Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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NCV7428D13R2G | ONSEMI |
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NCV7428MW3R2G | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NCV7430D20R2G | ONSEMI |
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NCV78L05ABDR2G | ONSEMI |
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NCV8114ASN250T1G | ONSEMI |
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NCV8130BMX180TCG | ONSEMI |
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NCV8133BMX180TCG | ONSEMI |
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NCV8135AMT040TBG | ONSEMI |
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NCV8135AMT120TBG | ONSEMI |
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NCV8135BMT040TBG | ONSEMI |
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NCV8402ADDR2G | ONSEMI |
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NCV8402ASTT3G | ONSEMI |
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NCV8403ASTT1G | ONSEMI |
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NCV8405ASTT1G | ONSEMI |
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NCV8406ASTT1G | ONSEMI |
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auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NCV8440ASTT1G | ONSEMI |
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NCV8450ASTT3G | ONSEMI |
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NCV8452STT1G | ONSEMI |
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NCV8460ADR2G | ONSEMI |
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NCV8461DR2G | ONSEMI |
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NDB5060L | ONSEMI |
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NDC7001C | ONSEMI |
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auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDC7002N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.51A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3325 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDC7003P | ONSEMI |
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NDP6060 | ONSEMI |
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NDP6060L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NDS0605 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.18A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4297 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDS0610 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -120mA On-state resistance: 10Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2547 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDS331N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A On-state resistance: 210/160mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5/0.46W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1089 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDS332P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3 Drain-source voltage: -20V Drain current: -1A On-state resistance: 0.74Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDS352AP | ONSEMI |
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auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDS355AN | ONSEMI |
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auf Bestellung 2828 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDS7002A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A On-state resistance: 5Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5832 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDS9945 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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NDS9948 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDS9952A | ONSEMI |
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NDSH10170A | ONSEMI |
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NDSH25170A | ONSEMI |
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NDSH40120C-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 46A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 46A Semiconductor structure: single diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NDSH40120CDN | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 52A; TO247-3; tube Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 52A Semiconductor structure: common cathode; double Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NDSH50120C | ONSEMI |
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NDSH50120C-F155 | ONSEMI |
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NDT014 | ONSEMI |
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NDT014L | ONSEMI |
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NDT2955 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223 Case: SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3206 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDT3055 | ONSEMI |
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NDT3055L | ONSEMI |
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auf Bestellung 3105 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDT451AN | ONSEMI |
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auf Bestellung 3148 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDT452AP | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 3W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDT456P | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NDUL03N150CG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF On-state resistance: 10.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO3PF Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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NE5532D8R2G | ONSEMI |
![]() Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 2; SO8; ±3÷20VDC; reel,tape Type of integrated circuit: operational amplifier Operating temperature: 0...70°C Case: SO8 Number of channels: 2 Bandwidth: 10MHz Kind of package: reel; tape Voltage supply range: ± 3...20V DC Mounting: SMT Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NE592D8R2G | ONSEMI |
![]() Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; SO8; 100V/V,400V/V; ±8VDC Type of integrated circuit: video amplifier Bandwidth: 120MHz Number of channels: 2 Mounting: SMT Case: SO8 Operating temperature: 0...70°C Gain: 100V/V; 400V/V Voltage supply range: ± 8V DC Kind of package: reel; tape Input bias current: 40µA Input offset current: 6µA Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NFAM5065L4BT | ONSEMI |
![]() Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 50A; Ch: 6 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Case: DIP39 (54x31) Output current: 50A Number of channels: 6 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Operating voltage: 13...18.5/0...400V DC Frequency: 20kHz Collector-emitter voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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NGTB25N120FL2WG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 192W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NGTB40N120FL3WG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 212nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NJVMJD31CT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NJVMJD44H11RLG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NJVNJD2873T4G | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NJW0281G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO3P Current gain: 75...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NCV7428D13R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV7428D13R2G Interfaces others - integrated circuits
NCV7428D13R2G Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV7428MW3R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV7428MW3R2G Interfaces others - integrated circuits
NCV7428MW3R2G Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV7430D20R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV7430D20R2G Interfaces others - integrated circuits
NCV7430D20R2G Interfaces others - integrated circuits
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV78L05ABDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV78L05ABDR2G LDO unregulated voltage regulators
NCV78L05ABDR2G LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8114ASN250T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8114ASN250T1G LDO unregulated voltage regulators
NCV8114ASN250T1G LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8130BMX180TCG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8130BMX180T-0 LDO unregulated voltage regulators
NCV8130BMX180T-0 LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8133BMX180TCG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8133BMX180T-0 LDO unregulated voltage regulators
NCV8133BMX180T-0 LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8135AMT040TBG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8135AMT040T-0 LDO unregulated voltage regulators
NCV8135AMT040T-0 LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8135AMT120TBG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8135AMT120T-0 LDO unregulated voltage regulators
NCV8135AMT120T-0 LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8135BMT040TBG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8135BMT040T-0 LDO unregulated voltage regulators
NCV8135BMT040T-0 LDO unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8402ADDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8402ADDR2G Power switches - integrated circuits
NCV8402ADDR2G Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8402ASTT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8402ASTT3G Power switches - integrated circuits
NCV8402ASTT3G Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8403ASTT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8403ASTT1G Power switches - integrated circuits
NCV8403ASTT1G Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8405ASTT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8405ASTT1G Power switches - integrated circuits
NCV8405ASTT1G Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8406ASTT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8406ASTT1G Power switches - integrated circuits
NCV8406ASTT1G Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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43+ | 1.67 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
500+ | 0.97 EUR |
NCV8440ASTT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8440ASTT1G SMD N channel transistors
NCV8440ASTT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8450ASTT3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8450ASTT3G Power switches - integrated circuits
NCV8450ASTT3G Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8452STT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8452STT1G Power switches - integrated circuits
NCV8452STT1G Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8460ADR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8460ADR2G Power switches - integrated circuits
NCV8460ADR2G Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NCV8461DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NCV8461DR2G Power switches - integrated circuits
NCV8461DR2G Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDB5060L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDB5060L SMD N channel transistors
NDB5060L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDC7001C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDC7001C Multi channel transistors
NDC7001C Multi channel transistors
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
108+ | 0.67 EUR |
272+ | 0.26 EUR |
288+ | 0.25 EUR |
3000+ | 0.24 EUR |
NDC7002N |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.51A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.51A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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109+ | 0.66 EUR |
160+ | 0.45 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
332+ | 0.22 EUR |
350+ | 0.20 EUR |
NDC7003P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDC7003P Multi channel transistors
NDC7003P Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDP6060 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDP6060 THT N channel transistors
NDP6060 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDP6060L |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDS0605 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
239+ | 0.30 EUR |
407+ | 0.18 EUR |
569+ | 0.13 EUR |
658+ | 0.11 EUR |
1137+ | 0.06 EUR |
1202+ | 0.06 EUR |
3000+ | 0.06 EUR |
NDS0610 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.40 EUR |
204+ | 0.35 EUR |
256+ | 0.28 EUR |
277+ | 0.26 EUR |
472+ | 0.15 EUR |
500+ | 0.14 EUR |
NDS331N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
125+ | 0.57 EUR |
177+ | 0.41 EUR |
218+ | 0.33 EUR |
231+ | 0.31 EUR |
358+ | 0.20 EUR |
376+ | 0.19 EUR |
1500+ | 0.18 EUR |
NDS332P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.74Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.74Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
109+ | 0.66 EUR |
143+ | 0.50 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
290+ | 0.25 EUR |
307+ | 0.23 EUR |
1500+ | 0.22 EUR |
NDS352AP |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDS352AP SMD P channel transistors
NDS352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
114+ | 0.63 EUR |
290+ | 0.25 EUR |
307+ | 0.23 EUR |
1500+ | 0.22 EUR |
NDS355AN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDS355AN SMD N channel transistors
NDS355AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
83+ | 0.87 EUR |
227+ | 0.32 EUR |
240+ | 0.30 EUR |
3000+ | 0.29 EUR |
NDS7002A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
On-state resistance: 5Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
On-state resistance: 5Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5832 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
295+ | 0.24 EUR |
435+ | 0.16 EUR |
512+ | 0.14 EUR |
652+ | 0.11 EUR |
958+ | 0.08 EUR |
1013+ | 0.07 EUR |
3000+ | 0.07 EUR |
NDS9945 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDS9945 Multi channel transistors
NDS9945 Multi channel transistors
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NDS9948 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
99+ | 0.72 EUR |
164+ | 0.44 EUR |
174+ | 0.41 EUR |
500+ | 0.40 EUR |
NDS9952A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDS9952A Multi channel transistors
NDS9952A Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
NDSH10170A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDSH10170A THT Schottky diodes
NDSH10170A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDSH25170A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDSH25170A THT Schottky diodes
NDSH25170A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDSH40120C-F155 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 46A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 46A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 46A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 46A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDSH40120CDN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 52A; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A
Semiconductor structure: common cathode; double
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 52A; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A
Semiconductor structure: common cathode; double
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDSH50120C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDSH50120C THT Schottky diodes
NDSH50120C THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDSH50120C-F155 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDSH50120C-F155 THT Schottky diodes
NDSH50120C-F155 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDT014 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDT014 SMD N channel transistors
NDT014 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDT014L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDT014L SMD N channel transistors
NDT014L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDT2955 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 1.04 EUR |
93+ | 0.78 EUR |
202+ | 0.35 EUR |
214+ | 0.33 EUR |
4000+ | 0.32 EUR |
NDT3055 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDT3055 SMD N channel transistors
NDT3055 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDT3055L |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDT3055L SMD N channel transistors
NDT3055L SMD N channel transistors
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
48+ | 1.52 EUR |
112+ | 0.64 EUR |
119+ | 0.60 EUR |
NDT451AN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDT451AN SMD N channel transistors
NDT451AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 3148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.27 EUR |
81+ | 0.88 EUR |
86+ | 0.84 EUR |
NDT452AP |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.92 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
102+ | 0.70 EUR |
NDT456P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NDT456P SMD P channel transistors
NDT456P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NDUL03N150CG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF
On-state resistance: 10.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO3PF
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF
On-state resistance: 10.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO3PF
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NE5532D8R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 2; SO8; ±3÷20VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Operating temperature: 0...70°C
Case: SO8
Number of channels: 2
Bandwidth: 10MHz
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Mounting: SMT
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 2; SO8; ±3÷20VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Operating temperature: 0...70°C
Case: SO8
Number of channels: 2
Bandwidth: 10MHz
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Mounting: SMT
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NE592D8R2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; SO8; 100V/V,400V/V; ±8VDC
Type of integrated circuit: video amplifier
Bandwidth: 120MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Gain: 100V/V; 400V/V
Voltage supply range: ± 8V DC
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 40µA
Input offset current: 6µA
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; SO8; 100V/V,400V/V; ±8VDC
Type of integrated circuit: video amplifier
Bandwidth: 120MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Gain: 100V/V; 400V/V
Voltage supply range: ± 8V DC
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 40µA
Input offset current: 6µA
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NFAM5065L4BT |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 50A; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP39 (54x31)
Output current: 50A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 50A; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP39 (54x31)
Output current: 50A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NGTB25N120FL2WG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NGTB40N120FL3WG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.04 EUR |
10+ | 7.19 EUR |
NJVMJD31CT4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NJVMJD44H11RLG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.37 EUR |
80+ | 0.90 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
500+ | 0.50 EUR |
NJVNJD2873T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1.00 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
144+ | 0.50 EUR |
NJW0281G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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21+ | 3.49 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
30+ | 2.42 EUR |
120+ | 2.33 EUR |