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NTMTS002N08MC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 229A; Idm: 3577A; 208W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 229A
Pulsed drain current: 3577A
Power dissipation: 208W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS002N08MC

Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.55 EUR
10+	9.15 EUR
100+	6.66 EUR
500+	6.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS002N08MC

ON Semiconductor

MOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS002N08MC

Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS002N10MCTXG

Description: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	6.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS002N10MCTXG

MOSFETs PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

auf Bestellung 2509 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.96 EUR
10+	10.16 EUR
100+	7.44 EUR
500+	7.27 EUR
1000+	6.81 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS002N10MCTXG

Description: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V

auf Bestellung 5176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.23 EUR
10+	10.34 EUR
100+	7.58 EUR
500+	7.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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NTMTS0D4N04CLTXG

ON Semiconductor

Single N Channel Power MOSFET

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMTS0D4N04CLTXG

MOSFETs AFSM T6 40V LL NCH

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NTMTS0D4N04CTXG

MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH

Produkt ist nicht verfügbar

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NTMTS0D4N04CTXG

ON Semiconductor

MOSFET AFSM T6 40V SG NCH

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D4N04CTXG

auf Bestellung 2934 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NTMTS0D4N04CTXG

ON Semiconductor

Single N Channel Power MOSFET

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMTS0D6N04CLTXG

ON Semiconductor

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CLTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 554.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CLTXG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 78.9A 8-Pin DFNW EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMTS0D6N04CLTXG

MOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION

auf Bestellung 1710 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.07 EUR
10+	5.34 EUR
100+	3.77 EUR
500+	3.19 EUR
3000+	2.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CLTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 554.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.41 EUR
10+	7.64 EUR
100+	5.5 EUR
500+	4.58 EUR
1000+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CLTXG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 78.9A 8-Pin DFNW EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 533A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CTXG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CTXG

Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2056 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2056 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CTXG

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 533A, 0.48mohm, PQFN 8x8

auf Bestellung 2952 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.79 EUR
10+	5.21 EUR
100+	3.96 EUR
500+	3.42 EUR
1000+	2.98 EUR
3000+	2.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 533A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CTXG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CTXG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R

auf Bestellung 2056 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

198+	3.31 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 198 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D6N04CTXG

ON Semiconductor

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N04CLTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 67A/433A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.05 EUR
10+	12.05 EUR
100+	10.04 EUR
500+	8.87 EUR
1000+	7.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N04CLTXG

MOSFETs AFSM T6 40V LL NCH

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N04CLTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 67A/433A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N04CLTXG

ON Semiconductor

MOSFET AFSM T6 40V LL NCH

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N04CTXG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 420A; Idm: 900A; 103W; Power88
Case: Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 900A
Drain current: 420A
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 670µΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N04CTXG

ON Semiconductor

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/420A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9230 pF @ 25 V

auf Bestellung 345 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.17 EUR
10+	6.77 EUR
100+	4.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/420A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9230 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N04CTXG

MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH

auf Bestellung 1587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.44 EUR
10+	4.88 EUR
100+	3.42 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N06C

MOSFET AFSM T6 60V SG NCH

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N06CLTXG

MOSFETs AFSM T6 60V LL NCH

auf Bestellung 754 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.16 EUR
10+	6.58 EUR
100+	5.51 EUR
500+	4.46 EUR
1000+	3.83 EUR
3000+	3.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N06CLTXG

ON Semiconductor

Single N Channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N06CLTXG

Description: MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V

auf Bestellung 4214 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.21 EUR
10+	6.1 EUR
100+	4.34 EUR
500+	3.81 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N06CLTXG

On Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N06CLTXG

Description: MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N06CTXG

Description: MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.5A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11535 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMTS0D7N06CTXG

On Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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NTMTS0D7N06CTXG

MOSFETs AFSM T6 60V SG NCH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS0D7N06CTXG

Description: MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.5A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11535 pF @ 30 V

auf Bestellung 7707 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.46 EUR
10+	5.6 EUR
100+	3.99 EUR
500+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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NTMTS0D7N06CTXG

ON Semiconductor

Single N Channel Power MOSFET

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMTS1D2N08H

MOSFETs T8-80V IN PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.73 EUR
10+	8.65 EUR
100+	6.39 EUR
1000+	6.06 EUR
3000+	5.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D2N08H

Description: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D2N08H

ON Semiconductor

Single N-Channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D2N08H

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 335A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 335A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D2N08H

Description: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V

auf Bestellung 2394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.55 EUR
10+	9.15 EUR
100+	6.66 EUR
500+	6.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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NTMTS1D5N08H

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D5N08H

Description: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8220 pF @ 40 V

auf Bestellung 2643 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.63 EUR
10+	7.79 EUR
100+	5.62 EUR
500+	5.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D5N08H

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 255A; Idm: 900A; 83W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 255A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D5N08H

Description: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8220 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D5N08H

MOSFET T8-80V IN PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D5N08MC

Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V

auf Bestellung 11997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.4 EUR
10+	11.2 EUR
100+	8.25 EUR
500+	8.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D5N08MC

