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NTH4L060N090SC1 ONSEMI nth4l060n090sc1-d.pdf NTH4L060N090SC1 THT N channel transistors
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NTH4L067N65S3H ONSEMI nth4l067n65s3h-d.pdf NTH4L067N65S3H THT N channel transistors
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NTH4L070N120M3S ONSEMI nth4l070n120m3s-d.pdf NTH4L070N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L075N065SC1 ONSEMI nth4l075n065sc1-d.pdf NTH4L075N065SC1 THT N channel transistors
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NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1 ONSEMI NTH4L080N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L160N120SC1 ONSEMI nth4l160n120sc1-d.pdf NTH4L160N120SC1 THT N channel transistors
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NTH4LN040N65S3H ONSEMI nth4ln040n65s3h-d.pdf NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors
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NTH4LN067N65S3H ONSEMI nth4ln067n65s3h-d.pdf NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
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NTHC5513T1G ONSEMI nthc5513-d.pdf NTHC5513T1G Multi channel transistors
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NTHD3100CT1G ONSEMI nthd3100c-d.pdf NTHD3100CT1G Multi channel transistors
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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NTHD3101FT1G ONSEMI nthd3101f-d.pdf NTHD3101FT1G SMD P channel transistors
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NTHD3102CT1G ONSEMI nthd3102c-d.pdf NTHD3102CT1G Multi channel transistors
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NTHD4102PT1G ONSEMI nthd4102p-d.pdf NTHD4102PT1G SMD P channel transistors
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NTHD4502NT1G ONSEMI nthd4502n-d.pdf NTHD4502NT1G Multi channel transistors
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NTHD4508NT1G ONSEMI nthd4508n-d.pdf NTHD4508NT1G Multi channel transistors
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NTHL015N065SC1 ONSEMI nthl015n065sc1-d.pdf NTHL015N065SC1 THT N channel transistors
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NTHL017N60S5H ONSEMI nthl017n60s5h-d.pdf NTHL017N60S5H THT N channel transistors
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NTHL019N65S3H ONSEMI nthl019n65s3h-d.pdf NTHL019N65S3H THT N channel transistors
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NTHL020N090SC1 ONSEMI nthl020n090sc1-d.pdf NTHL020N090SC1 THT N channel transistors
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NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 ONSEMI NTHL020N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL022N120M3S ONSEMI nthl022n120m3s-d.pdf NTHL022N120M3S THT N channel transistors
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NTHL023N065M3S ONSEMI nthl023n065m3s-d.pdf NTHL023N065M3S THT N channel transistors
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NTHL025N065SC1 ONSEMI nthl025n065sc1-d.pdf NTHL025N065SC1 THT N channel transistors
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NTHL027N65S3HF ONSEMI NTHL027N65S3HF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL033N65S3HF ONSEMI nthl033n65s3hf-d.pdf NTHL033N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL040N120M3S ONSEMI nthl040n120m3s-d.pdf NTHL040N120M3S THT N channel transistors
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NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEB6CE3B7C60C7&compId=NTHL040N120SC1.PDF?ci_sign=d6a134f46763306b2ba210f070ef926d26e4738a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL040N65S3F ONSEMI NTHL040N65S3F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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NTHL040N65S3HF ONSEMI nthl040n65s3hf-d.pdf NTHL040N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H ONSEMI NTHL041N60S5H.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 108nC
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.73 EUR
8+9.65 EUR
30+9.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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NTHL045N065SC1 ONSEMI nthl045n065sc1-d.pdf NTHL045N065SC1 THT N channel transistors
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NTHL050N65S3HF ONSEMI nthl050n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 145A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL060N065SC1 ONSEMI nthl060n065sc1-d.pdf NTHL060N065SC1 THT N channel transistors
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NTHL060N090SC1 ONSEMI nthl060n090sc1-d.pdf NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
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NTHL065N65S3F ONSEMI nthl065n65s3f-d.pdf NTHL065N65S3F THT N channel transistors
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NTHL065N65S3HF ONSEMI nthl065n65s3hf-d.pdf NTHL065N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL067N65S3H ONSEMI nthl067n65s3h-d.pdf NTHL067N65S3H THT N channel transistors
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NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 ONSEMI NTHL075N065SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL080N120SC1A ONSEMI nthl080n120sc1a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 132A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 114mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL082N65S3F ONSEMI nthl082n65s3f-d.pdf NTHL082N65S3F THT N channel transistors
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NTHL082N65S3HF ONSEMI nthl082n65s3hf-d.pdf NTHL082N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL095N65S3H ONSEMI nthl095n65s3h-d.pdf NTHL095N65S3H THT N channel transistors
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NTHL095N65S3HF ONSEMI nthl095n65s3hf-d.pdf NTHL095N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL099N60S5 ONSEMI nthl099n60s5-d.pdf NTHL099N60S5 THT N channel transistors
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NTHL1000N170M1 ONSEMI NTHL1000N170M1-D.PDF NTHL1000N170M1 THT N channel transistors
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NTHL110N65S3F ONSEMI NTHL110N65S3F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 69A
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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NTHL125N65S3H ONSEMI nthl125n65s3h-d.pdf NTHL125N65S3H THT N channel transistors
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NTHL160N120SC1 ONSEMI nthl160n120sc1-d.pdf NTHL160N120SC1 THT N channel transistors
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NTHL185N60S5H ONSEMI nthl185n60s5h-d.pdf NTHL185N60S5H THT N channel transistors
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NTHL190N65S3HF ONSEMI nthl190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 162W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHLD040N65S3HF ONSEMI nthld040n65s3hf-d.pdf NTHLD040N65S3HF THT N channel transistors
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NTHS4101PT1G ONSEMI nths4101p-d.pdf NTHS4101PT1G SMD P channel transistors
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NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A243218288745&compId=NTJD1155L.PDF?ci_sign=6c19d42204cb111b22583f0318a94bc8c98871a3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
161+0.44 EUR
196+0.37 EUR
274+0.26 EUR
290+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G ONSEMI ntjd4001n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Power dissipation: 0.272W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2039 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
228+0.31 EUR
304+0.24 EUR
343+0.21 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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NTJD4105CT1G ONSEMI ntjd4105c-d.pdf NTJD4105CT1G Multi channel transistors
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NTJD4105CT2G ONSEMI ntjd4105c-d.pdf NTJD4105CT2G Multi channel transistors
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NTJD4152PT1G ONSEMI ntjd4152p-d.pdf NTJD4152PT1G SMD P channel transistors
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NTJD4158CT1G ONSEMI ntjd4158c-d.pdf NTJD4158CT1G Multi channel transistors
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NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G ONSEMI NTJD4401N.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 445mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
208+0.34 EUR
350+0.20 EUR
516+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ONSEMI NTJD5121N_NVJD5121N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 0.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
368+0.19 EUR
505+0.14 EUR
575+0.12 EUR
983+0.07 EUR
1040+0.07 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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NTH4L060N090SC1 nth4l060n090sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L060N090SC1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L067N65S3H nth4l067n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L067N65S3H THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L070N120M3S nth4l070n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L070N120M3S THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L075N065SC1 nth4l075n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L075N065SC1 THT N channel transistors
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NTH4L080N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L160N120SC1 THT N channel transistors
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NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors
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NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
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NTHC5513T1G Multi channel transistors
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NTHD3100CT1G Multi channel transistors
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NTHD3101FT1G SMD P channel transistors
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NTHD3102CT1G Multi channel transistors
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NTHD4102PT1G SMD P channel transistors
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NTHD4502NT1G Multi channel transistors
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NTHD4508NT1G Multi channel transistors
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NTHL015N065SC1 THT N channel transistors
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NTHL017N60S5H THT N channel transistors
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NTHL019N65S3H THT N channel transistors
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NTHL020N090SC1 THT N channel transistors
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NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1.PDF
NTHL020N120SC1
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL022N120M3S THT N channel transistors
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NTHL023N065M3S nthl023n065m3s-d.pdf
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NTHL023N065M3S THT N channel transistors
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NTHL025N065SC1 THT N channel transistors
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NTHL027N65S3HF NTHL027N65S3HF.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL033N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL040N120M3S THT N channel transistors
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NTHL040N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL040N65S3F NTHL040N65S3F.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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NTHL040N65S3HF nthl040n65s3hf-d.pdf
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NTHL040N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H.PDF
NTHL041N60S5H
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 108nC
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.73 EUR
8+9.65 EUR
30+9.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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NTHL045N065SC1 nthl045n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL045N065SC1 THT N channel transistors
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NTHL050N65S3HF nthl050n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 145A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL060N065SC1 nthl060n065sc1-d.pdf
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NTHL060N065SC1 THT N channel transistors
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NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
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NTHL065N65S3F THT N channel transistors
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NTHL065N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL067N65S3H THT N channel transistors
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NTHL075N065SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL080N120SC1A nthl080n120sc1a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 132A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 114mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL082N65S3F nthl082n65s3f-d.pdf
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NTHL082N65S3F THT N channel transistors
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NTHL082N65S3HF nthl082n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL082N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL095N65S3H nthl095n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL095N65S3H THT N channel transistors
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NTHL095N65S3HF nthl095n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL095N65S3HF THT N channel transistors
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NTHL099N60S5 nthl099n60s5-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL099N60S5 THT N channel transistors
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NTHL1000N170M1 NTHL1000N170M1-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
NTHL1000N170M1 THT N channel transistors
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NTHL110N65S3F NTHL110N65S3F.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 69A
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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NTHL125N65S3H nthl125n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL125N65S3H THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL160N120SC1 nthl160n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHL160N120SC1 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NTHL185N60S5H THT N channel transistors
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NTHL190N65S3HF nthl190n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 162W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHLD040N65S3HF nthld040n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHLD040N65S3HF THT N channel transistors
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NTHS4101PT1G nths4101p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTHS4101PT1G SMD P channel transistors
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NTJD1155LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A243218288745&compId=NTJD1155L.PDF?ci_sign=6c19d42204cb111b22583f0318a94bc8c98871a3
NTJD1155LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
161+0.44 EUR
196+0.37 EUR
274+0.26 EUR
290+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NTJD4001NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Power dissipation: 0.272W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2039 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
228+0.31 EUR
304+0.24 EUR
343+0.21 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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NTJD4105CT1G ntjd4105c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4105CT1G Multi channel transistors
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NTJD4105CT2G ntjd4105c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4105CT2G Multi channel transistors
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NTJD4152PT1G ntjd4152p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4152PT1G SMD P channel transistors
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NTJD4158CT1G ntjd4158c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTJD4158CT1G Multi channel transistors
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NTJD4401NT1G NTJD4401N.PDF
NTJD4401NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 445mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
208+0.34 EUR
350+0.20 EUR
516+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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NTJD5121NT1G NTJD5121N_NVJD5121N.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 0.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
368+0.19 EUR
505+0.14 EUR
575+0.12 EUR
983+0.07 EUR
1040+0.07 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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