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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN31D5UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806-3 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFO-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN31D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.77 EUR
690+0.33 EUR
1041+0.2 EUR
1177+0.18 EUR
1258+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFO-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0604-3 T&R 10K
auf Bestellung 9599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.37 EUR
100+0.29 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
10000+0.065 EUR
20000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFO-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN31D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.77 EUR
690+0.33 EUR
1041+0.2 EUR
1177+0.18 EUR
1258+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFO-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0604-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6 pF @ 15 V
auf Bestellung 490000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.073 EUR
30000+0.071 EUR
50000+0.064 EUR
100000+0.057 EUR
250000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFZ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 393mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V
auf Bestellung 181117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFZ-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN31D5UFZ-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 220 mA, 1.5 ohm, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 393mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.98 EUR
347+0.67 EUR
527+0.4 EUR
700+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFZ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 393mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.17 EUR
20000+0.15 EUR
50000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFZ-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN31D5UFZ-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 220 mA, 1.5 ohm, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 393mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.98 EUR
347+0.67 EUR
527+0.4 EUR
700+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFZ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
auf Bestellung 45937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFZ-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.22A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFZQ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0606-3 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5UFZQ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D6UT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 320mW
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 950000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.076 EUR
20000+0.069 EUR
30000+0.065 EUR
50000+0.062 EUR
70000+0.06 EUR
100000+0.057 EUR
250000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D6UT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D6UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 7529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D6UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V
auf Bestellung 962995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
50+0.43 EUR
102+0.2 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D6UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V
auf Bestellung 960000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.096 EUR
9000+0.08 EUR
30000+0.079 EUR
75000+0.07 EUR
150000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7Diodes IncorporatedMOSFETs 650mW 30Vdss
auf Bestellung 3518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.67 EUR
100+0.39 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.21 EUR
30000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.88 EUR
370+0.63 EUR
535+0.4 EUR
650+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
auf Bestellung 65674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
29+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.88 EUR
370+0.63 EUR
535+0.4 EUR
650+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 573000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3270UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3270UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A TSOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.07nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 161pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 760mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3270UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3270UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 4731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3270UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3270UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A TSOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.07nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 161pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 760mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8 pF @ 15 V
auf Bestellung 209900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
39+0.55 EUR
100+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LFB4-7BDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8 pF @ 15 V
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.14 EUR
50000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K
auf Bestellung 19100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.17 EUR
10000+0.15 EUR
20000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 480mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.68A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.58 EUR
10+0.4 EUR
100+0.26 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.099 EUR
9000+0.075 EUR
24000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+0.079 EUR
9000+0.075 EUR
15000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.68A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 15946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
94+0.23 EUR
140+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.68A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.079 EUR
9000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 480mW (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LVQ-13Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LVQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
75000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LVQ-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT563 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D0LVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 116205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
61+0.35 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
auf Bestellung 3154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
901+0.19 EUR
1014+0.17 EUR
1257+0.13 EUR
3000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 901 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
auf Bestellung 3154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.48 EUR
508+0.33 EUR
551+0.3 EUR
901+0.18 EUR
1014+0.15 EUR
1024+0.14 EUR
1257+0.11 EUR
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.99 EUR
415+0.56 EUR
654+0.33 EUR
878+0.25 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 350mw 30V DUAL
auf Bestellung 14100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.75 EUR
10+0.43 EUR
100+0.29 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
auf Bestellung 56701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
38+0.57 EUR
45+0.46 EUR
52+0.4 EUR
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.99 EUR
415+0.56 EUR
654+0.33 EUR
878+0.25 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LFB4Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 82606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
29+0.75 EUR
50+0.65 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+1.17 EUR
314+0.74 EUR
461+0.46 EUR
592+0.36 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
501+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 501 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 82100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
501+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 501 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+1.17 EUR
314+0.74 EUR
461+0.46 EUR
592+0.36 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 900000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LFB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs 350mW 30Vdss
auf Bestellung 38444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LV-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Channel
auf Bestellung 15767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
50000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-7
Produktcode: 131979
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
334+0.69 EUR
814+0.26 EUR
1093+0.19 EUR
1667+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 152468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
34+0.63 EUR
100+0.32 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC
auf Bestellung 91177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.43 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 152468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
75000+0.11 EUR
150000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D4SDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
334+0.69 EUR
814+0.26 EUR
1093+0.19 EUR
1667+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32M6LCA8-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN6025-8 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32M6LCA8-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A X4-DSN6025
Supplier Device Package: X4-DSN6025-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32M7LCA8-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN6025
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: X4-DSN6025-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 10A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, No Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3300U
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3300UDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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