 2.3 mO a. 10V, 3.35 mO a. 4.5V
auf Bestellung 18050 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+3.44 EUR
100+2.76 EUR
500+2.26 EUR
1000+1.87 EUR
3000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60EF-T1GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.34 EUR
37+6.35 EUR
100+4.74 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60EF-T1GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W
Polarisation: unipolar
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1012
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 132W
Gate charge: 45nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60EF-T1GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.74 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60EF-T1GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.47 EUR
10+7.6 EUR
100+5.55 EUR
500+5.02 EUR
1000+4.71 EUR
2000+4.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.07 EUR
10+8.09 EUR
50+6.38 EUR
100+5.83 EUR
500+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N65E-T1-GE3VishayMOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.28 EUR
10+8.9 EUR
100+8.16 EUR
500+8.15 EUR
1000+7.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N65E-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK125N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.12 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N65E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N65E-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK125N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.12 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N65E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 174W; PowerPAK® 1012
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 174W
Case: PowerPAK® 1012
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N65E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.54 EUR
10+11.29 EUR
50+9.03 EUR
100+8.31 EUR
500+8.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHK155N60EVishay / SiliconixMOSFET E Series Power MOSFET PowerPAK 10 x 12, 155 mohm a. 10V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
1+10.66 EUR
10+9.62 EUR
100+7.88 EUR
500+6.7 EUR
1000+5.65 EUR
2000+5.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK155N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12 EUR
10+8.06 EUR
50+6.35 EUR
100+5.81 EUR
500+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK155N60E-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.77 EUR
10+7.91 EUR
100+5.71 EUR
500+5.28 EUR
1000+5.09 EUR
2000+5.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK155N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHK155N60EFVishay / SiliconixMOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode PowerPAK 10 x 12, 155 mohm a. 10V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
1+10.86 EUR
10+9.76 EUR
100+8.02 EUR
500+6.81 EUR
1000+5.74 EUR
2000+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK155N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.15 EUR
10+8.16 EUR
100+5.89 EUR
500+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK155N60EF-T1GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 3362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.91 EUR
10+8.02 EUR
100+5.78 EUR
500+5.38 EUR
1000+5.19 EUR
2000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK155N60EF-T1GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 18A; 156W
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 38nC
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK155N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK185N60E-T1-GE3VishayMOSFETs PWRPK 600V 19A E SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK185N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.34 EUR
10+6.9 EUR
100+4.93 EUR
500+4.09 EUR
1000+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK185N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK185N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK185N60EF-T1GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK185N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.193 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK185N60EF-T1GE3VishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK185N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.77 EUR
10+7.18 EUR
50+5.64 EUR
100+5.14 EUR
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK185N60EF-T1GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHK185N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.193 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.77 EUR
32+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL023N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.12 EUR
10+15.58 EUR
100+14.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL023N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10291 pF @ 100 V
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.69 EUR
10+19.43 EUR
50+15.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL026N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9286 pF @ 100 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.98 EUR
10+19.65 EUR
50+16.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL026N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.52 EUR
10+15.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL026N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9286 pF @ 100 V
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SIHL033N60SF-GE3Vishay SiliconixDescription: SF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
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SIHL033N60SF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
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SIHL039N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
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SIHL039N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 600V
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SIHL040N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5344 pF @ 100 V
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SIHL040N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
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SIHL040N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
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SIHL041N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
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10+10.17 EUR
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SIHL050N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
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50+6.79 EUR
480+5.24 EUR
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SIHL050N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
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SIHL080N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
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SIHL080N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 600V
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SiHL520Vishay SiliconixSiHL520 IRL520PBF TO-220AB Транзистори
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