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NXPNXP
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NXP P89LPC936FDHNXP
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NXP ICODE SLIX2-DYMOLUX IDentHF-Label 34x17mm, Pitch 32mm, NXP ICODE SLIX2-DYMO
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NXP(PHILIPS)
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NXP3875GRNEXPERIANXP3875GR NPN SMD transistors
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NXP3875GRNEXPERIATrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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NXP3875GRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2915 Stücke:
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44+0.40 EUR
72+0.25 EUR
116+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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NXP3875GRNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875G/SOT23/TO-236AB
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9+0.33 EUR
13+0.22 EUR
100+0.10 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NXP3875YRNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875Y/SOT23/TO-236AB
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11+0.26 EUR
16+0.18 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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44+0.40 EUR
72+0.25 EUR
116+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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NXP3875YRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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NXP3875YVLNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875Y/SOT23/TO-236AB
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NXP6517EL1/139/1A
auf Bestellung 434 Stücke:
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NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
auf Bestellung 15 Stücke:
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3+48.32 EUR
5+45.11 EUR
10+42.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
auf Bestellung 7 Stücke:
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1+164.61 EUR
5+147.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPD1000OmronPower Supply
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NXPD1000OmronPower Supply
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1+257.88 EUR
5+230.70 EUR
10+212.96 EUR
25+199.28 EUR
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NXPESD-PROMOKITNXP SemiconductorsDescription: KIT PROMO ESD PROTECT DIODES
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NXPESD1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
auf Bestellung 1 Stücke:
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NXPESD2-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
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NXPLOGIC1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT LOGIC 10EA OF 17 VAL
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NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsNXPLQSC106506Q THT Schottky diodes
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NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC106506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
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NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC10650/TO-220AC/STANDARD
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NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
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NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
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NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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NXPLQSC20650W6QWeenNXPLQSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
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NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
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NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
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NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
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NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
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NXPLQSC30650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPLQSC30650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 30 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPLQSC30650WQNXP SemiconductorsNXPLQSC30650WQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPLQSC30650WQWeenNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPMC68040FE33ACypress Semiconductor CorpDescription: MC680MICROPROCESSO32-BIHCMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NXPMOSFET-DESIGNKITNXP USA Inc.Description: KIT DESIGN MOSFET LFPAK
Packaging: Box
Mounting Type: Surface Mount
Quantity: 180 Pieces (18 Values - 10 Each)
Kit Type: MOSFETs
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPPICMG/4USYSTEM-OSPArrowCCP54-NXPPICMG/4USystem
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPPICMG/4USYSTEM-OSP-RPRArrowRepair BOM
Produkt ist nicht verfügbar
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NXPS20H100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
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NXPS20H100C,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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NXPS20H100C,127NXP USA Inc.Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
auf Bestellung 3832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
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NXPS20H100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20H100CX,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20H100CX,127NXP USA Inc.Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 mA @ 100 V
auf Bestellung 161788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1066+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1066
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20H110C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20H110C,127WeenRectifier Diode Schottky 110V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20H110C,127NXP USA Inc.Description: DIODE ARR SCHOT 110V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 110 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 110 V
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1066+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1066
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20S100C,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20S100CX,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS20S110C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 110V SIL3P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPS2P33Lattice SemiconductorMPEG TS Serial to Parallel Converter ASIC 48pin TQFP*
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC046506QWeenNXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC046506QNexperiaNXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
auf Bestellung 20200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.77 EUR
50+2.59 EUR
100+2.36 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 2886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+2.69 EUR
100+2.15 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.43 EUR
5000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650BWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650BWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
19+3.76 EUR
52+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.89 EUR
10+3.36 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.93 EUR
1600+1.90 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650BJNXP SemiconductorsNXPSC04650BJ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650B/D2PAK/STANDARD M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
auf Bestellung 16439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.79 EUR
10+4.30 EUR
100+3.45 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650QWeenDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
auf Bestellung 2826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.77 EUR
50+2.59 EUR
100+2.36 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650XQNXP SemiconductorsNXPSC04650XQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC04650XQWeenNXPSC04650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC066506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsNXPSC066506Q THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.21 EUR
10+5.58 EUR
100+4.58 EUR
500+3.90 EUR
1000+3.29 EUR
2000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC06650B6J SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+4.10 EUR
1600+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC06650B6JWeenNXPSC06650B6/D2PAK/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.53 EUR
10+5.87 EUR
100+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
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NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
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NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
auf Bestellung 6834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.32 EUR
10+5.68 EUR
100+4.65 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsNXPSC06650D6J SMD Schottky diodes
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NXPSC06650DJWeenNXPSC06650DJ/DPAK/REEL 13\"" Q1/T1
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NXPSC06650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
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NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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NXPSC06650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.97 EUR
10+5.35 EUR
100+4.39 EUR
500+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NXPSC06650QWeenRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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NXPSC06650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
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NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsNXPSC06650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.60 EUR
10+5.93 EUR
100+4.86 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NXPSC06650XQWeenNXPSC06650XQ/TO220F-2L
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NXPSC06650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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NXPSC06650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650XQ/TO220F-2L
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NXPSC08650WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650/TO-220AC/STANDARD M
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NXPSC086506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.44 EUR
10+6.25 EUR
100+5.06 EUR
500+4.50 EUR
1000+3.85 EUR
2000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NXPSC086506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC086506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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NXPSC086506QWeEn SemiconductorsNXPSC086506Q THT Schottky diodes
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NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
auf Bestellung 3160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.53 EUR
10+6.33 EUR
100+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B6/D2PAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC08650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+4.55 EUR
1600+3.90 EUR
2400+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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NXPSC08650BJNXP SemiconductorsNXPSC08650BJ
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NXPSC08650BJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: -nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC08650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
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NXPSC08650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M
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NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
auf Bestellung 7184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.36 EUR
10+6.17 EUR
100+4.99 EUR
500+4.44 EUR
1000+3.80 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsNXPSC08650D6J SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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NXPSC08650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC08650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC08650DJWeenNXPSC08650DJ/DPAK/REEL 13\"" Q1/T1
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NXPSC08650DJNXP SemiconductorsNXPSC08650DJ
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NXPSC08650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NXPSC08650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC08650QWeenRectifier Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC08650QWeEn SemiconductorsRectifiers Silicon Carbide Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC08650X6QWeEn SemiconductorsNXPSC08650X6Q THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC08650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
auf Bestellung 2926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.44 EUR
10+6.25 EUR
100+5.06 EUR
500+4.50 EUR
1000+3.85 EUR
2000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NXPSC08650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC08650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC08650XQNXP SemiconductorsNXPSC08650XQ
Produkt ist nicht verfügbar
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NXPSC106506QWeEn SemiconductorsNXPSC106506Q THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC106506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC106506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC106506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.45 EUR
50+5.39 EUR
100+4.98 EUR
500+4.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.75 EUR
10+6.87 EUR
100+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC10650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC10650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650B6/D2PAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC10650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC10650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC10650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NXPSC10650B6JWeenNXPSC10650B6/D2PAK/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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NXPSC10650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited934070005118
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NXPSC10650BJWeEn SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching NXPSC10650B/D2PAK/STANDARD M
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NXPSC10650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
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NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsNXPSC10650D6J SMD Schottky diodes
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NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
auf Bestellung 9704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.38 EUR
10+6.59 EUR
100+4.94 EUR
500+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NXPSC10650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
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NXPSC10650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
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NXPSC10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.78 EUR
10+6.15 EUR
100+4.60 EUR
500+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NXPSC10650QWeenRectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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NXPSC10650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
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NXPSC10650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
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NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsNXPSC10650X6Q THT Schottky diodes
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NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.70 EUR
10+6.82 EUR
100+5.11 EUR
500+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NXPSC10650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
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NXPSC10650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
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NXPSC126506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC126506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NXPSC126506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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NXPSC126506QWeEn SemiconductorsNXPSC126506Q THT Schottky diodes
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NXPSC126506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.01 EUR
10+8.41 EUR
100+6.80 EUR
500+6.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
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NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC12650B6J SMD Schottky diodes
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NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
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NXPSC166506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
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NXPSC166506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.31 EUR
50+5.95 EUR
100+5.51 EUR
500+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC166506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 26 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC16650B6JWeenNXPSC16650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC16650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
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NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
auf Bestellung 3211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.41 EUR
10+12.12 EUR
100+10.03 EUR
500+8.74 EUR
1000+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC206506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC20650QWeEn SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching NXPSC20650/TO-220AC/STANDARD M
Produkt ist nicht verfügbar
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NXPSC20650W-AQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W-AQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Silicon Carbide Schottky Diode
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.63 EUR
10+11.04 EUR
100+11.02 EUR
480+8.87 EUR
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NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
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NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
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NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.35 EUR
10+10.53 EUR
240+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NXPSC20650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NXPSC20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
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NXPSC20650WQWeenNXPSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
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NXPSC20650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
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