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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FGA25N120ANTD Produktcode: 34959 |
FAIR |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-3P Vces: 1200 Vce: 2 Ic 25: 50 Ic 100: 25 Pd 25: 312 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190 |
auf Bestellung 188 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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25N120 |
auf Bestellung 2006 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors Copak Discrete |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 1536-1540 Tag (e) |
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IGW25N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Infineon |
50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 4023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005419560 |
auf Bestellung 1907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3 | Infineon |
50A; 1200V; 326W; IGBT w/ Diode IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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IKW25N120H3XK | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A |
auf Bestellung 3360 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon |
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MIW25N120FA-BP | Micro Commercial Components (MCC) | IGBT Transistors |
auf Bestellung 1281 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NGTB25N120FL2WG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T |
auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NGTB25N120FL3WG | onsemi | IGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SGW25N120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SKW25N120 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 84A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 760ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SKW25N120 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 84A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 760ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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6MBI25N-120 | FUJI | MODULE |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGA25N120AN |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | ON Semiconductor |
auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGA25N120D | FAIRCHILD | 2005 TO-3P |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGH25N120FTDS | ON Semiconductor |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA25N120D | XI.M.Z | 2002 TO-3P |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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G25N120 | TOSHIBA | 2002 TO-3PL |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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G25N120CND | FAIR | ZIP-3; |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Infineon |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IHW25N120 | MODULE |
auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IHW25N120R2 | Infineon technologies |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MGY25N120CX |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NGTB25N120SWG | ON Semiconductor |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SDH25N120P | SW | 05+ |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SDL25N120P | SW | 05+ |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SGA25N120ANTD |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SGH25N120RUF |
auf Bestellung 6491 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SGH25N120RUFD |
auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SGL25N120RUF |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SGL25N120RUFD |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SKW25N120FKSA1 | Infineon |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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TD25N1200 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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TD25N1200KOC | AEG | 05+ |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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TD25N1200KOF | AEG |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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TT25N1200KOC | AEG |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Транзистор IGBT FGA25N120ANTD 25A 1200V TO-3P |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IGBT IKW25N120H3 25A 1200V TO-247 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA25N120D (Transistor) Produktcode: 76065 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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IGW25N120H3 Produktcode: 160434 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
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IKW25N120H3 Produktcode: 113551 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
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IKW25N120T2 Produktcode: 39789 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
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FGA25N120ANTD Produktcode: 34959 |
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
auf Bestellung 188 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.7 EUR |
FGA25N120ANTDTU-F109 |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors Copak Discrete
IGBT Transistors Copak Discrete
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 1536-1540 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 6.35 EUR |
10+ | 5.33 EUR |
25+ | 5.03 EUR |
100+ | 4.33 EUR |
250+ | 4.08 EUR |
450+ | 3.84 EUR |
IGW25N120H3 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 8.54 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
25+ | 6.76 EUR |
100+ | 5.79 EUR |
240+ | 5.46 EUR |
480+ | 5.14 EUR |
1200+ | 4.38 EUR |
IGW25N120H3FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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11+ | 6.65 EUR |
12+ | 5.98 EUR |
16+ | 4.6 EUR |
17+ | 4.35 EUR |
IGW25N120H3FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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11+ | 6.65 EUR |
12+ | 5.98 EUR |
16+ | 4.6 EUR |
17+ | 4.35 EUR |
IGW25N120H3FKSA1 |
Hersteller: Infineon
50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 13.11 EUR |
IGW25N120H3FKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 4023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 8.5 EUR |
10+ | 8.31 EUR |
25+ | 6.76 EUR |
100+ | 5.79 EUR |
240+ | 5.72 EUR |
480+ | 4.38 EUR |
1200+ | 4.14 EUR |
IGW25N120H3FKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IHW25N120E1XKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 5 EUR |
10+ | 4.68 EUR |
25+ | 3.98 EUR |
100+ | 3.52 EUR |
480+ | 2.78 EUR |
1200+ | 2.62 EUR |
2640+ | 2.6 EUR |
IKW25N120CS7XKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 12.02 EUR |
10+ | 10.89 EUR |
25+ | 8.69 EUR |
100+ | 7.73 EUR |
240+ | 7.71 EUR |
480+ | 5.67 EUR |
1200+ | 5.42 EUR |
IKW25N120CS7XKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
SP005419560
SP005419560
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IKW25N120H3 |
Hersteller: Infineon
50A; 1200V; 326W; IGBT w/ Diode IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
50A; 1200V; 326W; IGBT w/ Diode IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 12.73 EUR |
IKW25N120H3 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 10.08 EUR |
10+ | 8.64 EUR |
25+ | 7.83 EUR |
100+ | 7.2 EUR |
240+ | 6.76 EUR |
480+ | 6.34 EUR |
1200+ | 5.7 EUR |
IKW25N120H3FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 9.72 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
IKW25N120H3FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 9.72 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
IKW25N120H3FKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 143-147 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 9.54 EUR |
10+ | 9.47 EUR |
25+ | 7.69 EUR |
100+ | 7.02 EUR |
240+ | 7 EUR |
480+ | 5.7 EUR |
1200+ | 5.44 EUR |
IKW25N120H3XK |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 9.4 EUR |
10+ | 8.25 EUR |
25+ | 7.53 EUR |
100+ | 6.99 EUR |
240+ | 6.6 EUR |
480+ | 6.21 EUR |
1200+ | 5.7 EUR |
IKW25N120T2 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
auf Bestellung 3360 Stücke:
Lieferzeit 143-147 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 9.63 EUR |
10+ | 9.52 EUR |
25+ | 7.62 EUR |
100+ | 7.15 EUR |
240+ | 7.13 EUR |
480+ | 5.86 EUR |
1200+ | 5.61 EUR |
IKW25N120T2FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 10.87 EUR |
10+ | 7.45 EUR |
11+ | 7.05 EUR |
100+ | 6.78 EUR |
IKW25N120T2FKSA1 |
Hersteller: Infineon
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 14.62 EUR |
IKW25N120T2FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 10.87 EUR |
10+ | 7.45 EUR |
11+ | 7.05 EUR |
100+ | 6.78 EUR |
MIW25N120FA-BP |
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
IGBT Transistors
IGBT Transistors
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 8.62 EUR |
10+ | 7.23 EUR |
25+ | 6.85 EUR |
100+ | 5.86 EUR |
250+ | 5.53 EUR |
500+ | 5.21 EUR |
1000+ | 4.47 EUR |
NGTB25N120FL2WG |
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T
IGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 11.79 EUR |
10+ | 10.1 EUR |
30+ | 9.17 EUR |
120+ | 8.41 EUR |
180+ | 7.92 EUR |
540+ | 7.43 EUR |
1080+ | 6.67 EUR |
NGTB25N120FL3WG |
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
IGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 10.08 EUR |
10+ | 9.98 EUR |
30+ | 8.04 EUR |
120+ | 7.13 EUR |
180+ | 6.35 EUR |
540+ | 5.72 EUR |
1080+ | 5.44 EUR |
SGW25N120FKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)SKW25N120 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 20.78 EUR |
5+ | 14.31 EUR |
6+ | 13.54 EUR |
SKW25N120 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 20.78 EUR |
5+ | 14.31 EUR |
6+ | 13.54 EUR |
10+ | 13.53 EUR |
FGA25N120ANTDTU-F109 |
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild |
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IGW25N120H3 Produktcode: 160434 |
Produkt ist nicht verfügbar
IKW25N120H3 Produktcode: 113551 |
Produkt ist nicht verfügbar
IKW25N120T2 Produktcode: 39789 |
Produkt ist nicht verfügbar
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