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NTD3055-094T4G ONSEMI ntd3055-094-d.pdf NTD3055-094T4G SMD N channel transistors
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NTD3055-150T4G ONSEMI ntd3055-150-d.pdf NTD3055-150T4G SMD N channel transistors
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ONSEMI NTD3055L104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.104Ω
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
64+1.13 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
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Mindestbestellmenge: 46
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NTD3055L170T4G ONSEMI ntd3055l170-d.pdf NTD3055L170T4G SMD N channel transistors
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NTD360N65S3H ONSEMI ntd360n65s3h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTD360N80S3Z ONSEMI ntd360n80s3z-d.pdf NTD360N80S3Z SMD N channel transistors
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NTD4302T4G ONSEMI ntd4302-d.pdf NTD4302T4G SMD N channel transistors
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NTD4804NT4G ONSEMI ntd4804n-d.pdf 33469fcfd43a1fce924b5cea052211cf.pdf NTD4804NT4G SMD N channel transistors
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NTD4805NT4G ONSEMI ntd4805n-d.pdf NTD4805NT4G SMD N channel transistors
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NTD4808N-1G ONSEMI ntd4808n-d.pdf NTD4808N-1G THT N channel transistors
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NTD4858NT4G ONSEMI ntd4858n-d.pdf b7034aa9e89ac466bfc2736ad0988ce9.pdf NTD4858NT4G SMD N channel transistors
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NTD4860NT4G ONSEMI ntd4860n.pdf 8e320ef4066e26f5ee976ef643111446.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 50A; Idm: 130A; 50W; DPAK
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 130A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 8.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTD5802NT4G ONSEMI ntd5802n-d.pdf NTD5802NT4G SMD N channel transistors
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NTD5862NT4G ONSEMI ONSM-S-A0000715522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NTD5862NT4G SMD N channel transistors
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NTD5C434NT4G ONSEMI NTD5C434NT4G SMD N channel transistors
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NTD5C446NT4G ONSEMI ONSM-S-A0008368936-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NTD5C446NT4G SMD N channel transistors
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NTD5C632NLT4G ONSEMI ntd5c632nl-d.pdf NTD5C632NLT4G SMD N channel transistors
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NTD5C648NLT4G ONSEMI ntd5c648nl-d.pdf NTD5C648NLT4G SMD N channel transistors
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NTD5C688NLT4G ONSEMI NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors
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NTD600N80S3Z ONSEMI ntd600n80s3z-d.pdf NTD600N80S3Z SMD N channel transistors
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NTD6414ANT4G ONSEMI ntd6414an-d.pdf NTD6414ANT4G SMD N channel transistors
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NTD6415ANLT4G ONSEMI ntd6415anl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 80A; 83W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTD6416ANLT4G ONSEMI ntd6416anl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 71W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
On-state resistance: 74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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NTD6416ANT4G ONSEMI ntd6416an-d.pdf NTD6416ANT4G SMD N channel transistors
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NTDS015N15MCT4G ONSEMI ntds015n15mc-d.pdf NTDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
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NTDV20N06T4G-VF01 ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTDV20P06LT4G-VF01 ONSEMI ntd20p06l-d.pdf NTDV20P06LT4G-VF01 SMD P channel transistors
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NTE4151PT1G ONSEMI nta4151p-d.pdf NTE4151PT1G SMD P channel transistors
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NTE4153NT1G ONSEMI nta4153n-d.pdf NTE4153NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.10 EUR
146+0.49 EUR
401+0.17 EUR
6000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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NTF2955T1G NTF2955T1G ONSEMI ntf2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
58+1.24 EUR
100+0.72 EUR
105+0.68 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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NTF3055-100T1G ONSEMI ntf3055-100-d.pdf NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
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NTF3055L108T1G ONSEMI ntf3055l108-d.pdf NTF3055L108T1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.25 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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NTF5P03T3G ONSEMI ntf5p03t3-d.pdf NTF5P03T3G SMD P channel transistors
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NTGD1100LT1G ONSEMI ntgd1100l-d.pdf NTGD1100LT1G Multi channel transistors
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NTGD3148NT1G ONSEMI ntgd3148n-d.pdf NTGD3148NT1G Multi channel transistors
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NTGD4167CT1G ONSEMI ntgd4167c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTGS3130NT1G ONSEMI ntgs3130n-d.pdf NTGS3130NT1G SMD N channel transistors
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NTGS3136PT1G ONSEMI ntgs3136p-d.pdf NTGS3136PT1G SMD P channel transistors
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NTGS3433T1G ONSEMI ntgs3433t1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.35A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -14A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTGS3441T1G ONSEMI ntgs3441t1-d.pdf NTGS3441T1G SMD P channel transistors
