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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SSS6N60A SSS6N60A
Produktcode: 43341
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Samsung sss6n60a-samsung.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
1+1.66 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS6N60A SSS6N60A
Produktcode: 172151
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Fairchild Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2
Produktcode: 155644
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ST stf6n60m2.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
auf Bestellung 32 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6n60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6N60C FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT106N60LC6 APT106N60LC6 Microchip Technology APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.19 EUR
100+28.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D4C0206N-60 D4C0206N-60 Electroswitch d4-2308958.pdf Rotary Switches 2Poles 02-06Pos 1Sec Non-Shorting
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+259.02 EUR
5+190.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP16N60 FCP16N60 onsemi / Fairchild fcp16n60-d.pdf MOSFETs 600V N-CH MOSFET SuperFET
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
50+3.78 EUR
100+3.45 EUR
500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF16N60 FCPF16N60 onsemi / Fairchild fcp16n60-d.pdf MOSFETs 600V N-CH SuperFET
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.31 EUR
50+3.92 EUR
100+3.82 EUR
250+3.8 EUR
500+3.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HI1206N601R-10 HI1206N601R-10 Laird Technologies hi1206n601r-10-datasheet Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
auf Bestellung 8470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
10+0.37 EUR
25+0.34 EUR
50+0.31 EUR
100+0.28 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1 Infineon INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGD06N60T_DS_v02_02_EN-1731501.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.26 EUR
100+0.86 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60T IGP06N60T Infineon Technologies Infineon_IGP06N60T_DS_v02_03_en-1731555.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.55 EUR
100+1.21 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.78 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3171D35FF4FA8&compId=IGP06N60T-DTE.pdf?ci_sign=9ac35b215c56b00cc17deb3e21b51f59f54290eb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.74 EUR
50+1.46 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3171D35FF4FA8&compId=IGP06N60T-DTE.pdf?ci_sign=9ac35b215c56b00cc17deb3e21b51f59f54290eb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
50+1.46 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGP06N60T_DS_v02_03_en-1731555.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.54 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB06N60T IKB06N60T Infineon Technologies Infineon_IKB06N60T_DataSheet_v02_05_EN-3362625.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.89 EUR
10+1.99 EUR
100+1.58 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.08 EUR
5000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB06N60T_DataSheet_v02_05_EN-3362625.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+1.94 EUR
100+1.35 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.88 EUR
5000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
Turn-on time: 19ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.94 EUR
59+1.23 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
Turn-on time: 19ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
59+1.23 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N60R_DS_v02_05_EN-1226890.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.5 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD06N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652234ae34d20 IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.27 EUR
10+1.43 EUR
25+1.4 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C;   IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF IKD06N60RF Infineon Technologies Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN-3361920.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+1.44 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN-3361920.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+1.44 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN06N60RC2ATMA1 IKN06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN06N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a73d90769 IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.2 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE2747C5EC7820&compId=IKP06N60T.pdf?ci_sign=fe7eb39bc96303d3dfea9fcce07ee1c6ee3290c4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 15ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.96 EUR
42+1.73 EUR
46+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE2747C5EC7820&compId=IKP06N60T.pdf?ci_sign=fe7eb39bc96303d3dfea9fcce07ee1c6ee3290c4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 15ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
42+1.73 EUR
46+1.56 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60A Vishay sihfib6n.pdf N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.38 EUR
35+2.07 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Vishay Semiconductors sihfib6n.pdf MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.86 EUR
10+4.36 EUR
25+2.64 EUR
1000+2.62 EUR
5000+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N60X3 IXFA36N60X3 IXYS media-3321973.pdf MOSFETs TO263 600V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.02 EUR
10+9.24 EUR
50+7.78 EUR
100+6.79 EUR
250+6.55 EUR
500+5.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.33 EUR
9+8.12 EUR
10+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS media-3321580.pdf MOSFETs 600V 26A
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IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS media-3323767.pdf MOSFETs 600V 36A
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IXFH36N60X3 IXFH36N60X3 IXYS media-3320246.pdf MOSFETs TO247 600V 36A N-CH X3CLASS
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IXFK36N60P IXFK36N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFK36N60P IXFK36N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFP36N60X3 IXFP36N60X3 IXYS media-3321337.pdf MOSFETs TO220 600V 36A N-CH X3CLASS
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IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
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IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
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IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS media-3322636.pdf IGBTs GenX3 600V IGBTs
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IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 47ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
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IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
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Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
