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SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268

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1+	74.74 EUR

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MSC035SMA170S

Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET

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3+	70.01 EUR

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MSC035SMA170S

Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 20 Stücke:

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20+	107.77 EUR

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MSC040SMA120B

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3 Транзистори

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MSC040SMA120B

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247

auf Bestellung 169 Stücke:

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1+	43.65 EUR

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MSC040SMA120B

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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MSC040SMA120B

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

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30+	54.17 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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MSC040SMA120B

Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 323W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MSC040SMA120B

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	39.54 EUR
25+	37.53 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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MSC040SMA120B

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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MSC040SMA120B

Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 323W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	44.48 EUR

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MSC040SMA120B

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A Tube

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	42.09 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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MSC040SMA120B4

1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	39.08 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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MSC040SMA120B4

1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

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Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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MSC040SMA120B4

1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	37.39 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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MSC040SMA120B4

Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 323W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube

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MSC040SMA120B4

1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

auf Bestellung 134 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	30.34 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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MSC040SMA120B4

1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

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Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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MSC040SMA120B4

1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

auf Bestellung 82 Stücke:

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6+	33.67 EUR
10+	30.69 EUR
30+	29.29 EUR
60+	27.96 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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MSC040SMA120B4

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	31.46 EUR

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MSC040SMA120B4

1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	49.09 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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MSC040SMA120B4

Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	40.78 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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MSC040SMA120B4N

N-Channel MOSFET

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Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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MSC040SMA120B4N

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	31.88 EUR

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MSC040SMA120B4N

Description: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 372W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1962 pF @ 1000 V

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	32.49 EUR
25+	29.96 EUR

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MSC040SMA120D/S

Description: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM DIE
Packaging: Bulk

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MSC040SMA120D/T

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm DIE TAPE & REEL

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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MSC040SMA120J

Description: SICFET N-CH 1200V 53A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	74.79 EUR
25+	68.95 EUR
100+	56.36 EUR

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MSC040SMA120J

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	88.46 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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MSC040SMA120J

MOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	73.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMA120J

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMA120S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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MSC040SMA120S

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	45.3 EUR
10+	41.78 EUR
30+	39.58 EUR
120+	35.27 EUR

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MSC040SMA120S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	56.26 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMA120S

Description: SICFET N-CH 1200V 64A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 303W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	46.16 EUR

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MSC040SMA120S/TR

Description: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 400 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMA120S/TR

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268, TAPE & REEL

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 400 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMA120S/TR

Description: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	47.87 EUR
25+	44.15 EUR
100+	43.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMA120SCT/R

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm PSMT

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMA120SDT/R

Description: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1962 pF @ 1000 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMA120SDT/R

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7 XL

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMA120SDT/RM

MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7L-XL

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMB120B

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMB120B4N

Description: MICROCHIP - MSC040SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 256W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	20.69 EUR
25+	18.47 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMB120B4N

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMB120Q

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm, QDPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMB120QT/R

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm, QDPAK, Full Reel

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMB120SDT/R

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7 XL Full Reel

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC040SMB120SDT/RM

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7 XL Mini Reel

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC045SMA170B

Microchip / Microsemi

MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC045SMA170S

Microchip / Microsemi

MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC045SMB120B4N

Description: MICROCHIP - MSC045SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	19.15 EUR
25+	17.1 EUR
100+	15.15 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC045SMB120B4N

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.01 EUR
30+	14.74 EUR
120+	12.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC050SDA070B

Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	19.34 EUR
30+	17.42 EUR
120+	15.04 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC050SDA070B

Description: DIODE SIL CARBIDE 700V 50A TO247
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.13 EUR
25+	20.42 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC050SDA070B

Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	19.34 EUR
30+	17.04 EUR
120+	14.48 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC050SDA070B

Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode

auf Bestellung 40 Stücke:

