Produkte > msc

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MSC035SMA170B4Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.34 EUR
25+69.46 EUR
100+60.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC035SMA170B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+77.8 EUR
10+75.01 EUR
25+66.6 EUR
100+61.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC035SMA170SMicrochipMOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268 Силові MOSFET-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC035SMA170SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+82.87 EUR
25+76.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC035SMA170SMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+109 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC035SMA170SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC035SMA170SMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+70.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120BMicrosemiTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+42.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120BMicrosemiSICFET N-CH 1200V 66A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC040SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 323W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+54.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 323W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.69 EUR
25+44.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+40 EUR
25+37.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+34.06 EUR
10+31.05 EUR
30+29.62 EUR
60+28.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+49.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+39.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 323W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.1 EUR
25+32.37 EUR
100+28.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+30.7 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 372W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1962 pF @ 1000 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.56 EUR
25+32.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4NMicrochip TechnologyN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120D/SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM DIE
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm DIE TAPE & REEL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120JMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 53A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.51 EUR
25+66.85 EUR
100+54.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+89.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120SMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+56.91 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120SMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.3 EUR
10+41.78 EUR
30+39.58 EUR
120+35.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120SMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1200V 64A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 303W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120S/TRMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268, TAPE & REEL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120S/TRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.41 EUR
25+48.33 EUR
100+42.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120S/TRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120SCT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm PSMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7 XL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1962 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMA120SDT/RMMicrochip Technology MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7L-XL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMB120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMB120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC040SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 256W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMB120QMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm, QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMB120QT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm, QDPAK, Full Reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMB120SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7 XL Full Reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC040SMB120SDT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-263-7 XL Mini Reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC045SMA170BMicrochip / MicrosemiMOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC045SMA170SMicrochip / MicrosemiMOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC045SMB120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.01 EUR
30+14.74 EUR
120+12.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC045SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC045SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.9 EUR
60+20.56 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARBIDE 700V 50A TO247
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.13 EUR
25+20.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.56 EUR
30+17.62 EUR
120+15.21 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.56 EUR
30+17.24 EUR
120+14.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes 700 V, 50 A SiC SBD
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.16 EUR
10+20.5 EUR
30+18.05 EUR
120+17.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070BCTMicrochip / MicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers SIC SBD 700 V 50 A TO-247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070BCTMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2034pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 88A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.63 EUR
25+19.03 EUR
100+16.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070SMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes 700V, 50A SiC SBD
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.54 EUR
30+21.72 EUR
120+18.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070SMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARBIDE 700V 88A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2034pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 88A
Supplier Device Package: D3Pak
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.02 EUR
25+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA070SMicrosemiRectifier Diode Schottky SiC 700V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-268 Tube
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA120BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIC 1.2KV 109A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.53 EUR
25+30.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA120BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.48 EUR
30+28.11 EUR
120+24.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA120BCTMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.28 EUR
30+60.19 EUR
120+52.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA120BCTMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.87 EUR
25+54.28 EUR
100+47.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA120SMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A D3PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.39 EUR
25+32.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA120SMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.77 EUR
30+32.07 EUR
120+27.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA170BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC050SDA170B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 50 A, 410 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 410nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA170BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1700 V 50 A TO-247
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA170BMicrochip TechnologyDiode Schottky SiC 1.7KV 136A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+93.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC050SDA170BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIC 1.7KV 136A TO247-3
Capacitance @ Vr, F: 4450pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 136A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.44 EUR
25+77.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.89 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V 39A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.01 EUR
25+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.1 EUR
60+20.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+31.82 EUR
10+28.51 EUR
25+26.22 EUR
50+14.43 EUR
100+13.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyDescription: TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.75 EUR
25+10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+17.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.8 EUR
60+20.94 EUR
120+19.35 EUR
180+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.79 EUR
10+10.86 EUR
120+9.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC060SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 700 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-247-
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.28 EUR
25+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070D/TMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 60 MOHM DIE TAP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC060SMA070D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm DIE TAPE & REEL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24  [ Nächste Seite >> ]