Produkte > STG
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| STGB25N36LZAG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Description: IGBT 435V 25A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 26 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Description: IGBT 435V 25A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 26 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB30H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 105 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DF | STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A | auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT | auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A | auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | auf Bestellung 811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB30H60DLFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 260W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/146ns Switching Energy: 393µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/146ns Switching Energy: 393µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 260W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 5V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/320ns Switching Energy: 600µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 5V Gate Charge: 110 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 5V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/320ns Switching Energy: 600µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 5V Gate Charge: 110 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB30H65DFB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 167W euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package | auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 167 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H65DFB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 167 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30H65FB | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 258 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263 Power - Max: 258 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Part Status: Active Gate Charge: 80 nC Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB30NC60KT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 60A 185W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 185 W Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 96 nC Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 350µJ (on), 435µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 29ns/120ns Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30NC60WT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 60A 200W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 200 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 258 W | auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB30V60DF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30V60DF - IGBT, 60 A, 1.85 V, 258 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Verlustleistung: 258W SVHC: No SVHC (05-Nov-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 258 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB30V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB30V60F | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 610-614 Tag (e) |
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| STGB35N35LZ-1 | STMicroelectronics | Description: IGBT 345V 40A TO-262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 15A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/26.5µs Test Condition: 300V, 15A, 5V Gate Charge: 49 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 345 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 176 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 345V 40A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 15A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/26.5µs Test Condition: 300V, 15A, 5V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 345 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 176 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB3HF60HD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 7.5A D2PAK Power - Max: 38 W Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 12 nC Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB3NB60FDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 6A 68W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns Switching Energy: 125µJ (off) Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 16 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 68 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB3NB60HD | ST | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STGB3NB60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 10A 50W D2PAK Power - Max: 50 W Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 14 nC Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 30µJ (on), 58µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 14ns/33ns Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Input Type: Standard Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB3NB60SDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 6A 70W D2PAK Power - Max: 70 W Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 18 nC Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V Switching Energy: 1.15mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 125ns/3.4µs Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs Input Type: Standard Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB3NB60SDT4 | ST | TO-263 | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | IGBTs IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB3NC120HDT4 - IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 14A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 14A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off) Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 14A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off) Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STM | IGBT 1200V 14A 75W D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 7A Power dissipation: 75W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB40H65FB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB40H65FB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 283W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB40H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | auf Bestellung 1075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB40H65FB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB40H65FB | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed | auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB40H65FB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 283W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB40H65FB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB40H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB40V60F | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench V Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB40V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB40V60F | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB40V60F | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench V Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB40V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB4M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 133 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 15.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A Power - Max: 68 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB4M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB50H65FB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STGB50H65FB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 86A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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