Produkte > XP2
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| XP2 | Saia-Burgess | Standard Clock Oscillators 1.0GHz +2.5V LVPECL Oscillator 7.0X5.0 mm +/-50 ppm -40 +85C | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2-1-1-6-1 | Exeltech | Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT Packaging: Box Voltage - Output: 120VAC Voltage - Input: 12VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm) Connector - AC Output: NEMA 5-15R Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 250 W Power - Output Surge: 300 W | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2-1-2-6-1 | Exeltech | Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT Packaging: Box Voltage - Output: 120VAC Voltage - Input: 24VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm) Connector - AC Output: NEMA 5-15R Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 250 W Power - Output Surge: 300 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2-1-4-6-1 | Exeltech | Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT Packaging: Box Voltage - Output: 120VAC Voltage - Input: 48VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm) Connector - AC Output: NEMA 5-15R Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 250 W Power - Output Surge: 300 W | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2-1-E-6-1 | Exeltech | Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT Packaging: Box Voltage - Output: 120VAC Voltage - Input: 66VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm) Connector - AC Output: NEMA 5-15R Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 250 W Power - Output Surge: 300 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2-1-I-6-1 | Exeltech | Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT Packaging: Box Voltage - Output: 120VAC Voltage - Input: 108VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm) Connector - AC Output: NEMA 5-15R Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 250 W Power - Output Surge: 300 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2-3-1-5-1 | Exeltech | Description: INVERTER 250WATT 230VAC 12VDC Packaging: Box Voltage - Output: 230VAC Voltage - Input: 12VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm) Connector - AC Output: IEC 320-C13 Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 250 W Power - Output Surge: 300 W | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2-3-2-5-1 | Exeltech | Description: INVERTER 250WATT 230VAC 24VDC Packaging: Box Voltage - Output: 230VAC Voltage - Input: 24VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm) Connector - AC Output: IEC 320-C13 Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 250 W Power - Output Surge: 300 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2-3-4-5-1 | Exeltech | Description: INVERTER 250WATT 230VAC 48VDC Packaging: Box Voltage - Output: 230VAC Voltage - Input: 48VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm) Connector - AC Output: IEC 320-C13 Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 250 W Power - Output Surge: 300 W | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2-3-I-5-1 | Exeltech | Description: INVERTER 250WATT 230VAC 108VDC Packaging: Box Voltage - Output: 230VAC Voltage - Input: 108VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm) Connector - AC Output: IEC 320-C13 Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 250 W Power - Output Surge: 300 W | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP200021168 | 3M Electronic Specialty | Adhesive Tapes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP200023370 | 3M Interconnect Solutions | 8F36-AAB105-0.50 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP201-0005 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2010005 | XPEED | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| XP202A0003MR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP202A0003MR-G | TOREX | Description: TOREX - XP202A0003MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP202 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP202A0003MR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP202A0003MR-G | TOREX | Description: TOREX - XP202A0003MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP202 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP202A0003MR-G | Torex Semiconductor | MOSFETs Power MOSFET, -30V, 3A, P-Type, SOT-23 | auf Bestellung 7158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP202A0003PR-G | Torex Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, -30V, 5A, P-Type, SOT-89 | auf Bestellung 3036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP206/15E10 | N/A | 04+ N/A | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP20M00000S408 | TGS | Description: CRYSTAL 20MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 8pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active ESR (Equivalent Series Resistance): 70 Ohms Frequency: 20 MHz | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP20N15AGH | YAGEO XSemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP20N15GH | YAGEO XSemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP20N15GI | YAGEO XSemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP210 | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2120CP | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP215ACD | auf Bestellung 8003 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2206CP | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2206M | XP | 0031+ | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2207CP | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2208CN | XP | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| XP2210 (1104669) | Sierra Wireless | Description: XS2210 GNSS MOD GPS+GLONASS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2210 (1104669) | Sierra Wireless | Description: XS2210 GNSS MOD GPS+GLONASS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2211ACD | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2211ACP | XR | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| XP2211CP | 92+ | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| XP2211CP | DIP | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| XP2211CP | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2211P | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2212M | XP | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| XP2215 | auf Bestellung 33200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP221P05013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP221P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP221P0501xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP221P05013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP221P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP221P0501xx-G productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222A | HITACHI | CLCC 07+ | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222A | HITACHI | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| XP222N03013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222N0301xx-G productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222N03013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222N0301xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222N03015R-G | TOREX | Description: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222N0301xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222N03015R-G | TOREX | Description: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222N0301xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222N03017R-G | TOREX | Description: TOREX - XP222N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-723 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222N0301xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 8220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222N03017R-G | TOREX | Description: TOREX - XP222N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222N0301xx-G productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 8220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222N0301TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP222N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222N0301xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222N0301TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP222N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222N0301xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222P08013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP222P08013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222P0801xx-G productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2816 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222P08013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP222P08013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222P0801xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2816 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP222P0801TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP222P0801TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP222P0801xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP223N10013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP223N10013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP223N1001xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP223N10013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP223N10013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP223N1001xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP223N1001TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP223N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP223N1001xx-G productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP223N1001TR-G | TOREX | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 2A; 0.4W; SOT23-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP223P1501TR-G | TOREX | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -3A; 0.4W; SOT23-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.5A Pulsed drain current: -3A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP223P1501TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP223P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP223P1501xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP223P1501TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP223P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP223P1501xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2242CP | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP224N06013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP224N06013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP224N0601xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP224N06013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP224N06013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP224N0601xx-G productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP224N0601TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP224N0601TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP224N0601xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5083 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP224N0601TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP224N0601TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP224N0601xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP225N2001TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP225N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP225N2001xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | auf Bestellung 2593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP225N2001TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP225N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP225N2001xx-G productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | auf Bestellung 2593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP22M11840S408 | TGS | Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 8pF 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 8pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 22.1184 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP22M11840S410 | TGS | Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 10pF 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 10pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 22.1184 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP22M11840S412 | TGS | Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 12pF 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 12pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 22.1184 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP22M11840S416 | TGS | Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 16pF 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 16pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 22.1184 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP22M11840S418 | TGS | Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 18pF 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 18pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 22.1184 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP22M11840S420 | TGS | Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 20pF 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 20pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 22.1184 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2301GN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2301GN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2301 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2301GN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2301GN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2301 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2301GN | YAGEO XSemi | MOSFETs P-CH -20V -2. 5A SOT-23S | auf Bestellung 2760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2302GN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V | auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2302GN | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 20V 3.2A SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2302GN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2302GN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2302GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2302 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2306AGN | XSEMI | Description: XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2306AGN | XSemi | MOSFET N-CH 30V 5A S OT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2306AGN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2306A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2306AGN | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 5A S OT-23 | auf Bestellung 2957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2306GN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2306 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2306GN | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 20V 5.3A SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2306GN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2306 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2314GN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2314GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2314 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2314GN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2314GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2314 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2318GEN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2318GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2318G Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2318GEN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2318GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2318G Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2318GEN | XSemi | MOSFET N-CH 30V 0.5A SOT-23S | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP231N02013R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET | auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231N02015R-G | TOREX | Description: TOREX - XP231N02015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP231N0201xx-G productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231N02015R-G | TOREX | Description: TOREX - XP231N02015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP231N0201xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231N0201TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 200MA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V | auf Bestellung 15523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP231N0201TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP231N0201TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 200 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 400 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 400 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: XP231N0201xx-G Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231N0201TR-G | Torex Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 30V 0.2A | auf Bestellung 13549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP231N0201TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 200MA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP231P02013R-G | Torex Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL -30V -0.2A | auf Bestellung 5605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP231P02013R-G | TOREX | GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G Anzahl je Verpackung: 15 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| XP231P02013R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP231P02013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP231P0201xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231P02013R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP231P02013R-G | TOREX | GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| XP231P02013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP231P02013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP231P0201xx-G productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231P02015R-G | TOREX | Description: TOREX - XP231P02015R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP231P0201xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231P02015R-G | TOREX | Description: TOREX - XP231P02015R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP231P0201xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231P02017R-G | TOREX | Description: TOREX - XP231P02017R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-723 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP231P0201xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 6700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231P02017R-G | TOREX | Description: TOREX - XP231P02017R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP231P0201xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231P0201TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231P0201TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP231P0201TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V | auf Bestellung 7020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP231P0201TR-G | Torex Semiconductor | MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -0.2A / SOT-23 | auf Bestellung 7997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP231P0201TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2322GN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 833mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2322GN | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23S | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2322GN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2322GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 833mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2322 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2322GN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2322GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 833mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2322 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2322GN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 833mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP232N03013R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP232N03013R-G | TOREX | GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP232N03013R-G TXP232N03013R-G Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| XP232N03013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP232N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP232N0301xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP232N03013R-G | Torex Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 30V 0.3A | auf Bestellung 1914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP232N03013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP232N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP232N0301xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP232N03013R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP232N03015R-G | TOREX | Description: TOREX - XP232N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP232N0301xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP232N03015R-G | TOREX | Description: TOREX - XP232N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP232N0301xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP232N0301TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP232N0301TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP232N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm | auf Bestellung 2715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP232N0301TR-G | Torex Semiconductor | MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.3A / SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 122-126 Tag (e) |
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| XP232N0301TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP232P05013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP232P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP232P0501xx-G productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP232P05013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP232P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP232P0501xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP232P0501TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP232P0501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP232P0501TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V | auf Bestellung 7814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP232P0501TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP232P0501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP232P0501TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP232P0501TR-G | Torex Semiconductor | MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -0.45A / SOT-23 | auf Bestellung 15032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2332GEN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2332GEN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP233N05013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP233N05013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP233N0501xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP233N05013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP233N05013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP233N0501xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP233N05013R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP233N05013R-G | Torex Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 30V 0.5A | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP233N05013R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP233N0501TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP233N0501TR-G | Torex Semiconductor | MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.5A / SOT-23 | auf Bestellung 8400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP233N0501TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP233N0501TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP233N0501TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | auf Bestellung 3030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP233P1501TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP233P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | auf Bestellung 1455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP233P1501TR-G | Torex Semiconductor | MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -1.5A / SOT-23 | auf Bestellung 2826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP233P1501TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP233P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | auf Bestellung 1455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP23429C | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2344GN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2344 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2344GN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2344GN | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 20V 6.4A SOT-23 | auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2344GN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2344 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2344GN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP234N08013R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP234N08013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP234N0801xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP234N08013R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP234N08013R-G | TOREX | Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP234N0801xx-G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP234N08013R-G | Torex Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 30V 0.8A | auf Bestellung 1179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP234N0801TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP234N0801TR-G | Torex Semiconductor | MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.8A / SOT-23 | auf Bestellung 1878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP234N0801TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP234N0801TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP235N2001TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP235N2001TR-G | Torex Semiconductor | MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23 | auf Bestellung 2846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP235N2001TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP235N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP235N2001TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP235N2001TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP235N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP236N2001TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP236N2001TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V | auf Bestellung 3033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP236N2001TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP236N2001TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP236N2001TR-G | Torex Semiconductor | MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2401 | PANASONIC | SOT23-5 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2401-(TX) | PANASONIC | 97+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2401-(TX)(7R) | auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2401-TX | PANASONIC | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2401/7R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2401TX | PAN | 00+ SOP-5 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP241YVIT2 | auf Bestellung 2342 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP24M00000S408 | TGS | Description: CRYSTAL 24MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 8pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 24 MHz | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP24M57600S408 | TGS | Description: CRYSTAL 24.576MHZ 30ppm, 8pF 2 P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 8pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 24.576 MHz | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2501 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2501-(TX) | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2501-(TX).SO | PANA | SOT25/SOT353 | auf Bestellung 2769 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2530AGY | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.136W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2530AGY | YAGEO XSemi | MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2530AGY | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2530AGY | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.136W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 | auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2530AGY | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2531GY | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: XP2531 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2531GY | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2531GY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 16 V, 16 V, 3.5 A, 2.5 A, 0.058 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 16V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 16V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: XP2531 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2581 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP25M00000S408 | TGS | Description: CRYSTAL 25MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 8pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 25 MHz | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2615GEY | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2615GEY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: XP2615 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N70023R-G | TOREX | Description: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP261N7002xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N70023R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N70023R-G | TOREX | Description: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP261N7002xx-G productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N70023R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N70023R-G | Torex Semiconductor | MOSFETs N-CHANNEL 60V 0.15A | auf Bestellung 7207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP261N70025R-G | TOREX | Description: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP261N7002xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N70025R-G | TOREX | Description: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP261N7002xx-G productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N70027R-G | TOREX | Description: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP261N7002xx-G productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N70027R-G | TOREX | Description: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-723 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP261N7002xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 7985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N7002TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm | auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N7002TR-G | Torex Semiconductor | MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.15A / SOT-23 | auf Bestellung 3153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP261N7002TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N7002TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm | auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP261N7002TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP262N70023R-G | TOREX | Description: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP261N7002xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP262N70023R-G | Torex Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 60V 0.3A | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP262N70023R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP262N70023R-G | TOREX | Description: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP261N7002xx-G productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP262N70023R-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V | auf Bestellung 4997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP262N7002TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP262N7002TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP262N7002TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP262N7002TR-G | Torex Semiconductor | MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23 | auf Bestellung 7022 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP262N7002TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V | auf Bestellung 1695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP263N1001TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V | auf Bestellung 4121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP263N1001TR-G | Torex Semiconductor | MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 1A / SOT-23 | auf Bestellung 4621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP263N1001TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 11815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP263N1001TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP263N1001TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP264N0301TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP26 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP264N0301TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP264N0301TR-G | TOREX | Description: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP26 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP264N0301TR-G | Torex Semiconductor Ltd | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP264N0301TR-G | Torex Semiconductor | MOSFETs General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23 | auf Bestellung 2852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP27M00000S408 | TGS | Description: CRYSTAL 27MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 8pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 27 MHz | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP28M63636S408 | TGS | Description: CRYSTAL 28.63636MHZ 30ppm, 8pF 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 8pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 28.63636 MHz | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2943CP | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP2E2Z11 | Saia-Burgess | Basic / Snap Action Switches Door switch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2N075EN | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 20V 3.5A SOT-23S | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2N075EN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2N075EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2N075E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2N1K2EN1 | XSEMI | Description: XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2N1K2EN1 | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2N1K2E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2P038N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2P038 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2P038N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2P038 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2P038N | XSemi | MOSFET P-CH -20V -5A SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 192-196 Tag (e) |
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| XP2P052N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2P052N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2P052 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2P052N | YAGEO XSemi | MOSFETs P-CH -20V -4A SOT-23S | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2P053N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2P053 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2P053N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2P053 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2P053N | YAGEO XSemi | MOSFET P-CH -20V -4. 2A SOT-23S | auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2U-001 | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: XP2U-001 IS A LONG-LIFE TEST SOC Packaging: Box For Use With/Related Products: USB - C Accessory Type: Test Socket | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2U-001 | Omron Electronics | Test Sockets Test Socket USB Type C | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP2U-001 | Omron | Testing Socket for Devices with USB Type C Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2U-001. | OMRON ELECTRONIC COMPONENTS | Description: OMRON ELECTRONIC COMPONENTS - XP2U-001. - USB TYPE C MOUNTED DEVICE TEST SOCKET tariffCode: 85366990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Kontakte: 24Kontakt(e) USB-Version: USB 3.1 euEccn: NLR hazardous: false Betriebstemperatur: +5°C to +40°C rohsPhthalatesCompliant: YES Strom USB-Prüfsteckverbinder: 0.25A/1.25A directShipCharge: 25 Spannung USB-Prüfsteckverbinder: 20VDC/ 20VAC usEccn: EAR99 Produktpalette: Compute Module 3+ Series SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2U001 | Omron | Testing Socket for Devices with USB Type C Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP2Z11 | Saia-Burgess | Basic / Snap Action Switches Door switch | auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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