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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCT040TO65G3STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.15 EUR
10+13.01 EUR
100+10.83 EUR
500+9.89 EUR
1800+9.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040TO65G3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.61 EUR
14+16.78 EUR
17+13.3 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040TO65G3STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 853 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040TO65G3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.61 EUR
14+16.78 EUR
17+13.3 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040TO65G3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040TO65G3STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 853 pF @ 400 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.25 EUR
10+16.24 EUR
100+12.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 179A
Power dissipation: 312W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+12.88 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+12.88 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.46 EUR
9+27.96 EUR
10+24.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.69 EUR
10+16.54 EUR
100+13.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+31.17 EUR
10+25.28 EUR
11+19.94 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.03 EUR
10+17.58 EUR
100+13.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3AGSTMicroelectronicsDescription: HIP-247 IN LINE HEAT SINK 2MM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.09 EUR
10+16.11 EUR
100+12.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 179A
Power dissipation: 312W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.39 EUR
11+21.91 EUR
15+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.07 EUR
10+17.99 EUR
100+14.99 EUR
600+13.36 EUR
1200+11.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3-4STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 400 V
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.23 EUR
30+11.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.03 EUR
30+10.81 EUR
120+9.52 EUR
510+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.92 EUR
10+25.2 EUR
11+20.86 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3-4AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.62 EUR
10+17.66 EUR
100+15.27 EUR
600+14.47 EUR
1200+12.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) HiP-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) HiP-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+11.23 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT048-SMAFairview MicrowaveDescription: CONN JACK SOLDER SMA
Packaging: Bag
Features: Mounting Hardware
Connector Type: Jack, Female Socket
Contact Termination: Solder
Impedance: 50 Ohms
Mounting Type: Board Edge, End Launch
Fastening Type: Threaded
Connector Style: SMA
Housing Color: Silver
Shield Termination: Screw
Center Contact Material: Beryllium Copper
Frequency - Max: 27 GHz
Number of Ports: 1
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+564.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT048-SMAFairview Microwave Inc.SCT048-SMA
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+546.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055H65G3-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055HU65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 721 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055HU65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.72 EUR
12+19.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055HU65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 721 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055HU65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.99 EUR
10+24.72 EUR
12+19.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055HU65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055TO65G3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.37 EUR
16+14.92 EUR
17+12.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055TO65G3STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055TO65G3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.37 EUR
16+14.92 EUR
17+12.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055W65G3-4AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+18.85 EUR
100+16.29 EUR
600+15.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055W65G3-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055W65G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 721 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT060HU75G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.85 EUR
10+15.95 EUR
100+13.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT060HU75G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 58 mOhm typ., 30 A
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.85 EUR
10+16.02 EUR
100+13.92 EUR
600+11.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT060HU75G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT060HU75G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 750 V, 0.078 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.87 EUR
9+27.01 EUR
11+20.84 EUR
50+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT060HU75G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Supplier Device Package: H2PAK-7
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)
1+21.52 EUR
10+18.93 EUR
25+18.46 EUR
50+17.41 EUR
100+16.4 EUR
250+16.01 EUR
1000+15.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Supplier Device Package: H2PAK-7
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3AGSTMicroelectronicsDescription: H2PAK-7
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.33 EUR
10+25.41 EUR
11+20.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)
1+27.81 EUR
10+20.47 EUR
25+20.12 EUR
50+19.52 EUR
100+16.78 EUR
250+16.48 EUR
500+15.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3AGSTMicroelectronicsDescription: H2PAK-7
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.41 EUR
11+20.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: HU3PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.23 EUR
10+18.35 EUR
100+15.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+21.79 EUR
50+21.36 EUR
