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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMNR56-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR56-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 320 A, 500 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.77 EUR
26+9.03 EUR
100+6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR58-30YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR58-30YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR58-30YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.41 EUR
10+4.86 EUR
100+3.4 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR58-30YLHXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 30V 300A
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.68 EUR
3000+2.67 EUR
9000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR58-30YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR60-25YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR60-25YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8117 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR60-25YLHXNexperiaMOSFETs PSMNR60-25YLH/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 4105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+4.4 EUR
100+3.06 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.51 EUR
1500+2.26 EUR
3000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR60-25YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR60-25YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8117 pF @ 12 V
auf Bestellung 3668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.62 EUR
10+4.33 EUR
100+3.03 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR67-30YLEXNexperiaMOSFETs PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+3.75 EUR
100+3.39 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.49 EUR
1500+2.48 EUR
3000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR67-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
10+4.55 EUR
100+3.52 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR67-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.59 EUR
30+7.98 EUR
100+5.09 EUR
500+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR67-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR67-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.09 EUR
500+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-30YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4852 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-30YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-30YLHXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 300A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-30YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4852 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-30YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-40SSHJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.81 EUR
10+7.25 EUR
100+5.21 EUR
500+5.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-40SSHJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.46 EUR
10+8.35 EUR
50+6.58 EUR
100+6.01 EUR
500+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-40SSHJNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 425A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-40SSHJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-40YSNXNexperia USA Inc.Description: PSMNR70-40YSN/SOT1023/LFPAK56E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81Ohm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14307 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-40YSNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR70-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 810 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.5 EUR
39+6.01 EUR
100+4.01 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-40YSNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR70-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 810 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.5 EUR
39+6.01 EUR
100+4.01 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR70-40YSNXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 320A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR82-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10131 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.96 EUR
10+5.24 EUR
100+3.68 EUR
500+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR82-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.52 EUR
48+4.91 EUR
100+3.69 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR82-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10131 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR82-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.69 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR89-25YLEXNexperiaPSMNR89-25YLEX
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.68 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR89-25YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7452 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR89-25YLEXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 270A
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.61 EUR
100+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR89-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR89-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 224W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.17 EUR
30+7.75 EUR
100+4.93 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR89-25YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7452 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR89-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR89-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 224W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.93 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.5 EUR
10+4.83 EUR
100+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40SSHJNexperiaMOSFET 40V N-CHANNEL AMPS CONTX
auf Bestellung 4864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40SSHJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 375A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12888 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40SSHJNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 375A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
auf Bestellung 4782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+8.06 EUR
100+7.54 EUR
500+7.01 EUR
1000+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40SSHJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 375A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12888 pF @ 25 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
auf Bestellung 4315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.38 EUR
10+6.21 EUR
100+4.41 EUR
500+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
auf Bestellung 2907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.04 EUR
26+9.19 EUR
50+7.45 EUR
200+6.21 EUR
500+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.89 EUR
93+1.78 EUR
100+1.65 EUR
250+1.59 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.27 EUR
3000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YLHXNexperiaMOSFETs PSMNR90-40YLH/SOT1023/4 LEADS
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.33 EUR
10+4.11 EUR
100+2.89 EUR
500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
auf Bestellung 2907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.45 EUR
200+6.21 EUR
500+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.86 EUR
100+1.76 EUR
250+1.71 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YSNXNexperia USA Inc.Description: PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.86 EUR
50+2.95 EUR
100+2.67 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YSNXNexperiaMOSFETs PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 11414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+2.67 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
1500+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YSNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR90-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
55+4.22 EUR