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NTGS3443T1G ONSEMI ntgs3443t1-d.pdf NTGS3443T1G SMD P channel transistors
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NTGS3446T1G ONSEMI ntgs3446-d.pdf NTGS3446T1G SMD N channel transistors
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NTGS3455T1G ONSEMI ntgs3455t1-d.pdf NTGS3455T1G SMD P channel transistors
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NTGS4111PT1G ONSEMI ntgs4111p-d.pdf NTGS4111PT1G SMD P channel transistors
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NTGS4141NT1G NTGS4141NT1G ONSEMI ntgs4141n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.70 EUR
180+0.40 EUR
278+0.26 EUR
295+0.24 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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NTGS5120PT1G ONSEMI ntgs5120p-d.pdf NTGS5120PT1G SMD P channel transistors
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NTH027N65S3F-F155 ONSEMI nth027n65s3f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L013N120M3S ONSEMI nth4l013n120m3s-d.pdf NTH4L013N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L014N120M3P ONSEMI nth4l014n120m3p-d.pdf NTH4L014N120M3P THT N channel transistors
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NTH4L015N065SC1 ONSEMI NTH4L015N065SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 ONSEMI NTH4L020N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L022N120M3S ONSEMI nth4l022n120m3s-d.pdf NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L023N065M3S ONSEMI nth4l023n065m3s-d.pdf NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
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NTH4L025N065SC1 ONSEMI nth4l025n065sc1-d.pdf NTH4L025N065SC1 THT N channel transistors
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NTH4L027N65S3F ONSEMI nth4l027n65s3f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L028N170M1 ONSEMI nth4l028n170m1-d.pdf NTH4L028N170M1 THT N channel transistors
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NTH4L030N120M3S ONSEMI nth4l030n120m3s-d.pdf NTH4L030N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L040N120M3S ONSEMI nth4l040n120m3s-d.pdf NTH4L040N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EE80AC42EAA0C7&compId=NTH4L040N120SC1.PDF?ci_sign=75a03753574f1c2662fc3a6cd42cdf08611042b4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L040N65S3F NTH4L040N65S3F ONSEMI nth4l040n65s3f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NTD3055-094T4G ntd3055-094-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD3055-094T4G SMD N channel transistors
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NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD3055-150T4G SMD N channel transistors
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NTD3055L104T4G NTD3055L104.pdf
NTD3055L104T4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.104Ω
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 45A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
64+1.13 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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NTD3055L170T4G ntd3055l170-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD3055L170T4G SMD N channel transistors
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NTD360N65S3H ntd360n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTD360N80S3Z ntd360n80s3z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD360N80S3Z SMD N channel transistors
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NTD4302T4G ntd4302-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD4302T4G SMD N channel transistors
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NTD4804NT4G ntd4804n-d.pdf 33469fcfd43a1fce924b5cea052211cf.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD4804NT4G SMD N channel transistors
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NTD4805NT4G ntd4805n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD4805NT4G SMD N channel transistors
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NTD4808N-1G THT N channel transistors
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NTD4858NT4G SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 50A; Idm: 130A; 50W; DPAK
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 130A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 8.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
NTD5802NT4G SMD N channel transistors
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NTD5862NT4G ONSM-S-A0000715522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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NTD5862NT4G SMD N channel transistors
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NTD5C434NT4G
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NTD5C434NT4G SMD N channel transistors
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NTD5C446NT4G ONSM-S-A0008368936-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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NTD5C446NT4G SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NTD5C632NLT4G SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
NTD5C648NLT4G SMD N channel transistors
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NTD5C688NLT4G
Hersteller: ONSEMI
NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors
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NTD600N80S3Z ntd600n80s3z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD600N80S3Z SMD N channel transistors
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NTD6414ANT4G ntd6414an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD6414ANT4G SMD N channel transistors
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NTD6415ANLT4G ntd6415anl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 80A; 83W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTD6416ANLT4G ntd6416anl-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 71W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
