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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQ4917CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2.08 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
83+2.81 EUR
135+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.59 EUR
120+1.43 EUR
129+1.31 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917CEY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 9578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
135+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.87 EUR
110+1.54 EUR
120+1.34 EUR
129+1.21 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
79+2.98 EUR
85+2.55 EUR
90+2.4 EUR
100+2.2 EUR
250+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.48 EUR
119+1.45 EUR
120+1.4 EUR
136+1.21 EUR
250+1.12 EUR
500+1.06 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
auf Bestellung 41589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+2.31 EUR
100+1.82 EUR
250+1.77 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+2.82 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.3 EUR
136+1.26 EUR
137+1.24 EUR
200+1.18 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.65 EUR
110+1.56 EUR
250+1.46 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.27 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.76 EUR
118+1.43 EUR
119+1.36 EUR
120+1.3 EUR
136+1.11 EUR
250+0.99 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.17 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET Automotive Dual P-Channel 60, SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.08 EUR
100+1.62 EUR
101+1.55 EUR
119+1.26 EUR
250+1.15 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 62467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.67 EUR
100+2.26 EUR
250+2.18 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.08 EUR
100+1.69 EUR
101+1.64 EUR
119+1.37 EUR
250+1.29 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4917EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4920CEY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4920EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4920EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4920EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
10+3.05 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4920EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4920EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4920EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual N-CHANNEL 30 V
auf Bestellung 2613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.64 EUR
5000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4920EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Power - Max: 4.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
auf Bestellung 5949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
10+3.05 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4920EY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 18809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
2500+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4920EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4920EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.39 EUR
5000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4936EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4937EY-T1/BE3VishayArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4937EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4937EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.25 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4937EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4937EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V
auf Bestellung 10853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+1 EUR
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4937EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4937EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4937EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 8302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4937EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4937EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.25 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4937EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.15 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
11+2.08 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.15 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.9 EUR
5000+0.84 EUR
7500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_BE3Vishay Siliconix2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 741 @ 20, Qg, нКл = 43 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 4, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual N-CHANNEL 40 V
auf Bestellung 6662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 5.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 29mΩ
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+1.18 EUR
82+1.05 EUR
91+0.94 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.31 EUR
137+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
11+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 5915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940AEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940CEY-T1/GE3VishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940CEY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
162+1.44 EUR
247+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940CEY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 3054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
162+1.44 EUR
247+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4940CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4942EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946AEY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946AEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946AEY-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CH 60V (D-S)
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SQ4946AEY-T1_BE3VishaySQ4946AEY-T1_BE3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946AEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946AEY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V 7A 4W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946AEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946AEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4946CEY-T1"GE3 - DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE 42AJ0901
tariffCode: 0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 12484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.83 EUR
159+1.46 EUR
208+1.04 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.68 EUR
10000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V 175C MOSFET
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.03 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.71 EUR
249+0.69 EUR
253+0.67 EUR
257+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.73 EUR
245+0.69 EUR
249+0.65 EUR
253+0.62 EUR
257+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
152+1.54 EUR
189+1.14 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 42829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
152+1.54 EUR
189+1.14 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4949DY-T1-E3
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4949EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4949EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.7 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4949EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4949EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.14 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4949EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.14 EUR
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4949EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.76 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4949EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 45414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.71 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4949EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
auf Bestellung 42500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4949EY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 31319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
2500+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4949EY-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.3A; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±30V
Case: SO8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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