100+2.81 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YSNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 320A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YSNXNexperia USA Inc.Description: PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YSNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 320A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-40YSNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR90-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 50 V, 0.90 MOHM, 410 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 50 V, 0.90 MOHM, 410 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHNexperiaMOSFET N-channel 50 V, 0.90 mOhm, 410 A logic level Application Specific MOSFET in LFPAK88
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+6.5 EUR
100+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
auf Bestellung 1562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.89 EUR
15+16.29 EUR
100+11.01 EUR
500+8.89 EUR
1000+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHAXNexperiaMOSFETs PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.77 EUR
10+7.06 EUR
100+5.28 EUR
500+4.41 EUR
1000+4.11 EUR
2000+3.81 EUR
4000+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
auf Bestellung 1562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.89 EUR
15+16.29 EUR
100+11.01 EUR
500+8.89 EUR
1000+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 50V 410A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHAXNexperia USA Inc.Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V
auf Bestellung 3316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.23 EUR
10+8.92 EUR
100+6.47 EUR
500+5.44 EUR
1000+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 50V 410A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-50SLHAXNexperia USA Inc.Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80ASENexperia SOT8000A N CHAN 80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80ASEJNexperia USA Inc.Description: PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80ASEJNexperiaMOSFETs PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80ASEJNexperia USA Inc.Description: PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80ASFNexperia SOT8000A N CHAN 80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80ASFJNexperia USA Inc.Description: PSMNR90-80ASF/SOT8000A/CCPAK12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 505A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 463 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32115 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80ASFJNexperiaMOSFETs PSMNR90-80ASF/SOT8000A/CCPAK12
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.49 EUR
10+12.07 EUR
100+11.71 EUR
1000+11.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80ASFJNexperia USA Inc.Description: PSMNR90-80ASF/SOT8000A/CCPAK12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 505A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 463 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32115 pF @ 40 V
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.85 EUR
10+15.12 EUR
50+12.26 EUR
100+11.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80CSFJNexperia USA Inc.Description: PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 505A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 463 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32115 pF @ 40 V
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.17 EUR
10+16.03 EUR
50+12.99 EUR
100+12.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR90-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 505 A, 900 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 505A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.56 EUR
10+24.53 EUR
13+17.84 EUR
50+15.66 EUR
100+14.86 EUR
250+12.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80CSFJNexperiaMOSFETs PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.49 EUR
10+14.88 EUR
100+11.71 EUR
1000+11.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80CSFJNexperia USA Inc.Description: PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 505A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 463 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32115 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+10.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR90-80CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR90-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 505 A, 900 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 505A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.53 EUR
13+17.84 EUR
50+15.66 EUR
100+14.86 EUR
250+12.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR98-25YLEXNexperiaPSMNR98-25YLEX
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.93 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR98-25YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6249 pF @ 12 V
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
100+2.12 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR98-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 192W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.75 EUR
35+6.82 EUR
100+4.34 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR98-25YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6249 pF @ 12 V
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMNR98-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 192W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.34 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.43 EUR
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PSMNR98-25YLEXNexperiaMOSFETs PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK
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1+5.09 EUR
10+2.51 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.61 EUR
3000+1.44 EUR
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PSMOM3724B-01
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PSMOM3724B-02
auf Bestellung 62 Stücke:
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PSMOM3724B-03
auf Bestellung 1000 Stücke:
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PSMOM3724B03GPS
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PSMOM3724B3GPS
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMP-FSBA-1000Amphenol RFConn PSMP Adapter 0Hz to 10GHz 50Ohm ST Panel Mount PL/PL Gold
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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PSMP-FSBA-1000Amphenol RFRF Adapters - In Series Plug/Plug Fml Cont. Bullet Adapter 10mm
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.08 EUR
10+33.21 EUR
25+31.14 EUR
40+29.65 EUR
120+27.86 EUR
280+25.8 EUR
520+24.84 EUR
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PSMP-FSBA-1000Amphenol RFConn PSMP Adapter 0Hz to 10GHz 50Ohm ST Panel Mount PL/PL Gold
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 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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PSMP-FSBA-1000AMPHENOL RFCategory: RF adapters
Description: Adapter; PSMP male,both sides; Insulation: PTFE; 50Ω; 10GHz
Type of transition: adapter
Cable/adapter structure: both sides; PSMP male
Insulator material: PTFE
Wave impedance: 50Ω
Body material: beryllium copper
Plating material: white bonze
Max. frequency: 10GHz
Connector variant: insulated
Operating temperature: -65...165°C
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 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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PSMP-FSBA-1000Amphenol RFDescription: COAX ADAPT PSMP TO PSMP
Packaging: Bulk
Impedance: 50 Ohms
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Style: Straight
Convert From (Adapter End): PSMP Plug, Female Socket
Convert To (Adapter End): PSMP Plug, Female Socket
Fastening Type: Snap-On, Snap-On
Adapter Series: PSMP to PSMP
Adapter Type: Plug to Plug
Center Gender: Female to Female
Conversion Type: Same Series
Center Contact Plating: Gold
Frequency - Max: 10 GHz
auf Bestellung 291 Stücke:
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1+39.73 EUR
10+33.77 EUR
25+31.65 EUR
50+30.14 EUR
120+28.35 EUR
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