On-state resistance: 74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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NTD6416ANT4G ntd6416an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTD6416ANT4G SMD N channel transistors
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NTDS015N15MCT4G ntds015n15mc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
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NTDV20N06T4G-VF01
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTDV20P06LT4G-VF01 ntd20p06l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTDV20P06LT4G-VF01 SMD P channel transistors
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NTE4151PT1G nta4151p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTE4151PT1G SMD P channel transistors
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NTE4153NT1G nta4153n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
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65+1.10 EUR
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NTF2955T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 898 Stücke:
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40+1.82 EUR
58+1.24 EUR
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105+0.68 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
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NTF3055-100T1G ntf3055-100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
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NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTF3055L108T1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
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58+1.25 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
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NTF5P03T3G ntf5p03t3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTF5P03T3G SMD P channel transistors
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NTGD1100LT1G ntgd1100l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGD1100LT1G Multi channel transistors
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NTGD3148NT1G ntgd3148n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGD3148NT1G Multi channel transistors
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NTGD4167CT1G ntgd4167c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTGS3130NT1G ntgs3130n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3130NT1G SMD N channel transistors
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NTGS3136PT1G ntgs3136p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3136PT1G SMD P channel transistors
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NTGS3433T1G ntgs3433t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.35A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -14A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTGS3441T1G ntgs3441t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3441T1G SMD P channel transistors
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NTGS3443T1G ntgs3443t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3443T1G SMD P channel transistors
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NTGS3446T1G ntgs3446-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3446T1G SMD N channel transistors
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NTGS3455T1G ntgs3455t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS3455T1G SMD P channel transistors
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NTGS4111PT1G ntgs4111p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS4111PT1G SMD P channel transistors
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NTGS4141NT1G ntgs4141n-d.pdf
NTGS4141NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4619 Stücke:
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103+0.70 EUR
180+0.40 EUR
278+0.26 EUR
295+0.24 EUR
500+0.23 EUR
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NTGS5120PT1G ntgs5120p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTGS5120PT1G SMD P channel transistors
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NTH027N65S3F-F155 nth027n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L013N120M3S nth4l013n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L013N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L014N120M3P nth4l014n120m3p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L014N120M3P THT N channel transistors
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NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1.PDF
NTH4L020N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L022N120M3S nth4l022n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L023N065M3S nth4l023n065m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
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NTH4L025N065SC1 nth4l025n065sc1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L025N065SC1 THT N channel transistors
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NTH4L027N65S3F nth4l027n65s3f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L028N170M1 nth4l028n170m1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L028N170M1 THT N channel transistors
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NTH4L030N120M3S nth4l030n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L030N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NTH4L040N120M3S THT N channel transistors
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NTH4L040N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EE80AC42EAA0C7&compId=NTH4L040N120SC1.PDF?ci_sign=75a03753574f1c2662fc3a6cd42cdf08611042b4
NTH4L040N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTH4L040N65S3F nth4l040n65s3f-d.pdf
NTH4L040N65S3F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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