MOSFETs PTNG 80V IN CEBU PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D5N08MC

Description: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	6.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D6N10MCTXG

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 273A, 1.7mohm, PQFN 8x8

auf Bestellung 2987 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.93 EUR
10+	12.35 EUR
100+	10.5 EUR
3000+	10.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D6N10MCTXG

Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 291W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	28.61 EUR
11+	21.59 EUR
100+	17.29 EUR
500+	12.8 EUR
3000+	12.55 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D6N10MCTXG

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V

auf Bestellung 1466 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.67 EUR
10+	13.79 EUR
25+	12.82 EUR
100+	11.76 EUR
250+	11.25 EUR
500+	10.94 EUR
1000+	10.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D6N10MCTXG

Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 291W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	28.61 EUR
11+	21.59 EUR
100+	17.29 EUR
500+	12.8 EUR
3000+	12.55 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D6N10MCTXG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 146W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS1D6N10MCTXG

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS4D3N15MC

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 8-Pin DFNW EP Reel

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS4D3N15MC

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS4D3N15MC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; Idm: 900A; 293W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 293W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS4D3N15MC

Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 293W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm

auf Bestellung 139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.65 EUR
16+	14.76 EUR
18+	12.1 EUR
50+	10.97 EUR
100+	9.81 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS4D3N15MC

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS4D3N15MC

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.21 EUR
10+	11.04 EUR
100+	8.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTS4D3N15MC

MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL

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NTMTS4D3N15MC

Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 293W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm

auf Bestellung 139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.65 EUR
16+	14.76 EUR
18+	12.1 EUR
50+	10.97 EUR
100+	9.81 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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NTMTS6D0N15MC

Description: ONSEMI - NTMTS6D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 135 A, 6400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 342 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	15.77 EUR
25+	9.47 EUR
100+	7.02 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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NTMTS6D0N15MC

auf Bestellung 2900 Stücke:

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NTMTS6D0N15MC

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4815 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 69A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	5.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMTS6D0N15MC

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 150V, 135A, 6.4mohm, PQFN 8x8

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.59 EUR
10+	9.56 EUR
100+	7.19 EUR
500+	6.7 EUR
1000+	6.18 EUR
3000+	5.81 EUR

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NTMTS6D0N15MC

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin DFNW EP Reel

Produkt ist nicht verfügbar

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NTMTS6D0N15MC

Description: ONSEMI - NTMTS6D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 135 A, 6400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 342 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	15.77 EUR
25+	9.47 EUR
100+	7.02 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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NTMTS6D0N15MC

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4815 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 69A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.35 EUR
10+	7.97 EUR
100+	5.99 EUR
500+	5.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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NTMTSC002N10MCTXG

Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4327 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.42 EUR
10+	9.04 EUR
100+	6.57 EUR
500+	6.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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NTMTSC002N10MCTXG

Description: ONSEMI - NTMTSC002N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 0.0017 ohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	14.54 EUR
24+	9.97 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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NTMTSC002N10MCTXG

Description: MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMTSC002N10MCTXG

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 236A, 2.0mohm

auf Bestellung 5197 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.36 EUR
10+	7.14 EUR
100+	5.84 EUR
500+	5.76 EUR
1000+	5.37 EUR
3000+	4.96 EUR

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NTMTSC1D5N08MC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 287A; Idm: 3500A; 250W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 287A
Pulsed drain current: 3500A
Power dissipation: 250W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 101nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMTSC1D5N08MC

ON Semiconductor

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC1D5N08MC

Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2954 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.58 EUR
10+	10.15 EUR
100+	7.59 EUR
500+	6.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC1D5N08MC

MOSFETs PTNG 80V IN CEBU PQFN88

auf Bestellung 2069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.36 EUR
10+	9.95 EUR
100+	7.79 EUR
1000+	7.38 EUR
3000+	6.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC1D5N08MC

Description: MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 250W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC1D5N08MC

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC1D6N10MCTXG

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 367A, 1.7mohm

auf Bestellung 785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.32 EUR
10+	8.85 EUR
100+	6.66 EUR
1000+	6.47 EUR
3000+	5.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC1D6N10MCTXG

Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3487 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.29 EUR
21+	11.35 EUR
100+	8.48 EUR
500+	7.31 EUR
1000+	6.47 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC1D6N10MCTXG

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC1D6N10MCTXG

Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 64450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.15 EUR
10+	8.89 EUR
100+	6.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC1D6N10MCTXG

Description: ONSEMI - NTMTSC1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 1420 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3487 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.29 EUR
21+	11.35 EUR
100+	8.48 EUR
500+	7.31 EUR
1000+	6.47 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC1D6N10MCTXG

Description: MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 291W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	5.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC4D2N10GTXG

Description: 100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10450 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC4D2N10GTXG

Description: 100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10450 pF @ 50 V

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.72 EUR
10+	9.28 EUR
100+	6.76 EUR
500+	6.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC4D2N10GTXG

MOSFETs 100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PACKAGE

auf Bestellung 3287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.36 EUR
10+	9.62 EUR
100+	7.72 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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