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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MSC010SDA170BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 31A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 31A
Capacitance @ Vr, F: 820pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.61 EUR
25+15.32 EUR
100+12.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC010SDA170BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC010SDA170BMicrochipDIODE SCHOTTKY 1700V TO-247 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC010SDA170BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC012SMC120B4NMicrochip Technology MOSFET SIC 1200 V 12 mOhm TO-247-4 Notch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC012SMC120B4NMicrochip TechnologyMSC012SMC120B4N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SDA120BMicrosemiMSC015SDA120B
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SDA120BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.39 EUR
25+12.33 EUR
100+10.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SDA120BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SDA120BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.17 EUR
30+11.21 EUR
120+9.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SDA120BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+15.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SDA120BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC015SDA120B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 73 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 73nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 140A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V 131A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.08 EUR
25+29.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 140A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+78.84 EUR
5+72.88 EUR
10+66.63 EUR
20+65.19 EUR
50+61.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+104.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070B4Microchip TechnologyDescription: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.97 EUR
25+32.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.1 EUR
10+32.36 EUR
120+28.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 15 MOHM TO-247-
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm DIE TAPE & REEL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070D/TMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 15 MOHM DIE TAP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 15 MOHM SOT-227
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.55 EUR
25+67.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070JMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070SMicrochip TechnologySiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070SMicrochip TechnologySiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+80.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070SMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V 126A D3PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070SMicrosemiSiC MOSFETs
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 15 MOHM TO-263-
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070SDT/RMicrochip Technology MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-263-7 XL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 35 MOHM TO-263-
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC015SMA070SDT/RMMicrochip Technology MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-263-7L-XL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120BMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.63 EUR
30+85.41 EUR
120+74.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120BMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+76.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120BMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+76.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+97.52 EUR
25+89.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120BMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+102.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120BMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120B4Microchip TechnologyMSC017SMA120B4
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120B4Microchip TechnologyMSC017SMA120B4
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+138.12 EUR
3+130.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120B4Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120B4Microchip TechnologyMSC017SMA120B4
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.4 EUR
30+87.96 EUR
120+76.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120B4Microchip TechnologyMSC017SMA120B4
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+81.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4 Notch
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.61 EUR
30+48.5 EUR
120+42.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+131.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120JMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+129.19 EUR
30+119.13 EUR
100+103.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC017SMA120SMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.79 EUR
10+78.37 EUR
30+68.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC020SDA120BMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A SiC SBD
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.53 EUR
30+19.87 EUR
120+17.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC020SDA120BMicrochip TechnologyDiode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC020SDA120BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 1130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.91 EUR
25+20.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC020SDA120BMicrochip TechnologyDiode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+25.41 EUR
60+23.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC020SDA120BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC020SDA120B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 91 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 91nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC020SDA120BMicrosemiRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 43A Tube
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+19.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC020SDA120KMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC020SDA120KMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC020SDA120K - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 91 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 91nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC020SDA120KMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC020SDA120KMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 1130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.37 EUR
25+20.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC020SDA120SMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1200V 49A D3PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 1130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.49 EUR
25+19.83 EUR
100+17.24 EUR
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MSC020SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC020SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 97 A, 1.2 kV, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MSC020SMB120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.57 EUR
30+27.27 EUR
120+23.73 EUR
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MSC025SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.63 EUR
25+66.07 EUR
100+53.98 EUR
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MSC025SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.84 EUR
30+73.64 EUR
120+64.07 EUR
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MSC025SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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MSC025SMA120BMicrosemiSilicon Carbide MOSFET 1200V 25MOHM TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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MSC025SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+88.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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MSC025SMA120BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MSC025SMA120BMicrosemiSiC MOSFETs
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+70.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MSC025SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+72.38 EUR
10+69.09 EUR
25+54.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MSC025SMA120B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MSC025SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+90.82 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+80.29 EUR
5+70.65 EUR
10+66.93 EUR
20+65.47 EUR
50+61.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MSC025SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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MSC025SMA120B4Microchip TechnologyDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.78 EUR
10+67.6 EUR
30+67.1 EUR
120+65.81 EUR
270+59.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+76.65 EUR
10+71.97 EUR
25+63.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.93 EUR
30+48.83 EUR
120+42.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 77A Automotive 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120JMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1.2KV 77A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+101.79 EUR
25+93.87 EUR
100+76.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 77A Automotive 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm SOT-227
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.33 EUR
10+88.71 EUR
30+87.94 EUR
100+80.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120SMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120SMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+90.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.96 EUR
30+68.2 EUR
120+59.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120SMicrosemiTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+72.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120SMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.27 EUR
25+68.48 EUR
100+55.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120SDT/RMicrochip Technology MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-263-7 XL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA330B4Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 3300 V 25 MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8720 pF @ 2640 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA330B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 3300V 25 MOHM TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 2400 V
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+352.85 EUR
25+325.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA330B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 25 mOhm TO-247-4L-Notch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMB120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.48 EUR
30+22.57 EUR
120+19.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC025SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMB120SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-263-7 XL Full Reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMB120SDT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-263-7 XL Mini Reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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