100+20.91 EUR
250+20.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: HU3PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070HU120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.68 EUR
10+18.27 EUR
100+16.21 EUR
600+15.24 EUR
1200+13.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.81 EUR
9+27.96 EUR
10+21.79 EUR
50+21.36 EUR
100+20.91 EUR
250+20.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3-4STMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Supplier Device Package: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3-4AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.67 EUR
10+22.22 EUR
25+22.21 EUR
100+19.71 EUR
250+17.93 EUR
600+16.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.69 EUR
9+28.12 EUR
10+22.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070W120G3AG - SILICON CARBIDE POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.74 EUR
9+26.75 EUR
11+21.34 EUR
50+20.46 EUR
100+18.02 EUR
250+17.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3AGSTMicroelectronicsDescription: SIC MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: HiP247™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1/0-1/0PanduitSplice Terminal (1/0)-(1/0)AWG Seamless Copper 101.6mm Tin
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+160.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1/0-1/0Panduit CorpDescription: COPPER T SPLICE LONG BARREL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1/0-1/0PanduitTerminals Copper Compr T Splice, Long Barrel
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1/0-1/0PANDUITDescription: PANDUIT - SCT1/0-1/0 - Drahtspleiß, SCT, Crimp, 0 AWG, Abzweigspleiß
Anschluss: Crimp
Leiterquerschnitt CSA: -
Isoliermaterial: -
Leiterstärke (AWG), max.: 0
Leiterstärke (AWG), min.: -
Klemmentyp: Abzweigspleiß
Anschlussmaterial: Kupfer
Isolatorfarbe: -
Produktpalette: SCT
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10-100DwyerDescription: CURRENT TRANSDUCER, SPLIT CORE,
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10-102DwyerDescription: CURRENT TRANSDUCER, SPLIT CORE,
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170STMicroelectronicsDescription: HIP247 IN LINE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 1000 V
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.06 EUR
10+10.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.01 EUR
10+10.95 EUR
100+8.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
On-state resistance: 1.3Ω
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Gate charge: 13.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.25 EUR
9+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.06 EUR
13+17.52 EUR
50+17.24 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 7 A, 1.0 Ohm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1004T-470M
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1008CMT3R2GONSEMIDescription: ONSEMI - SCT1008CMT3R2G - 1 TMP DIO MON/SMBUS 4CH
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
299+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1008CMT3R2GON SemiconductorSCT1008CMT3R2G
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1008CMT3R2GON SemiconductorSCT1008CMT3R2G
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1008CMT3R2GON SemiconductorSCT1008CMT3R2G
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
10000+0.57 EUR
100000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1008CMT3R2GonsemiDescription: 1 TMP DIO MON/SMBUS 4CH
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 255000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
649+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1032T0.2A250VSETFUSECategory: SMD Fuses - Others
Description: Fuse: fuse; 200mA; 250VAC; time-lag; 10.3x3.2x3.2mm; SMD
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.2A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: time-lag
Fuse size: 10.3x3.2x3.2mm
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1032T0.315A250VSETFUSECategory: SMD Fuses - Others
Description: Fuse: fuse; 315mA; 250VAC; time-lag; 10.3x3.2x3.2mm; SMD
Current rating: 0.315A
Rated voltage: 250V AC
Type of fuse: fuse
Fuse characteristics: time-lag
Mounting: SMD
Fuse size: 10.3x3.2x3.2mm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1032T0.5A250VSETFUSECategory: SMD Fuses - Others
Description: Fuse: fuse; 500mA; 250VAC; time-lag; 10.3x3.2x3.2mm; SMD
Current rating: 0.5A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: time-lag
Mounting: SMD
Type of fuse: fuse
Fuse size: 10.3x3.2x3.2mm
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+0.56 EUR
170+0.5 EUR
195+0.45 EUR
220+0.39 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1032T0.63A250VSETFUSECategory: SMD Fuses - Others
Description: Fuse: fuse; 630mA; 250VAC; time-lag; 10.3x3.2x3.2mm; SMD
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.63A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: time-lag
Fuse size: 10.3x3.2x3.2mm
Mounting: SMD
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+0.56 EUR
175+0.5 EUR
195+0.44 EUR
220+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1032T1.25A250VSETFUSECategory: SMD Fuses - Others
Description: Fuse: fuse; 1.25A; 250VAC; time-lag; 10.3x3.2x3.2mm; SMD
Type of fuse: fuse
Current rating: 1.25A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: time-lag
Fuse size: 10.3x3.2x3.2mm
Mounting: SMD
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.45 EUR
215+0.4 EUR
240+0.36 EUR
275+0.31 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1032T1.6A250VSETsafe | SETfuseDescription: MINITURE FUSE
Voltage Rating - DC: 250 VDC
Voltage Rating - AC: 350 VAC
Part Status: Active
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100A AC, 30A DC
Approval Agency: CQC, cURus, TUV
Response Time: Slow Blow
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1.6A
Fuse Type: Board Mount
Size / Dimension: 0.409" L x 0.126" W x 0.126" H (10.40mm x 3.20mm x 3.20mm)
Package / Case: 2-SMD, Square End Block
Packaging: Bulk
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.42 EUR
50+1.93 EUR
100+1.64 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1 EUR
4000+0.89 EUR
6000+0.86 EUR
20000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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