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DMT10H015LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 15754 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.23 EUR
12+	1.81 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LPS

Diodes Incorporated

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LPS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LPS-13

Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

auf Bestellung 2295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	3.9 EUR
100+	2.32 EUR
162+	1.33 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LPS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

auf Bestellung 65000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)

auf Bestellung 107500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.81 EUR
5000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LPS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

auf Bestellung 1930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.48 EUR
10+	1.73 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.93 EUR
2500+	0.83 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LPS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.7 EUR
103+	1.67 EUR
134+	1.26 EUR
250+	1.23 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LPS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LPS-13

Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

auf Bestellung 2295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.32 EUR
162+	1.33 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V

auf Bestellung 108220 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.43 EUR
13+	1.71 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LSS-13

Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2370 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	2.19 EUR
141+	1.65 EUR
187+	1.14 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 115 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

auf Bestellung 2305 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.18 EUR
10+	1.52 EUR
100+	1.18 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LSS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 58894 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.12 EUR
11+	1.96 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LSS-13

Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2370 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	2.19 EUR
141+	1.65 EUR
187+	1.14 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 115 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LSS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 1895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	0.8 EUR
223+	0.75 EUR
226+	0.71 EUR
230+	0.68 EUR
250+	0.64 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 219 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 57500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.84 EUR
5000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LSS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015LSS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 1895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 242 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SK3

Diodes Incorporated

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SK3-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V

auf Bestellung 2016 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.89 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.86 EUR
2500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SPS-13

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.67 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SPS-13

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SPS-13

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H015SPS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H017LPD-13

Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.06 EUR
103+	2.08 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H017LPD-13

Trans MOSFET N-CH 100V 54.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H017LPD-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

auf Bestellung 1527 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.44 EUR
10+	2.62 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.4 EUR
2500+	1.21 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H017LPD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.33 EUR
10+	2.8 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H017LPD-13

Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.32 EUR
76+	3.06 EUR
103+	2.08 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H017LPD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025LK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025LK3-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 2222 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.74 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.6 EUR
2500+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025LK3-13

Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2396 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	2.3 EUR
147+	1.58 EUR
216+	1 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025LK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.31 EUR
15+	1.44 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025LK3-13

Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2396 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	2.3 EUR
147+	1.58 EUR
216+	1 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SK3-13

Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

156+	1.61 EUR
186+	1.25 EUR
299+	0.71 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 156 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 41.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SK3-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K

auf Bestellung 4725 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.18 EUR
10+	1.01 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.51 EUR
2500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7558 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.26 EUR
15+	1.42 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SK3-13

Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

156+	1.61 EUR
186+	1.25 EUR
299+	0.71 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 156 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.58 EUR
5000+	0.54 EUR
7500+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SSS

Diodes Incorporated

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SSS-13

Description: DIODES INC. - DMT10H025SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.4 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2287 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

156+	1.61 EUR
186+	1.25 EUR
299+	0.71 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 156 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SSS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SSS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 7193 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.19 EUR
10+	1.01 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.5 EUR
2500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

auf Bestellung 4772 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.18 EUR
21+	1 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SSS-13

Description: DIODES INC. - DMT10H025SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.4 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2287 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

156+	1.61 EUR
186+	1.25 EUR
299+	0.71 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 156 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H025SSS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LDV-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LDV-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LDV-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LDVW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 100V 6.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LDVW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 100V 6.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFDF-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFDF-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

105+	2.39 EUR
162+	1.44 EUR
180+	1.19 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 105 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFDF-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

auf Bestellung 4260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.74 EUR
10+	1.25 EUR
100+	1 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.83 EUR
3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFDF-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V

auf Bestellung 335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.24 EUR
15+	1.4 EUR
100+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1151 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

105+	2.39 EUR
162+	1.44 EUR
180+	1.19 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 105 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFDF-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFVW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFVW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.65 EUR
4000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFVW-7

Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 526 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.93 EUR
140+	1.67 EUR
186+	1.15 EUR
500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFVW-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFVW-7

DMT10H032LFVW-7

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LFVW-7

Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm

auf Bestellung 526 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	4 EUR
129+	1.8 EUR
184+	1.17 EUR
500+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LK3-13

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LK3-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032LSS-13

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032SDVW-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032SFVW

Diodes Incorporated

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032SFVW-13

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032SFVW-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032SFVW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.4 EUR
6000+	0.38 EUR
9000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032SFVW-13

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032SFVW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V

auf Bestellung 3874 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.46 EUR
21+	1.04 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032SFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode Mosfet

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032SFVW-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

auf Bestellung 1749 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.54 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.51 EUR
2000+	0.42 EUR
4000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032SFVW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H032SFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode Mosfet

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMT10H032SFVW-7
Produktcode: 211752

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H052LDVW-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT10H052LFDF-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

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DMT10H052LFDF-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

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