Produkte > XP3
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| XP30-203002C | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP3000 | XS POWER BATTERIES | Description: 12V, 3,000A, 120 AH, RC: 240 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3002000-01R | Lantronix | Networking Modules XPort AR Module | auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3002000-01R | Lantronix, Inc. | Description: IC MOD DSTNI-EX 120MHZ 1.25MB Packaging: Tray Connector Type: RJ45 Size / Dimension: 0.650" L x 1.800" W (16.50mm x 45.70mm) Speed: 120MHz RAM Size: 1.25MB Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Module/Board Type: MPU Core Core Processor: DSTni-EX Co-Processor: XPort AR Flash Size: 4MB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3002000-01R | Lantronix | Embedded Processor 16bit T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP300200K-01 | Lantronix | Embedded Processor 16bit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP300200K-01 | Lantronix | Networking Development Tools XPort AR Evaluation Kit | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP300200K-01 | Lantronix, Inc. | Description: XPORT AR EVALUATION KIT Packaging: Box Function: Ethernet Type: Interface Utilized IC / Part: XPort AR Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP300200S-01R | Lantronix | Embedded Processor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP300200S-01R | Lantronix | Networking Modules XPort AR Sample PACKAGE ROHS COMPLI | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP300200S-01R | Lantronix, Inc. | Description: XPORT AR SAMPLE EXTENDED TEMP -4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP30M00000S408 | TGS | Description: CRYSTAL 30MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 8pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 30 MHz | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP31011 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Description: POTENTIOMETER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3132SIT4 | auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP3132SIT4 | SOP8 | auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| XP32M00000S408 | TGS | Description: CRYSTAL 32MHZ 30ppm,8pF 2 Pads. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 8pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms Frequency: 32 MHz | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3311 | PANASONIC | 09+ | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP338300L | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP3389 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP3389/DX | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP34024 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Description: POTENTIOMETER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP34036 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Description: POTENTIOMETER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3470A | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP3601N | YAGEO XSemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3700M | YAGEO XSemi | MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30 | auf Bestellung 2991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3700M | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3700M | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3700M | XSemi | MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30 | auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3700M | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3700M | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3700MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3700MT | YAGEO XSemi | MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3700MT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.57W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3700MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3700MT | XSemi | MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3700MT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.57W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3700YT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3 | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3700YT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3700YT | YAGEO XSemi | MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3700YT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3700YT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3700YT | XSemi | MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP380AO | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP3832CDT | YAGEO | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3832CMT | YAGEO XSemi | MOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P | auf Bestellung 2997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3832CMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3832CMT | XSemi | MOSFET Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3832CMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0642D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm) Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0642D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm) Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0642D-R/S | OMRON / PARTNER STOCK | Description: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0642D-R/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 4.15MM L tariffCode: 85366990 Achsmittenabstand: 0.5mm productTraceability: No Messanschlussspitze: Flach Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf rohsCompliant: YES Nennstrom: 250mA euEccn: NLR Gesamtlänge: 4.15mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Federkraftarbeitsweg: -oz usEccn: EAR99 Anfangsfederkraft: 15g Produktpalette: XP3A Series SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0642D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm) Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0642D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm) Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0650D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm) Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0650D-D/S | OMRON / PARTNER STOCK | Description: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0650D-D/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 4.95MM L tariffCode: 85366990 Achsmittenabstand: 0.5mm productTraceability: No Messanschlussspitze: Flach Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf rohsCompliant: YES Nennstrom: 250mA euEccn: NLR Gesamtlänge: 4.95mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Federkraftarbeitsweg: -oz usEccn: EAR99 Anfangsfederkraft: 15g Produktpalette: XP3A Series SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0650D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm) Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0650D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm) Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0650D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm) Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0660D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm) Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0660D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm) Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0660D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm) Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0660D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm) Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3A-3846-0670D-R/S | OMRON / PARTNER STOCK | Description: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0670D-R/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 6.95MM L tariffCode: 85366990 Achsmittenabstand: 0.5mm productTraceability: No Messanschlussspitze: Flach Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf rohsCompliant: YES Nennstrom: 250mA euEccn: NLR Gesamtlänge: 6.95mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Federkraftarbeitsweg: -oz usEccn: EAR99 Anfangsfederkraft: 15g Produktpalette: XP3A Series SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0670D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm) Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0670D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm) Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0670D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm) Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-3846-0673D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3A-4654-0742D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3A-4654-0750D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm) Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm) Plunger Size: 0.003" ~ 0.018" (0.07mm ~ 0.046mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-4654-0750D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm) Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm) Plunger Size: 0.003" ~ 0.018" (0.07mm ~ 0.046mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-4654-0750D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3A-4654-0770D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-4654-0770D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0725D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm) Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm) Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3A-5866-0725D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm) Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm) Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0725D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm) Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm) Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0725D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm) Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm) Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm) Operating Force - Initial: 15gf | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3A-5866-0730D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0730D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0730D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0742D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3A-5866-0742D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0742D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0742D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0750D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0750D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0750D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0750D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0760D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0760D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0760D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0760D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0770D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE .6MM PITCH | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0770D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0770D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-5866-0770D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Maximum Working Height: 0.281" (7.15mm) Recommended Working Height: 0.262" (6.65mm) Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0825D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0825D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0825D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0825D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0830D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0830D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0830D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0830D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0842D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0842D-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0842D-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0842D-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3A-7583-0850D-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm) Contact Material: Nickel Alloy Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm) Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm) Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm) Operating Force - Initial: 15gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3B-3029-5050-1-D/D | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 25gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3B-3029-5050-1-D/R | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Part Status: Obsolete Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 25gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3B-3029-5050-1-S/R | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3029-5050-1-S/R | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 25gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3B-3029-5050-1-S/S | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3B-3029-5050-1-T/D | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3029-5050-1-T/D | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3029-5050-1-T/R | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3029-5050-1-T/R | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3029-5050-1-T/S | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3029-5050-1-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3029-5050-1-T/T | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3029-5050-1-T/T | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-D/D | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-D/D | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-D/R | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3B-3829-5050-1-D/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3B-3829-5050-1-D/T | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-D/T | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-R/D | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3B-3829-5050-1-R/R | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3B-3829-5050-1-R/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3B-3829-5050-1-R/T | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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| XP3B-3829-5050-1-S/D | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-S/R | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-S/R | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-S/S | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-S/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-S/T | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-S/T | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-T/D | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-T/D | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-T/R | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-T/R | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-T/S | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-T/S | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-T/T | Omron Electronics | Contact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3B-3829-5050-1-T/T | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD Contact Finish: Gold Mounting Type: Through Hole Contact Type: Probe Pin Contact Material: Nickel Alloy Mating Cycles: 1000000 Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm) Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm) Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm) Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm) Operating Force - Initial: 33gf | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3C011H | YAGEO XSemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3C011M | YAGEO XSemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3C023AMT | XSemi | MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3C023AMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3C023A Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3C023AMT | YAGEO XSemi | MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30 | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3C023AMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3C023A Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N020YT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.12W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N020 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N020YT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.12W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N020 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N028EN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N028E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N028EN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N028E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N035N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N035 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N035N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N035 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N045EN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N045 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N1R0MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 0.00105 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N1R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N1R0MT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V | auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N1R0MT | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N1R0MT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N1R0MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 0.00105 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N1R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N1R8MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 0.00189 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N1R8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00189ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N1R8MT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V | auf Bestellung 973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N1R8MT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N1R8MT | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6 | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N1R8MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 0.00189 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N1R8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00189ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N2R8AMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 0.0028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N2R8A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N2R8AMT | XSemi | MOSFET N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N2R8AMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 0.0028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N2R8A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N2R8AMT | XSemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N2R8AMT | XSemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N5R0AMT | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N5R0AMT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N5R0AMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N5R0A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N5R0AMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N5R0A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N5R0AMT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N5R0AYT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.12W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N5R0A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N5R0AYT | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N5R0AYT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.12W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N5R0A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N5R0H | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 62A TO-252 | auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N5R0H | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N5R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N5R0H | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N5R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N5R0M | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N5R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N5R0M | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N5R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N5R0M | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 17.4 A SO-8 | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N9R5AH | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N9R5AH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N9R5A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N9R5AH | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 38.5 A TO-252 | auf Bestellung 2949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N9R5AH | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V | auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N9R5AH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N9R5A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N9R5AMT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3N9R5AMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N9R5A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N9R5AMT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N9R5AMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N9R5A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N9R5AYT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.57W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N9R5A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N9R5AYT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.57W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N9R5A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3N9R5AYT | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3 | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3NA2R4MT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3NA2R4MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0024 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3NA2R4 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3NA2R4MT | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3NA2R4MT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3NA2R4MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0024 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3NA2R4 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3NA3R4MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.0034 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3NA3R4 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3NA3R4MT | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3NA3R4MT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3NA3R4MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.0034 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3NA3R4 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3NA3R4MT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3NA7R2MT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3NA7R2MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3NA7R2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3NA7R2MT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3NA7R2MT | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3NA7R2MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3NA7R2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P010AMT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P CH -30V 18.5A PMPAK5X6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P010H | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P CH -30V 18.5A TO-252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P010I | YAGEO XSemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P010M | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3P010 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P010M | XSEMI | Description: XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform - Transistor: SOIC usEccn: EAR99 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P010M | YAGEO XSemi | MOSFETs P-CH -30V -13 .3A SO-8 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P010YT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.12W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P010YT | YAGEO XSemi | MOSFETs P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P010YT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.12W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P011YT | YAGEO XSemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P020M | YAGEO XSemi | MOSFETs P-CH -30V -9. 3A SO-8 | auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P020M | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3P020 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P050AG | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V | auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P050AG | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3P050A Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P050AG | YAGEO XSemi | MOSFET P-CH -30V -4. 1A SOT-89 | auf Bestellung 716 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P050AG | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P050AG | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3P050A Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P050AM | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V | auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P050AM | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3P050A Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P050AM | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P050AM | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3P050A Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P050AM | YAGEO XSemi | MOSFET P-CH -30V -5. 8A SO-8 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P055N | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P055N | YAGEO XSemi | MOSFET P-CH -30V -3. 9A SOT-23S | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P055N | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P055N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3P055 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P080N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3P080 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P080N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3P080 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P080N | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P080N | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P3R0MT | YAGEO XSemi | MOSFETs P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P3R0MT | YAGEO XSEMI | Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P3R0MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3P3R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P3R0MT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3P3R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P3R0MT | YAGEO XSEMI | Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V | auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P7R0EM | XSEMI | Description: XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3P7R0E Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P7R0EM | YAGEO XSemi | MOSFETs P-CH -30V -15 .5A SO-8 | auf Bestellung 2939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3P7R0EM | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3P7R0E Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3P7R0EMT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P CH -30V 22A PMPAK5X6 Packaging: Tube Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP3R303GMT-L | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 31A PMPAK-5x6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3R303GMT-L | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP3R303GMT-L | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |