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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTX102N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 102A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX102N65X2IXYSMOSFETs PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX102N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 102A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX102N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; PLUS247™; 450ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 450ns
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 1.04kW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX110N20L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 200V; 110A; 960W; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 420ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX110N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.11 EUR
30+52.86 EUR
120+50.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX110N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.51 EUR
10+56.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 505ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.5 EUR
30+35.25 EUR
120+31.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120N65X2IXYSMOSFETs PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.88 EUR
10+37.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFETs
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.75 EUR
10+48.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120P20TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+34.03 EUR
10+30.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.03 EUR
30+35.88 EUR
120+34.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX170P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: P-Channel
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.46 EUR
30+32.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX170P10PIXYSMOSFETs -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.44 EUR
10+29.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX170P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX17N120LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX17N120LIXYSMOSFET 17 Amps 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX1R4N450HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1.4A; Idm: 5A; 960W; 660ns
Case: TO247PLUS-HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 88nC
Reverse recovery time: 660ns
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40Ω
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX1R4N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1.4A TO247PLUS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+124.81 EUR
30+95.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX1R4N450HVIXYSMOSFETs PLUS247 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+150.52 EUR
10+128.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX200N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTX200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, PLUS247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+83.51 EUR
5+70.94 EUR
10+59.38 EUR
25+53.25 EUR
100+47.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX200N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.23 EUR
30+50.05 EUR
120+47.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX200N10L2IXYSMOSFETs L2 Linear Power MOSFET
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.01 EUR
10+55.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX20N150IXYSMOSFETs 1500 V High Voltage Power MOSFET
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.41 EUR
10+41.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX20N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 20A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX20N150LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTX20N150 - MOSFET, N-CH, 1.5KV, 20A, PLUS247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX20N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX20N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 20A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67 EUR
30+44.14 EUR
120+40.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10TIXYSMOSFETs P-Channel: Standard MOSFET
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.75 EUR
10+48.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+38.02 EUR
10+34.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX22N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX22N100LIXYSMOSFETs LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.32 EUR
10+79.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX22N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX240N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 240A PLUS247-3
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.99 EUR
10+71.02 EUR
100+60.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX240N075L2IXYSMOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.22 EUR
10+65.87 EUR
120+57.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX24N100IXYSMOSFETs 24 Amps 1000V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX24N100IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 850ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 890W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+46.85 EUR
10+37.7 EUR
50+32.18 EUR
100+31.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.05 EUR
30+31.8 EUR
120+27.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60PIXYSMOSFETs -32 Amps -600V 0.350 Rds
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.73 EUR
10+37.28 EUR
30+32.96 EUR
60+32.38 EUR
120+30.87 EUR
270+29.71 EUR
510+26.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX3N250LIXYSMOSFET MOSFET DISCRETE TO-247P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX400N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX400N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.62 EUR
30+58.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX400N20X4IXYSMOSFETs 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.55 EUR
10+42.39 EUR
100+37.09 EUR
500+34.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 1159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.44 EUR
30+32.7 EUR
120+30.67 EUR
510+26.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50PIXYSMOSFETs -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.57 EUR
10+32.49 EUR
30+31.29 EUR
60+30.56 EUR
120+29.85 EUR
270+28.46 EUR
510+27.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTX40P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 40A, PLUS247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.32 EUR
6+45.23 EUR
10+37.72 EUR
25+33.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX46N50LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.94 EUR
30+62.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX46N50LIXYSMOSFETs 44 Amps 500V
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.32 EUR
10+80.28 EUR
30+67.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX4N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+140.77 EUR
30+113.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX4N300P3HVIXYSMOSFETs PLUS247 300V 4A N-CH POLAR
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+131.17 EUR
10+124.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX550N055T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX550N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX5N250High Voltage Power MOSFET w/ Extended FBSOA PLUS247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX5N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+238.89 EUR
30+204.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX5N250IXYSMOSFET 2500V 5A HV Power MOSFET
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+259.6 EUR
10+246.2 EUR
30+239.51 EUR
120+236.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX600N04T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX60N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.11 EUR
30+52.86 EUR
120+50.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX60N50L2IXYSMOSFETs 60 Amps 500V
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.62 EUR
10+56.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX660N04T4IXYSDescription: DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX660N04T4IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX6N200P3HVIXYSMOSFETs PLUS247 2KV 6A N-CH HIVOLT
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+129.81 EUR
10+117.64 EUR
30+113.6 EUR
60+109.49 EUR
120+109.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX6N200P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX8N150LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX8N150LIXYSMOSFETs Standard Linear Power MOSFET
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+94.75 EUR
10+80.82 EUR
120+70.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX8N150LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.5kV
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+48.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90N25L2IXYSMOSFETs 90 Amps 250V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.85 EUR
10+60.9 EUR
120+56.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90N25L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
Power dissipation: 960W
Gate charge: 640nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Reverse recovery time: 266ns
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+48.36 EUR
10+42.85 EUR
25+39.56 EUR
100+28.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.11 EUR
30+52.86 EUR
120+50.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90P20PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.28 EUR
10+33.64 EUR
120+30.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Mounting: THT
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+26.19 EUR
5+22.94 EUR
10+21.09 EUR
30+20.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.63 EUR
110+1.54 EUR
111+1.46 EUR
116+1.34 EUR
117+1.27 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V
auf Bestellung 12684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.75 EUR
70+3.75 EUR
140+3.42 EUR
560+2.88 EUR
1050+2.7 EUR
2030+2.53 EUR
5040+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100IXYSMOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+3.03 EUR
70+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
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 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.4 EUR
55+3.09 EUR
56+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY01N100 TRL
auf Bestellung 2461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+4.3 EUR
100+3.28 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 12950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+4.12 EUR
560+3.46 EUR
1050+3.17 EUR
2030+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 9952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.45 EUR
70+5.24 EUR
140+4.78 EUR
560+4.11 EUR
1050+3.87 EUR
2030+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 12950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+4.14 EUR
560+3.56 EUR
1050+3.3 EUR
2030+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.57 EUR
37+6.31 EUR
100+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DIXYSMOSFETs MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.08 EUR
10+5.26 EUR
70+4.8 EUR
560+4.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D TRIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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