| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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TIP105TU | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - TIP105TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 80 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP101G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP101G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8 Verlustleistung: 80 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP1256ESN65T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1256ESN65T1G - PWM CONTROLLERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP1256ASN65T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1256ASN65T1G - PWM CONTROLLERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP1256ASN100T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1256ASN100T1G - PWM CONTROLLERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLR120ATF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRLR120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.4 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 8.4 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 35 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 35 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP13992AGDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP13992AGDR2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP13992AEDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP13992AEDR2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FDD8870 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 160 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 160 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 160 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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AR0130CSSC00SPCA0-DPBR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DPBR2 - Bildsensor, 1280 x 960, 3.75µm x 3.75µm, 45, RGB, LCC, 48 Pin(s) Pixelgröße (H x B): 3.75µm x 3.75µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: -30 Versorgungsspannung, min.: 2.5 Bauform - Sensor: LCC Anzahl der Pins: 48 Produktpalette: - Aktiver Pixelbereich: 1280 x 960 Bildrate, Bilder pro Sek.: 45 Versorgungsspannung, max.: 3.1 Betriebstemperatur, max.: 70 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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AR0130CSSC00SPCA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DRBR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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AR0130CSSC00SPCA0-DRBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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AR0130CSSC00SPCA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DPBR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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AR0130CSSC00SPCA0-DPBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DPBR1 - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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AR0130CSSC00SPBA0-DR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPBA0-DR1 - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Mindestbestellmenge: 152 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FDS6692A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6692A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.47 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 1.47 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FOD2712AV | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD2712AV - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 10 kHz Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 8 CTR, min.: 100 Isolationsspannung: 2.5 Bauform - Optokoppler: SOIC Bandbreite: 10 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FOD2712A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD2712A - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 10 kHz Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 8 CTR, min.: 100 Isolationsspannung: 2.5 Bauform - Optokoppler: SOIC Bandbreite: 10 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCV321SN3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV321SN3T1G - Operationsverstärker, RRO, 1 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSOP Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 1.7mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 1V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsruhestrom: 1nA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker |
auf Bestellung 2032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCL30105DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL30105DR2G - PWM-Controller, Current-Mode, 3.6V-1.8V Versorgungsspannung, 500kHz, 250mAout, SOIC-8 Bauform - Controller-IC: SOIC Ausgangsstrom: 250 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgangsspannung: - Frequenz: 500 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.8 Eingangsspannung: 12 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCL30105DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL30105DR2G - PWM-Controller, Current-Mode, 3.6V-1.8V Versorgungsspannung, 500kHz, 250mAout, SOIC-8 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BZX79C3V9-T50A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C3V9-T50A - Zener-Diode, 3.9 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C Zener-Spannung, nom.: 3.9 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH) Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NSR0340V2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0340V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 470 mV, 1 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 1A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 470mV Sperrverzögerungszeit: 5ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR03 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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SB140 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB140 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 500 mV Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 500 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: SB Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NL27WZ14DTT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL27WZ14DTT1G - Inverter, Schmitt-Trigger, 2 Eingänge, 50mA, 1.65V bis 5.5V, TSOP-6 Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 27WZ Bauform - Logikbaustein: TSOP Ausgangsstrom: 50 Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logiktyp: Inverter-Schmitt-Trigger Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: 27WZ14 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NL27WZ14DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL27WZ14DFT2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-363-6 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 27WZ Anzahl der Elemente: Zwei Bauform - Logikbaustein: SOT-363 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 32mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-363 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 27WZ14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NL27WZ14DBVT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL27WZ14DBVT1G - Logik-IC, Wechselrichter, Zwei, 1 Inputs, 6 Pin(s), SC-74, NL27WZ14 Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: NL27WZ Bauform - Logikbaustein: SC-74 Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: NL27WZ14 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NTLJF4156NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL095N65S3HF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 272W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm |
auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHD4508NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR3C21NZT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 13681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJS4405NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 630mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTP110N65S3HF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L015N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP662SQ28T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP662SQ28T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 6Vin, 280mV Dropout, 2.8V/100mAout, SC82AB-4 Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.8 Ausgangsstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: SC-82AB Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 2.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: 2.8V 100mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 280 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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LE25S161PCTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LE25S161PCTXG - Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit, SPI, UDFN, 8 Pin(s) Bauform - Speicherbaustein: UDFN Flash-Speicher: Serial-NOR MSL: MSL 2 - 1 Jahr Zugriffszeit: - IC-Schnittstelle: SPI Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Taktfrequenz: 70 Speicherkonfiguration Flash: 2M x 8 Bit Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 16 Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories Versorgungsspannung, max.: 1.95 Betriebstemperatur, max.: 90 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FJPF5027OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJPF5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJPF5027 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSC5603DTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 5MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NC7SZ14FHX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ14FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ14 Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: NC7SZ Bauform - Logikbaustein: MicroPak Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: NC7SZ14 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NC7SZ14L6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ14L6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7SZ Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: MLP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: MLP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 7S14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 2781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV33274ADTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 10V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSSOP Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz Eingangsoffsetspannung: 100µV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 10V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsruhestrom: 300nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 24MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV33274ADTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 10V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSSOP Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz Eingangsoffsetspannung: 100µV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 10V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsruhestrom: 300nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 24MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSD880YTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD880YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSD880 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSD880O | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD880O - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCP5106ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV57081ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV57081ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5304DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5304DR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: 500 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 250 Bauform - Treiber: NSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 100 Ausgabeverzögerung: 100 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NCV57091ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57091ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV57091CDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV57091BDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57091CDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV57081CDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57081CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57091BDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 882 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV57081BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57081BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV57252DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD440S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD440S - 4.0 A, 60 V PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FOD819 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD819 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 100 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 100% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS351-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SS351-TB-E - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 5 V, 30 mA, 230 mV, 0.69 pF, SOT-23 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 5V Durchlassstrom If, max.: 30mA euEccn: NLR Durchlassspannung: 230mV Diodenkapazität: 0.69pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 30mA Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TIP105TU |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP105TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - TIP105TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 137+ | 1.83 EUR |
| 159+ | 1.46 EUR |
| 195+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| TIP101G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP101G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - TIP101G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 136+ | 1.84 EUR |
| 139+ | 1.68 EUR |
| 142+ | 1.52 EUR |
| NCP1256ESN65T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1256ESN65T1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1256ESN65T1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP1256ASN65T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1256ASN65T1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1256ASN65T1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP1256ASN100T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1256ASN100T1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1256ASN100T1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLR120ATF |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRLR120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.4 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - IRLR120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.4 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP13992AGDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992AGDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP13992AGDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP13992AEDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992AEDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP13992AEDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDD8870 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 160
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDD8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 160
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0130CSSC00SPCA0-DPBR2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DPBR2 - Bildsensor, 1280 x 960, 3.75µm x 3.75µm, 45, RGB, LCC, 48 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3.75µm x 3.75µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Bauform - Sensor: LCC
Anzahl der Pins: 48
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 960
Bildrate, Bilder pro Sek.: 45
Versorgungsspannung, max.: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DPBR2 - Bildsensor, 1280 x 960, 3.75µm x 3.75µm, 45, RGB, LCC, 48 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3.75µm x 3.75µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Bauform - Sensor: LCC
Anzahl der Pins: 48
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 960
Bildrate, Bilder pro Sek.: 45
Versorgungsspannung, max.: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0130CSSC00SPCA0-DRBR |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0130CSSC00SPCA0-DRBR1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0130CSSC00SPCA0-DPBR |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0130CSSC00SPCA0-DPBR1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DPBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCA0-DPBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0130CSSC00SPBA0-DR1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPBA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPBA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDS6692A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6692A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.47
