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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.06 EUR
10+13.27 EUR
50+11.75 EUR
100+11.27 EUR
250+10.78 EUR
500+10.47 EUR
1000+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.78 EUR
19+8.91 EUR
25+8.53 EUR
50+8.12 EUR
100+7.03 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.14 EUR
10+9.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.94 EUR
10+13.74 EUR
100+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.53 EUR
14+12.02 EUR
25+10.71 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.59 EUR
10+14.55 EUR
120+12.1 EUR
510+10.78 EUR
1020+10.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.93 EUR
10+12.29 EUR
100+9.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.96 EUR
10+13.67 EUR
25+12.4 EUR
100+11.39 EUR
250+10.72 EUR
500+10.06 EUR
1000+9.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.17 EUR
10+21.44 EUR
120+17.86 EUR
510+15.92 EUR
1020+14.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.48 EUR
10+18.65 EUR
25+13.41 EUR
100+11.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Reverse recovery time: 24ns
Gate charge: 17.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 23A
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 97W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.29 EUR
11+22.55 EUR
12+19.11 EUR
50+18.72 EUR
100+18.34 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+31.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+10.29 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090D
Produktcode: 165992
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+11.42 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+31.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J
Produktcode: 126112
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 4242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.25 EUR
50+15.68 EUR
100+14.58 EUR
500+13.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.7 EUR
10+20.81 EUR
50+20.17 EUR
100+17.5 EUR
250+17.26 EUR
500+15.41 EUR
1000+15.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.54 EUR
15+11.96 EUR
25+11.58 EUR
50+9.53 EUR
100+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.54 EUR
15+11.7 EUR
25+11.15 EUR
50+9.03 EUR
100+8.63 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
auf Bestellung 2936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.28 EUR
10+15.23 EUR
25+15.21 EUR
50+15.18 EUR
100+15.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.62 EUR
10+17.21 EUR
100+13.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+13.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.19 EUR
10+25.03 EUR
50+20.71 EUR
100+19.31 EUR
500+18.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.51 EUR
10+28.74 EUR
25+27.96 EUR
50+26.31 EUR
100+24.75 EUR
250+23.98 EUR
500+22.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
auf Bestellung 385 Stücke:
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1+29.51 EUR
10+26.01 EUR
25+25.8 EUR
50+25.38 EUR
100+22.46 EUR
250+22.26 EUR
500+20.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.19 EUR
10+25.03 EUR
50+22.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.61 EUR
10+20.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+41.28 EUR
8+30.39 EUR
11+20.73 EUR
50+20.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeedN-Channel 1000 V 22A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-247-4L Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100K
Produktcode: 178240
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 1868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.19 EUR
30+21.9 EUR
60+20.31 EUR
120+18.98 EUR
510+18.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D
Produktcode: 167206
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.01 EUR
30+8.08 EUR
60+7.37 EUR
120+6.77 EUR
510+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Pulsed drain current: 34A
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.2 EUR
10+7.39 EUR
120+6.78 EUR
510+6.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.92 EUR
11+21.4 EUR
13+17.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.42 EUR
50+8.98 EUR
100+8.27 EUR
500+7.01 EUR
1000+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 256mΩ
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-263-7, Industrial
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.08 EUR
10+7.58 EUR
100+6.94 EUR
500+6.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JCREEN-Channel 1200V 17A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263-7 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+14.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+14.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+14.79 EUR
100+12.23 EUR
250+11.92 EUR
500+10.34 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.17 EUR
10+16.09 EUR
100+12.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.96 EUR
25+14.53 EUR
50+14.11 EUR
100+13.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+17.15 EUR
120+14.28 EUR
510+12.71 EUR
1020+10.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.64 EUR
25+13.99 EUR
50+13.36 EUR
100+12.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090D
Produktcode: 123313
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
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C3M0280090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
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C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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50+10.69 EUR
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C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.86 EUR
50+9.83 EUR
100+9.06 EUR
500+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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C3M0280090JWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
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1+17.7 EUR
10+9.73 EUR
100+8.96 EUR
500+8.46 EUR
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C3M0280090J
Produktcode: 118894
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Transistoren > MOSFET N-CH
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C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.11 EUR
16+15.2 EUR
22+9.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+17.62 EUR
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C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.83 EUR
10+9.29 EUR
25+9.28 EUR
100+8.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.33 EUR
10+12.55 EUR
100+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH