Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3404LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3404LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3404LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 381000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3404LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3404LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 710mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V | auf Bestellung 99548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3730U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K | auf Bestellung 35386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V | auf Bestellung 4285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730UFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2139000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730UFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2140288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V | auf Bestellung 4418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3730UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 4465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3731U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 400mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3731U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 27531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 140000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 400mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 8069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3731U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | auf Bestellung 33329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 8768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3731U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.46 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 668190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 660000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 8265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731UFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin X2-DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3731UFR4-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3731UFR4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-DFN1010-3 T&R 5K | auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731UFR4-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 375000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3731UFR4-7R | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1010-3 T&R 5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3731UFR4-7R | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V X2-DFN1010-3 T&R 5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732U-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732U-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732U-7 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732U-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7 | Diodes Zetex | 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7B | Diodes Zetex | 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 7777 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 147252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3732UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | auf Bestellung 140000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3732UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K | auf Bestellung 4652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3732UQ-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UQ-7 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVT-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.1A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVT-7 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVT-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVTQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVTQ-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3732UVTQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN38M1SCA10-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN3415 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1914pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: X4-DSN3415-10 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V | auf Bestellung 14073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-CH MOSFET | auf Bestellung 16289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 740000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 390mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 390mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN39M1LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 89.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2253 pF @ 15 V | auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN4008LFG | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC | auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN4008LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V | auf Bestellung 3350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN4008LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Drain current: 15.4A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 90A Polarisation: unipolar Gate charge: 74nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4008LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN4008LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V | auf Bestellung 14900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Drain current: 15.4A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 90A Polarisation: unipolar Gate charge: 74nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V | auf Bestellung 15792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC | auf Bestellung 3149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN4009LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4009LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4010LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 930mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4010LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh Mode 1810pF 37nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 930mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40 N-Ch Enh FET 31V to 99V 1810pF | auf Bestellung 11606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|