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 1.47
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDS6692A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.47
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 1.47
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FOD2712AV |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD2712AV - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 10 kHz
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
CTR, min.: 100
Isolationsspannung: 2.5
Bauform - Optokoppler: SOIC
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD2712AV - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 10 kHz
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
CTR, min.: 100
Isolationsspannung: 2.5
Bauform - Optokoppler: SOIC
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FOD2712A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD2712A - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 10 kHz
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
CTR, min.: 100
Isolationsspannung: 2.5
Bauform - Optokoppler: SOIC
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD2712A - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 10 kHz
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
CTR, min.: 100
Isolationsspannung: 2.5
Bauform - Optokoppler: SOIC
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV321SN3T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV321SN3T1G - Operationsverstärker, RRO, 1 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.7mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 1nA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Description: ONSEMI - NCV321SN3T1G - Operationsverstärker, RRO, 1 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.7mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 1nA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 166+ | 1.51 EUR |
| 235+ | 0.99 EUR |
| 299+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| NCL30105DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL30105DR2G - PWM-Controller, Current-Mode, 3.6V-1.8V Versorgungsspannung, 500kHz, 250mAout, SOIC-8
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: 250
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 500
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Eingangsspannung: 12
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCL30105DR2G - PWM-Controller, Current-Mode, 3.6V-1.8V Versorgungsspannung, 500kHz, 250mAout, SOIC-8
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: 250
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 500
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Eingangsspannung: 12
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCL30105DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL30105DR2G - PWM-Controller, Current-Mode, 3.6V-1.8V Versorgungsspannung, 500kHz, 250mAout, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCL30105DR2G - PWM-Controller, Current-Mode, 3.6V-1.8V Versorgungsspannung, 500kHz, 250mAout, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZX79C3V9-T50A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C3V9-T50A - Zener-Diode, 3.9 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 3.9
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BZX79C3V9-T50A - Zener-Diode, 3.9 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 3.9
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NSR0340V2T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 470 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 470mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSR0340V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 470 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 470mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SB140 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB140 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 500 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SB140 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 500 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NL27WZ14DTT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL27WZ14DTT1G - Inverter, Schmitt-Trigger, 2 Eingänge, 50mA, 1.65V bis 5.5V, TSOP-6
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: TSOP
Ausgangsstrom: 50
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logiktyp: Inverter-Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 27WZ14
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL27WZ14DTT1G - Inverter, Schmitt-Trigger, 2 Eingänge, 50mA, 1.65V bis 5.5V, TSOP-6
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: TSOP
Ausgangsstrom: 50
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logiktyp: Inverter-Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 27WZ14
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 221+ | 1.13 EUR |
| 306+ | 0.76 EUR |
| 508+ | 0.42 EUR |
| 610+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| NL27WZ14DFT2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL27WZ14DFT2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-363-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SOT-363
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-363
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 27WZ14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NL27WZ14DFT2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-363-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SOT-363
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-363
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 27WZ14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 953+ | 0.26 EUR |
| 1653+ | 0.14 EUR |
| 2233+ | 0.096 EUR |
| 2653+ | 0.081 EUR |
| 2778+ | 0.077 EUR |
| NL27WZ14DBVT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL27WZ14DBVT1G - Logik-IC, Wechselrichter, Zwei, 1 Inputs, 6 Pin(s), SC-74, NL27WZ14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NL27WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-74
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NL27WZ14
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL27WZ14DBVT1G - Logik-IC, Wechselrichter, Zwei, 1 Inputs, 6 Pin(s), SC-74, NL27WZ14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NL27WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-74
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NL27WZ14
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTLJF4156NT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.7 EUR |
| 232+ | 1 EUR |
| NTHL095N65S3HF |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
Description: ONSEMI - NTHL095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 20.34 EUR |
| 15+ | 15.73 EUR |
| 19+ | 11.59 EUR |
| 50+ | 9.42 EUR |
| 100+ | 8.87 EUR |
| 250+ | 8.29 EUR |
| NTHD4508NT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 3.2 EUR |
| 102+ | 2.28 EUR |
| 141+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| NTR3C21NZT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 211+ | 1.19 EUR |
| 260+ | 0.89 EUR |
| 385+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.29 EUR |
| 12000+ | 0.27 EUR |
| NTJS4405NT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 630mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 630mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 402+ | 0.62 EUR |
| 650+ | 0.36 EUR |
| NTP110N65S3HF |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTP110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.17 EUR |
| 27+ | 8.75 EUR |
| 31+ | 6.99 EUR |
| 100+ | 5.87 EUR |
| NTH4L015N065SC1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 56.1 EUR |
| 6+ | 45.95 EUR |
| 10+ | 36.71 EUR |
| 50+ | 35.99 EUR |
| 100+ | 35.24 EUR |
| NCP662SQ28T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP662SQ28T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 6Vin, 280mV Dropout, 2.8V/100mAout, SC82AB-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.8
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SC-82AB
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 2.8V 100mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 280
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP662SQ28T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 6Vin, 280mV Dropout, 2.8V/100mAout, SC82AB-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.8
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SC-82AB
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 2.8V 100mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 280
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LE25S161PCTXG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LE25S161PCTXG - Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit, SPI, UDFN, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: UDFN
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Taktfrequenz: 70
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 16
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 1.95
Betriebstemperatur, max.: 90
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - LE25S161PCTXG - Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit, SPI, UDFN, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: UDFN
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Taktfrequenz: 70
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 16
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 1.95
Betriebstemperatur, max.: 90
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FJPF5027OTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJPF5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJPF5027
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FJPF5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJPF5027
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 3.27 EUR |
| 135+ | 1.73 EUR |
| 150+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| KSC5603DTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NC7SZ14FHX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ14FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ14
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7SZ14FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ14
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NC7SZ14L6X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ14L6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NC7SZ14L6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 503+ | 0.5 EUR |
| 752+ | 0.31 EUR |
| 991+ | 0.21 EUR |
| 1169+ | 0.18 EUR |
| 1268+ | 0.17 EUR |
| NCV33274ADTBR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 10V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 24MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 10V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 24MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 3.43 EUR |
| 101+ | 2.32 EUR |
| 110+ | 1.95 EUR |
| 125+ | 1.71 EUR |
| 250+ | 1.62 EUR |
| NCV33274ADTBR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 10V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 24MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - NCV33274ADTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 10V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 24MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.19 EUR |
| 110+ | 1.95 EUR |
| 250+ | 1.86 EUR |
| KSD880YTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD880YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSD880
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSD880YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSD880
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 86+ | 2.93 EUR |
| 185+ | 1.25 EUR |
| 234+ | 0.92 EUR |
| KSD880O |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD880O - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSD880O - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP5106ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 96+ | 2.62 EUR |
| 132+ | 1.77 EUR |
| 145+ | 1.48 EUR |
| 164+ | 1.31 EUR |
| 250+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| NCV57081ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 15.42 EUR |
| 25+ | 9.47 EUR |
| 29+ | 7.58 EUR |
| 50+ | 6.99 EUR |
| 100+ | 5.76 EUR |
| 250+ | 5.14 EUR |
| 500+ | 4.88 EUR |
| NCV57081ADR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 15.42 EUR |
| 25+ | 9.47 EUR |
| 29+ | 7.58 EUR |
| 50+ | 6.99 EUR |
| 100+ | 5.76 EUR |
| 250+ | 5.14 EUR |
| 500+ | 4.88 EUR |
| NCP5304DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5304DR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 250
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP5304DR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 250
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV57091ADWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCV57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.38 EUR |
| 46+ | 5.15 EUR |
| 50+ | 4.37 EUR |
| 54+ | 4.02 EUR |
| 100+ | 3.59 EUR |
| 250+ | 3.43 EUR |
| 500+ | 3.37 EUR |
| NCD57091ADWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCD57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.72 EUR |
| 41+ | 5.74 EUR |
| 43+ | 4.99 EUR |
| 51+ | 4.24 EUR |
| 100+ | 3.49 EUR |
| 250+ | 3.15 EUR |
| 500+ | 3.02 EUR |
| NCV57091CDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
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Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q100
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IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCV57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q100
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IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.38 EUR |
| 46+ | 5.15 EUR |
| 50+ | 4.37 EUR |
| 54+ | 4.02 EUR |
| 100+ | 3.59 EUR |
| 250+ | 3.43 EUR |
| 500+ | 3.37 EUR |
| NCV57091BDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
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Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCV57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.59 EUR |
| 44+ | 5.32 EUR |
| 48+ | 4.5 EUR |
| 51+ | 4.26 EUR |
| 100+ | 4.02 EUR |
| 250+ | 3.83 EUR |
| 500+ | 3.77 EUR |
| 1000+ | 3.58 EUR |
| NCD57091CDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCD57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.72 EUR |
| 41+ | 5.76 EUR |
| 43+ | 4.99 EUR |
| 50+ | 4.56 EUR |
| 100+ | 4.12 EUR |
| 250+ | 3.7 EUR |
| 500+ | 3.56 EUR |
| NCV57081CDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57081CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV57081CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.7 EUR |
| NCD57091BDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCD57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57091y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.72 EUR |
| 41+ | 5.74 EUR |
| 43+ | 4.99 EUR |
| 51+ | 4.24 EUR |
| 100+ | 3.49 EUR |
| 250+ | 3.15 EUR |
| 500+ | 3.02 EUR |
| NCV57081BDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57081BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV57081BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57081y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 6.95 EUR |
| 37+ | 6.28 EUR |
| 38+ | 5.65 EUR |
| 50+ | 5.51 EUR |
| 100+ | 5.33 EUR |
| 250+ | 5.19 EUR |
| 500+ | 5.03 EUR |
| 1000+ | 4.88 EUR |
| NCV57252DWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.57 EUR |
| 51+ | 4.59 EUR |
| 57+ | 3.81 EUR |
| 61+ | 3.51 EUR |
| 100+ | 3.21 EUR |
| 250+ | 3.02 EUR |
| 500+ | 2.81 EUR |
| 1000+ | 2.68 EUR |
| BD440S |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD440S - 4.0 A, 60 V PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BD440S - 4.0 A, 60 V PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FOD819 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD819 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD819 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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CTR, min.: 100%
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Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 2.45 EUR |
| 146+ | 1.59 EUR |
| 148+ | 1.45 EUR |
| 150+ | 1.43 EUR |
| 203+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1SS351-TB-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SS351-TB-E - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 5 V, 30 mA, 230 mV, 0.69 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 230mV
Diodenkapazität: 0.69pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 30mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 1SS351-TB-E - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 5 V, 30 mA, 230 mV, 0.69 pF, SOT-23
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Bauform - Diode: SOT-23
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
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usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 230mV
Diodenkapazität: 0.69pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 30mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 233+ | 1.07 EUR |
| 334+ | 0.69 EUR |
| 412+ | 0.52 EUR |
| 538+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |