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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFN64N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.53 EUR
10+46.17 EUR
100+38.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PIXYSMOSFET Modules 500V 64A
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.14 EUR
10+53.95 EUR
100+47.75 EUR
500+47.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50P
Produktcode: 122714
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+53.57 EUR
40+49.54 EUR
80+45.98 EUR
120+43.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 64
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PD2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 64 Amps 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PD2SOT-227B, N-Ch, Id=52A, Vdss=500V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PD3IXYSDiscrete Semiconductor Modules DiscMSFT N-CH HiPerFET-PolaSOT-227B(mini
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50PD3SOT-227B, N-Ch, Id=50A, Vdss=500V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60PIXYSMOSFET Modules 600V 64A
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.11 EUR
10+55.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN64N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.096 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 64
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.49 EUR
10+54.67 EUR
100+46.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N50Q2IXYS66A/500V/MOS/1U
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.73 EUR
10+59.83 EUR
100+55.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N85XIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
On-state resistance: 65mΩ
Technology: HiPerFET™; X-Class
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Drain-source voltage: 850V
Power dissipation: 830W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN66N85XIXYSMOSFET Modules 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.49 EUR
10+66.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N100XIXYSMOSFET Modules 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+124.31 EUR
10+121.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 56A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9150 pF @ 25 V
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.56 EUR
10+87.93 EUR
100+86.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N120SKIXYSMOSFET Modules SiC Power MOSFET
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+252.54 EUR
10+229.04 EUR
50+229.03 EUR
100+228.43 EUR
200+227.77 EUR
500+227.27 EUR
1000+226.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N120SKIXYSDescription: SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N120SKLittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin SOT-227B Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N60Q2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N60Q2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 70 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N60Q2Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN70N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN72N55Q2IXYSMOSFET Modules 72 Amps 550 V 0.07 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN72N55Q2IXYS72A/500V/MOS/1U
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN72N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30IXYS
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30
Produktcode: 104352
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30IXYSDiscrete Semiconductor Modules 300V 73A
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+97.53 EUR
10+73.24 EUR
30+70.16 EUR
100+63.58 EUR
500+59.99 EUR
1000+53.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30QIXYSDiscrete Semiconductor Modules 73 Amps 300V 0.042 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30Q
Produktcode: 155486
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN74N100XIXYSMOSFETs MBLOC 1KV 74A N-CH XCLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN74N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 74A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN75N120SKLittelfuseMOSFET Modules MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+139.91 EUR
10+115.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN75N120SKIXYSDescription: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 18mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 1000 V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+152.18 EUR
10+122.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N48IXYSDescription: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 480 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.05 EUR
10+83.37 EUR
100+81.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+130.5 EUR
5+106.91 EUR
10+85.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFN80N50IXYSMOSFET Modules 500V 80A
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+142.69 EUR
10+117.89 EUR
100+112.74 EUR
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IXFN80N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN80N50
Produktcode: 42690
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290090
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IXFN80N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN80N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.21 EUR
10+53.78 EUR
100+46.14 EUR
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IXFN80N50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN80N50P - MOSFET, MODULE, N-CH, 500V, 66A
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 66
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Produktpalette: PolarHV HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: To Be Advised
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IXFN80N50PIXYSMOSFET Modules 500V 66A
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60 EUR
10+49.03 EUR
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IXFN80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 66A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN80N50P
Produktcode: 23719
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IXYSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: miniBLOC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1270/195
Bemerkung: <200 ns
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IXFN80N50Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 72A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN80N50Q2IXYS80A/500V/MOS/1U
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFN80N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN80N50Q2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 80 Amps 500V 0.06 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN80N50Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 72A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN80N50Q2N-CH 500V 80A SOT-227B Транзистори
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IXFN80N50Q3MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A Транзистори
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IXFN80N50Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 63A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN80N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
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IXFN80N50Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+102.23 EUR
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IXFN80N60P3
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
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IXFN80N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN80N60P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.077 ohm, SOT-227B, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 66
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 960
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: Polar3 HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
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IXFN80N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
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IXFN80N60P3IXYSMOSFET Modules Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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IXFN80N60P3IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
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IXFN82N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN82N60PIXYSMOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.64 EUR
10+64.4 EUR
100+58.81 EUR
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IXFN82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN82N60P
Produktcode: 38016
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFN82N60PMOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B Транзистори
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IXFN82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN82N60Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN82N60Q3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 Транзистори
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IXFN82N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126.4 EUR
10+97.14 EUR
100+89.61 EUR
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IXFN82N60Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.16 EUR
10+108.66 EUR
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IXFN90N170SKIXYSDescription: SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 36mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 376 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7340 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+625.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N170SKIXYSMOSFET MSFT SILICON CARBIDE MINI
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+621.35 EUR
10+581.97 EUR
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IXFN90N30Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 300V 90A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN90N30IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N30IXYSDiscrete Semiconductor Modules 90 Amps 300V 0.033 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN90N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.65 EUR
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IXFN90N85XIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 850V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 180A
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 90A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 41mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 180A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 340nC
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN90N85XIXYSDiscrete Semiconductor Modules 850V/90A Ultra Junction X-Class
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+102.58 EUR
10+93.26 EUR
20+90.14 EUR
50+87.05 EUR
100+85.95 EUR
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IXFN90N85XLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN90N85X - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+94.44 EUR
5+78.92 EUR
10+71.39 EUR
50+69.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFN94N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 68A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN94N50P2IXYSMOSFET Modules MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN94N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 68A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFP102N15TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 455W
Produkt ist nicht verfügbar
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