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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFN52N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.05 EUR
10+108.27 EUR
100+94.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN52N90PIXYSMOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN52N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN52N90PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 900V; 43A; SOT227B; screw; Idm: 104A
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.16Ω
Reverse recovery time: 300ns
Pulsed drain current: 104A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 308nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN53N50FIXYSMODULE
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N120SKIXYSDescription: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 12mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N120SKIXYSMOSFET Modules MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N50IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 55A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 80mΩ
Gate charge: 330nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N50IXYSMOSFET Modules 55 Amps 500V 0.08 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 55A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+77.29 EUR
10+68.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN55N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 55 A, 0.08 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N50Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N50IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N50FIXYSMODULE
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N50FIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXFN55N50F 500V 55A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN55N50FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 55A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90PSOT-227B, N-Channel MOSFET, Id=56A, Vdss=900V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90PIXYSMOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126.35 EUR
10+110.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P
Produktcode: 101753
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+128.78 EUR
10+99.04 EUR
100+93.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60GT60JRDXAPT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N50P3
Produktcode: 40769
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60
Produktcode: 84688
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60IXYSMOSFET Modules 600V 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60IXYSMODULE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 600V 60A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN60N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 60 A, 0.14 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.04
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+98.94 EUR
10+74.84 EUR
50+66.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PSOT-227B, PolarHVTM HiPerFETPower MOSFET, 800V 53A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80P
Produktcode: 84689
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIXYSMOSFET Modules DIODE Id54 BVdass800
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+105.58 EUR
10+85.54 EUR
100+80.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN61N50IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN62N80Q3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 49A; SOT227B; screw; Idm: 180A
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 180A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 960W
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 49A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN62N80Q3
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN62N80Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+135.17 EUR
10+111.06 EUR
100+108.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN62N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50P
Produktcode: 122714
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 64
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
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IXFN64N50PIXYSMOSFET Modules 500V 64A
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10+47.12 EUR
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IXFN64N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
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IXFN64N50PD2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 64 Amps 500V
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IXFN64N50PD2SOT-227B, N-Ch, Id=52A, Vdss=500V Транзистори
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IXFN64N50PD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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IXFN64N50PD3IXYSDiscrete Semiconductor Modules DiscMSFT N-CH HiPerFET-PolaSOT-227B(mini
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IXFN64N50PD3SOT-227B, N-Ch, Id=50A, Vdss=500V Транзистори
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IXFN64N50PD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
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IXFN64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.71 EUR
10+55.58 EUR
50+47.45 EUR
100+46.68 EUR
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IXFN64N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN64N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.096 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 64
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60PIXYSMOSFET Modules 600V 64A
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.47 EUR
10+55.45 EUR
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IXFN64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N50Q2IXYS66A/500V/MOS/1U
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFN66N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IXFN66N85XIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N85XIXYSMOSFET Modules 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.49 EUR
10+66.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.73 EUR
10+59.83 EUR
100+55.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N100XIXYSMOSFET Modules 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+124.31 EUR
10+121.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 56A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9150 pF @ 25 V
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.56 EUR
10+87.93 EUR
100+86.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N120SKLittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin SOT-227B Tube
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N120SKIXYSMOSFET Modules SiC Power MOSFET
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+252.54 EUR
10+229.04 EUR
50+229.03 EUR
100+228.43 EUR
200+227.77 EUR
500+227.27 EUR
1000+226.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N120SKIXYSDescription: SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N60Q2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 70 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N60Q2Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N60Q2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN72N55Q2IXYS72A/500V/MOS/1U
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN72N55Q2IXYSMOSFET Modules 72 Amps 550 V 0.07 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN72N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30IXYSDiscrete Semiconductor Modules 300V 73A
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+97.53 EUR
10+73.24 EUR
30+70.16 EUR
100+63.58 EUR
500+59.99 EUR
1000+53.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30
Produktcode: 104352
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30IXYS
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30Q
Produktcode: 155486
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30QIXYSDiscrete Semiconductor Modules 73 Amps 300V 0.042 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN74N100XIXYSMOSFETs MBLOC 1KV 74A N-CH XCLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN74N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 74A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN75N120SKIXYSDescription: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 18mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN75N120SKIXYSDescription: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN75N120SKLittelfuseMOSFET Modules MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+139.91 EUR
10+115.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N48IXYSDescription: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 480 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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