Produkte > SCT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SCT040HU65G3AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: HU3PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040HU65G3AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT040HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, HU3PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 221W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040HU65G3AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040HU65G3AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: HU3PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040HU65G3AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040TO65G3 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V Verlustleistung: 288W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040TO65G3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040TO65G3 | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 288W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: TOLL (HV) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 853 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040TO65G3 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040TO65G3 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 288W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040TO65G3 | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 288W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: TOLL (HV) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 853 pF @ 400 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W120G3 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W120G3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W120G3-4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W120G3-4 | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W120G3-4 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W120G3-4AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W120G3-4AG | STMicroelectronics | Description: TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040W120G3-4AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A | auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040W120G3-4AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040W120G3-4AG | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 179A Power dissipation: 312W Case: HIP247-4 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W120G3-4AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W120G3-4AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040W120G3-4AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040W120G3AG | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 179A Power dissipation: 312W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W120G3AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040W120G3AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W120G3AG | STMicroelectronics | Description: HIP-247 IN LINE HEAT SINK 2MM Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA Supplier Device Package: HiP247™ Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040W120G3AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040W65G3-4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040W65G3-4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W65G3-4 | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 400 V | auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040W65G3-4 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package | auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040W65G3-4AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package | auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040W65G3-4AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W65G3-4AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040W65G3-4AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040W65G3-4AG | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 240W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 37.5nC | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT040W65G3-4AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT040W65G3AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W65G3AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) HiP-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT040W65G3AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) HiP-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT048-SMA | Fairview Microwave Inc. | SCT048-SMA | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT048-SMA | Fairview Microwave | Description: CONN JACK SOLDER SMA Packaging: Bag Features: Mounting Hardware Connector Type: Jack, Female Socket Contact Termination: Solder Impedance: 50 Ohms Mounting Type: Board Edge, End Launch Fastening Type: Threaded Connector Style: SMA Housing Color: Silver Shield Termination: Screw Center Contact Material: Beryllium Copper Frequency - Max: 27 GHz Number of Ports: 1 | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT055H65G3-7 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT055H65G3AG | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT055H65G3AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT055H65G3AG | STMicroelectronics | Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 | auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT055HU65G3AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 185W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: HU3PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 721 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT055HU65G3AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT055HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 185W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT055HU65G3AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT055HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 185W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT055HU65G3AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT055HU65G3AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 185W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: HU3PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 721 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT055TO65G3 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package | auf Bestellung 1404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT055TO65G3 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT055TO65G3 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-LL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT055W65G3-4AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT055W65G3-4AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT055W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 210W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT055W65G3-4AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT055W65G3-4AG | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 210W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 210W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 32nC | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT055W65G3-4AG | STMicroelectronics | Description: TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 721 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT055W65G3-4AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT060HU75G3AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 185W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: HU3PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT060HU75G3AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 58 mOhm typ., 30 A | auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT060HU75G3AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 185W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: HU3PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT060HU75G3AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT060HU75G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 750 V, 0.078 ohm, HU3PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 185W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT070H120G3-7 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 234-238 Tag (e) |
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| SCT070H120G3-7 | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 Supplier Device Package: H2PAK-7 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT070H120G3-7 | STMicroelectronics | Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 Supplier Device Package: H2PAK-7 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT070H120G3AG | STMicroelectronics | Description: H2PAK-7 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Grade: Automotive Supplier Device Package: H2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT070H120G3AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT070H120G3AG | STMicroelectronics | Description: H2PAK-7 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Grade: Automotive Supplier Device Package: H2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT070H120G3AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 234-238 Tag (e) |
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| SCT070H120G3AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT070HU120G3AG | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 223W Case: HU3PAK Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT070HU120G3AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT070HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HU3PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT070HU120G3AG | STMicroelectronics | Description: HU3PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: HU3PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT070HU120G3AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT070HU120G3AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT070HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HU3PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT070HU120G3AG | STMicroelectronics | Description: HU3PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Supplier Device Package: HU3PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT070W120G3-4 | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Supplier Device Package: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT070W120G3-4AG | STMicroelectronics | Description: TO247-4 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT070W120G3-4AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT070W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 236W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT070W120G3-4AG | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package | auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT070W120G3AG | STMicroelectronics | Description: SIC MOSFET Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Grade: Automotive Supplier Device Package: HiP247™ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT070W120G3AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT070W120G3AG - SILICON CARBIDE POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT1/0-1/0 | Panduit | Terminals Copper Compr T Splice, Long Barrel | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT1/0-1/0 | Panduit Corp | Description: COPPER T SPLICE LONG BARREL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT1/0-1/0 | Panduit | Splice Terminal (1/0)-(1/0)AWG Seamless Copper 101.6mm Tin | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT1/0-1/0 | PANDUIT | Description: PANDUIT - SCT1/0-1/0 - Drahtspleiß, SCT, Crimp, 0 AWG, Abzweigspleiß Anschluss: Crimp Leiterquerschnitt CSA: - Isoliermaterial: - Leiterstärke (AWG), max.: 0 Leiterstärke (AWG), min.: - Klemmentyp: Abzweigspleiß Anschlussmaterial: Kupfer Isolatorfarbe: - Produktpalette: SCT SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT10-100 | Dwyer | Description: CURRENT TRANSDUCER, SPLIT CORE, Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT10-102 | Dwyer | Description: CURRENT TRANSDUCER, SPLIT CORE, Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT1000N170 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT1000N170 | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package | auf Bestellung 459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT1000N170 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT1000N170 | STMicroelectronics | Description: HIP247 IN LINE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 1000 V Supplier Device Package: HiP247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Vgs (Max): +22V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Part Status: Active | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCT1000N170 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SCT1000N170 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT1000N170 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W Case: HIP247™ Mounting: THT Drain-source voltage: 1.7kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -10...22V Kind of package: tube On-state resistance: 1.3Ω Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 96W Gate charge: 13.3nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 7A Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT1000N170 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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