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IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon

MOSFET N-Channel 40 V 430A (Tj) 179W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-43 Транзистори

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L005ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L006ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.25 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5106 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.31 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L006ATMA1

INFINEON

auf Bestellung 4075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.38 EUR
77+	3.03 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 4710 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.28 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.68 EUR
2500+	1.67 EUR
5000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L009ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm

auf Bestellung 1060 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.2 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 6361 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.34 EUR
5000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4005 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.88 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L009ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 910 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm

auf Bestellung 1060 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	5.9 EUR
67+	3.5 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5704 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.14 EUR
10+	1.39 EUR
100+	1.15 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.06 EUR
2500+	1.01 EUR
5000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L011ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1130 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1130µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4449 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.55 EUR
143+	1.63 EUR
179+	1.2 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.13mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.31 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L011ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1130 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1130µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4449 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

99+	2.55 EUR
143+	1.63 EUR
179+	1.2 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 99 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L014ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1430 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm

auf Bestellung 323 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.34 EUR
91+	2.57 EUR
136+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L014ATMA1

Infineon Technologies

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 5362 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.25 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.88 EUR
2500+	0.86 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L014ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1430 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm

auf Bestellung 323 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.57 EUR
136+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4518 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.98 EUR
12+	1.88 EUR
100+	1.26 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.9 EUR
2000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

211+	0.83 EUR
219+	0.79 EUR
225+	0.75 EUR
250+	0.7 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 211 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	2.14 EUR
163+	1.43 EUR
182+	1.18 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 117 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1
Produktcode: 213823

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Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	0.96 EUR
211+	0.8 EUR
219+	0.74 EUR
225+	0.69 EUR
250+	0.64 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 181 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L019ATMA1

INFINEON

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	2.14 EUR
163+	1.43 EUR
182+	1.18 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 117 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L023HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2518pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.78 EUR
11+	2.03 EUR
25+	1.84 EUR
100+	1.64 EUR
250+	1.55 EUR
500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L023HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2518pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L023HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

auf Bestellung 5696 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.81 EUR
10+	1.87 EUR
500+	1.83 EUR
10000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L025AHATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj), 65A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2518pF @ 20V, 915pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V, 5.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V, 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 25µA, 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.89 EUR
10+	2.11 EUR
25+	1.9 EUR
100+	1.69 EUR
250+	1.58 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L025AHATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

auf Bestellung 5880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.49 EUR
10+	1.64 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.26 EUR
2500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L025AHATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj), 65A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2518pF @ 20V, 915pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 50A, 10V, 5.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V, 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 25µA, 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L028ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5751 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.67 EUR
13+	1.67 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.79 EUR
2000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L028ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L028ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 6691 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.2 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.68 EUR
2500+	0.65 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L037HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.78mOhm @ 45A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L037HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

auf Bestellung 620 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.12 EUR
10+	1.39 EUR
100+	1.15 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.06 EUR
2500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L037HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.78mOhm @ 45A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.2 EUR
14+	1.58 EUR
25+	1.43 EUR
100+	1.26 EUR
250+	1.19 EUR
500+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L042GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

auf Bestellung 1729 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.01 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.82 EUR
2500+	0.76 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L050HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L050HATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 5289 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.16 EUR
10+	2.62 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.21 EUR
2500+	1.11 EUR
5000+	1.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L050HATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.04mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.53 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.09 EUR
2000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.34mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8892 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.44 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.05 EUR
2000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2869 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	3.77 EUR
105+	2.21 EUR
157+	1.37 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 748 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.64 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.88 EUR
2500+	0.83 EUR
5000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.34mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2869 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.77 EUR
105+	2.21 EUR
157+	1.37 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DAUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	2.98 EUR
125+	1.86 EUR
170+	1.26 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7L053DAUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.98 EUR
125+	1.86 EUR
170+	1.26 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.39 EUR
10+	4.84 EUR
100+	3.39 EUR
500+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N004ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N004ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.37 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.44mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11310 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IAUCN04S7N004ATMA1

INFINEON

auf Bestellung 1977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.07 EUR
46+	5.15 EUR
100+	3.37 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

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IAUCN04S7N004ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N005ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	6.05 EUR
61+	3.86 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1103 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.9 EUR
10+	3.84 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 7467 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.49 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.39 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.94 EUR
2500+	1.88 EUR
5000+	1.71 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N005ATMA1

INFINEON

auf Bestellung 3826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.59 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N005ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 17008 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.36 EUR
10+	2.51 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.63 EUR
2500+	1.58 EUR
5000+	1.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.33 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.86 EUR
5000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.4 EUR
10+	3.5 EUR
100+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006ATMA1

INFINEON

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.34 EUR
77+	3.02 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.86 EUR
5000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006TATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

auf Bestellung 282 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.39 EUR
10+	4.19 EUR
100+	3.28 EUR
500+	2.75 EUR
1000+	2.56 EUR
2000+	2.15 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N006TATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN04S7N006TATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 33334 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.14 EUR
10+	2.65 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.32 EUR
2000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N009ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm

auf Bestellung 1101 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	6.07 EUR
64+	3.64 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 14895 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.39 EUR
10+	1.7 EUR
25+	1.67 EUR
100+	1.45 EUR
250+	1.44 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N009ATMA1

Infineon Technologies

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.11 EUR
10000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N009ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm

auf Bestellung 1101 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.31 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N010GATMA1

Infineon Technologies

Description: IAUCN04S7N010GATMA1
Packaging: Tray
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-THSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.66 EUR
10+	3.01 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N010GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

auf Bestellung 375 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.11 EUR
10+	2.62 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.27 EUR
2500+	1.25 EUR
5000+	1.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N012ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	5.95 EUR
77+	3.03 EUR
113+	1.9 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N012ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 9053 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	1.7 EUR
100+	1.51 EUR
250+	1.42 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.31 EUR
2000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N012ATMA1

INFINEON

auf Bestellung 3945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.03 EUR
113+	1.9 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.8 EUR
10+	2.42 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.18 EUR
2000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 22574 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.42 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.96 EUR
2500+	0.95 EUR
5000+	0.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N015ATMA1

Infineon Technologies

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N015ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1530 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1530µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1909 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.76 EUR
127+	1.7 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N015ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1530 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1530µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1909 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	4.65 EUR
85+	2.76 EUR
127+	1.7 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

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IAUCN04S7N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.98 EUR
12+	1.88 EUR
100+	1.26 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.9 EUR
2000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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IAUCN04S7N015GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

auf Bestellung 1736 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.77 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.09 EUR
2500+	1.06 EUR
5000+	0.89 EUR

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IAUCN04S7N019DATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1508 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	7.04 EUR
55+	4.22 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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IAUCN04S7N019DATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 7472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.32 EUR
10+	3.44 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.82 EUR
2500+	1.78 EUR
5000+	1.74 EUR

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IAUCN04S7N019DATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1508 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.7 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUCN04S7N019GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

auf Bestellung 1743 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.28 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.95 EUR
2500+	0.92 EUR
5000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5135 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.08 EUR
11+	1.95 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.93 EUR
2000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IAUCN04S7N020ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 851 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.9 EUR
82+	2.86 EUR
124+	1.74 EUR
500+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

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IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

auf Bestellung 985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.39 EUR
10+	1.96 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.07 EUR
2000+	1 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N020ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 851 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.86 EUR
124+	1.74 EUR
500+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUCN04S7N020ATMA1

Infineon Technologies

Automotive MOSFET

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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