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MSC050SDA070B

SiC Schottky Diodes 700 V, 50 A SiC SBD

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MSC050SDA070B

Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode

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MSC050SDA070B

Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode

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MSC050SDA070B

Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode

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MSC050SDA070B

Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode

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MSC050SDA070BCT

Description: DIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2034pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 88A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V

auf Bestellung 124 Stücke:

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2+	20.63 EUR
25+	19.03 EUR
100+	16.55 EUR

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MSC050SDA070BCT

Microchip / Microsemi

Schottky Diodes & Rectifiers SIC SBD 700 V 50 A TO-247

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MSC050SDA070S

Description: DIODE SIL CARBIDE 700V 88A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2034pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 88A
Supplier Device Package: D3Pak
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V

auf Bestellung 66 Stücke:

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2+	12.02 EUR
25+	11.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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MSC050SDA070S

Rectifier Diode Schottky SiC 700V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-268 Tube

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9+	21.05 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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MSC050SDA070S

SiC Schottky Diodes 700V, 50A SiC SBD

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30+	21.72 EUR
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MSC050SDA120B

SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247

auf Bestellung 178 Stücke:

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1+	30.48 EUR
30+	28.11 EUR
120+	24.47 EUR

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MSC050SDA120B

Description: DIODE SIC 1.2KV 109A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

auf Bestellung 43 Stücke:

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1+	33.53 EUR
25+	30.93 EUR

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MSC050SDA120BCT

Description: DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

auf Bestellung 123 Stücke:

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1+	58.87 EUR
25+	54.28 EUR
100+	47.24 EUR

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MSC050SDA120BCT

SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247

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30+	60.19 EUR
120+	52.38 EUR

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MSC050SDA120S

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A D3PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

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1+	35.39 EUR
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MSC050SDA120S

SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-268

auf Bestellung 19 Stücke:

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1+	34.77 EUR
30+	32.07 EUR
120+	27.92 EUR

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MSC050SDA170B

Description: DIODE SIC 1.7KV 136A TO247-3
Capacitance @ Vr, F: 4450pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 136A

auf Bestellung 30 Stücke:

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1+	84.44 EUR
25+	77.86 EUR

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MSC050SDA170B

Description: MICROCHIP - MSC050SDA170B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 50 A, 410 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 410nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 15 Stücke:

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3+	92.31 EUR

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MSC050SDA170B

SiC Schottky Diodes SIC SBD 1700 V 50 A TO-247

auf Bestellung 376 Stücke:

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1+	76.74 EUR

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MSC050SDA170B

Diode Schottky SiC 1.7KV 136A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	92.5 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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MSC060SMA070B

Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	21.85 EUR
60+	20 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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MSC060SMA070B

Description: SICFET N-CH 700V 39A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.25 EUR
25+	9.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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MSC060SMA070B

Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	31.46 EUR
10+	28.19 EUR
25+	25.92 EUR
50+	14.27 EUR
100+	13.32 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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MSC060SMA070B

SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.06 EUR

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MSC060SMA070B

Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	21.93 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070B

Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	15.71 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070B

Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

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MSC060SMA070B4

Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	22.54 EUR
60+	20.71 EUR
120+	19.14 EUR
180+	17.85 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070B4

SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.79 EUR

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MSC060SMA070B4

Description: MICROCHIP - MSC060SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 700 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	23.29 EUR
25+	19.96 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070B4

Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	16.15 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070B4

Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070B4

Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	17.22 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070B4

Description: TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.02 EUR
25+	11.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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MSC060SMA070B4

Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	16.15 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070B4N

Description: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-247-

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.52 EUR
25+	9.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070B4N

SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4 Notch

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.33 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070D/T

Description: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM DIE TAP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070D/T

SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm DIE TAPE & REEL

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070S

Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	17.89 EUR
11+	16.48 EUR
30+	14.26 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070S

MSC060SMA070S

auf Bestellung 212 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	18.35 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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MSC060SMA070S

Description: SICFET N-CH 700V 37A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.1 EUR
25+	10.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSC060SMA070S