Produkte > IXT

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTQ52P10PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
auf Bestellung 3743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.9 EUR
30+11.72 EUR
60+10.75 EUR
120+9.92 EUR
510+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52P10PIXYSMOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.9 EUR
10+8.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTQ52P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.99 EUR
25+15.36 EUR
100+10.41 EUR
250+8.87 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ54N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ54N30TIXYSMOSFET 54 Amps 300V 72 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ56N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N10TIXYSMOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20TIXYSMOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+8.95 EUR
120+7.16 EUR
510+5.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
Mounting: THT
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.59 EUR
16+5.66 EUR
30+5.02 EUR
120+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO3P
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N30TIXYSMOSFETs 60 Amps 300V 60 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ62N15PIXYSMOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ62N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ62N25TIXYSMOSFETs 62 Amps 250V 50 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ62N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO3P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Supplier Device Package: TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ64N25PIXYSMOSFETs 64 Amps 250V 0.049 Rds
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.67 EUR
10+12.07 EUR
120+9.21 EUR
510+8.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ64N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+12.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ69N30PIXYSMOSFETs 69 Amps 300V 0.049 Rds
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.32 EUR
10+14.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ69N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ69N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 69A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.92 EUR
30+12.5 EUR
120+11.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ69N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.74 EUR
9+25.82 EUR
11+20.46 EUR
50+17.09 EUR
100+15.93 EUR
250+14.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ69N30P
Produktcode: 132595
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ69N30PMIXYSMOSFET MSFT N-CH STD-POLAR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ69N30PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 25A TO3PFP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ72N20TIXYSMOSFETs 72 Amps 200V 33 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ72N30TIXYSMOSFETs 72 Amps 300V 52 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ72N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ74N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 74A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ74N20PIXYSMOSFETs 74 Amps 200V 0.034 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ75N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ75N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ75N10PIXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.91 EUR
10+7.77 EUR
120+6.45 EUR
510+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ75N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.08 EUR
15+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.36 EUR
30+9.53 EUR
120+8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25TIXYSMOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.04 EUR
10+8.57 EUR
120+7.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25T (Transistor)
Produktcode: 87316
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ80N28TIXYS06+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ80N28TIXYSDescription: MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ82N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.28 EUR
9+10.34 EUR
10+9.17 EUR
30+8.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ82N25PIXYSMOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.82 EUR
10+12.02 EUR
120+11.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ82N25PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.9 EUR
12+14.76 EUR
30+13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ82N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.41 EUR
30+10.91 EUR
120+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ82N25PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.26 EUR
11+21.96 EUR
13+17.14 EUR
50+14.03 EUR
100+13.15 EUR
250+12.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ86N20TIXYSMOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ86N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO3P
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ86N25TIXYSMOSFETs TO3P 250V 86A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ86N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 86A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N15IXYSMOSFET 88 Amps 450V 0.022 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N28TТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N28TLittelfuseArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.49 EUR
30+18.06 EUR
60+16.71 EUR
120+15.57 EUR
510+14.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N30PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N30PIXYSMOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 297-301 Tag (e)
1+22.49 EUR
10+19.84 EUR
30+19.29 EUR
60+18.22 EUR
120+17.14 EUR
270+16.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ90N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 96A TO3P
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N15PIXYSMOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.82 EUR
10+13.07 EUR
120+11.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.41 EUR
30+10.91 EUR
120+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N25TIXYSMOSFET 96 Amps 250V 36 Rds
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.11 EUR
10+12.76 EUR
30+12.17 EUR
120+10.56 EUR
510+9.2 EUR
1020+7.81 EUR
2520+7.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 96A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ98N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ98N20TIXYSMOSFET 98 Amps 200V 26 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR102N65X2IXYSMOSFETs ISOPLUS 650V 54A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.05 EUR
10+27.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR102N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.85 EUR
30+29.95 EUR
120+26.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR102N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; 330W; ISOPLUS247™; 450ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 450ns
Power dissipation: 330W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 54A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 33mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR120P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR120P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR140P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -110A
Power dissipation: 270W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: TrenchP™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR140P10TIXYSMOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR140P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 110A ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR16P60PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -600V 0.790 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR16P60PIXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR170P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.22 EUR
30+30.81 EUR
120+28.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR170P10PIXYSMOSFETs -108.0 Amps -100V 0.013 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR200N10PIXYSMOSFETs 133 Amps 100V 0.008 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR20P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR20P50PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -13A; 190W; 406ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: PolarP™
Drain current: -13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -500V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.49Ω
Reverse recovery time: 406ns
Power dissipation: 190W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.72 EUR
10+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR20P50PIXYSMOSFETs -13 Amps -500V 0.490 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR210P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 390W
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -195A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 8mΩ
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+46.73 EUR
3+41.33 EUR
10+37.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR210P10TIXYSMOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR210P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 195A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 105A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+46.7 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR30N25IXYSMOSFETs 25 Amps 250V 0.075 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR30N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35  [ Nächste Seite >> ]