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IXTH26N60P IXTH26N60P IXYS media-3322813.pdf MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
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PBES16N60R PBES16N60R TE Connectivity / Alcoswitch ENG_DS_9_2381880_9_B-2325933.pdf Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
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SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix siha186n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
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SIHB186N60EF-GE3 SIHB186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb186n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
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10+5.67 EUR
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SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihd186n60ef.pdf MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET
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SIHG026N60EF-GE3 SIHG026N60EF-GE3 Vishay sihg026n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
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SIHH186N60EF-T1GE3 SIHH186N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix sihh186n60ef.pdf MOSFETs PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2523 Stücke:
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SIHH26N60E-T1-GE3 SIHH26N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh26n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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10+6.76 EUR
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SiHH26N60EF-T1-GE3 SiHH26N60EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh26n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2920 Stücke:
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1+11.18 EUR
3000+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP186N60EF-GE3 SIHP186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp186n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+4.63 EUR
100+3.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD06N60C3ATMA1 SPD06N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD06N60C3_DataSheet_v02_02_EN-3363720.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SSS6N60A
Produktcode: 43341
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sss6n60a-samsung.pdf
SSS6N60A
Hersteller: Samsung
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
Anzahl Preis
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SSS6N60A
Produktcode: 172151
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SSS6N60A
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
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STF6N60M2
Produktcode: 155644
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stf6n60m2.pdf
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
auf Bestellung 32 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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6n60
Hersteller: to-220/f
AAT
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6N60C
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
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APT106N60LC6 APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf
APT106N60LC6
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+33.19 EUR
100+28.64 EUR
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D4C0206N-60 d4-2308958.pdf
D4C0206N-60
Hersteller: Electroswitch
Rotary Switches 2Poles 02-06Pos 1Sec Non-Shorting
auf Bestellung 2 Stücke:
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Anzahl Preis
1+259.02 EUR
5+190.52 EUR
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FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET SuperFET
auf Bestellung 880 Stücke:
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Anzahl Preis
1+7.06 EUR
50+3.78 EUR
100+3.45 EUR
500+3.06 EUR
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FCPF16N60 fcp16n60-d.pdf
FCPF16N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH SuperFET
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Anzahl Preis
1+8.31 EUR
50+3.92 EUR
100+3.82 EUR
250+3.8 EUR
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HI1206N601R-10 hi1206n601r-10-datasheet
HI1206N601R-10
Hersteller: Laird Technologies
Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
auf Bestellung 8470 Stücke:
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7+0.46 EUR
10+0.37 EUR
25+0.34 EUR
50+0.31 EUR
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3000+0.12 EUR
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IGD06N60TATMA1 INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Anzahl Preis
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IGD06N60TATMA1 Infineon_IGD06N60T_DS_v02_02_EN-1731501.pdf
IGD06N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
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IGP06N60T Infineon_IGP06N60T_DS_v02_03_en-1731555.pdf
IGP06N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1906 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3171D35FF4FA8&compId=IGP06N60T-DTE.pdf?ci_sign=9ac35b215c56b00cc17deb3e21b51f59f54290eb
IGP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
50+1.46 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3171D35FF4FA8&compId=IGP06N60T-DTE.pdf?ci_sign=9ac35b215c56b00cc17deb3e21b51f59f54290eb
IGP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
50+1.46 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 Infineon_IGP06N60T_DS_v02_03_en-1731555.pdf
IGP06N60TXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.45 EUR
10+1.54 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB06N60T Infineon_IKB06N60T_DataSheet_v02_05_EN-3362625.pdf
IKB06N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.89 EUR
10+1.99 EUR
100+1.58 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.08 EUR
5000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB06N60TATMA1 Infineon_IKB06N60T_DataSheet_v02_05_EN-3362625.pdf
IKB06N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.04 EUR
10+1.94 EUR
100+1.35 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.88 EUR
5000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369
IKD06N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
Turn-on time: 19ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
59+1.23 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369
IKD06N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
Turn-on time: 19ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
59+1.23 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 Infineon_IKD06N60R_DS_v02_05_EN-1226890.pdf
IKD06N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.5 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RC2ATMA1 Infineon-IKD06N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652234ae34d20
IKD06N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.27 EUR
10+1.43 EUR
25+1.4 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C;   IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN-3361920.pdf
IKD06N60RF
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.29 EUR
10+1.44 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN-3361920.pdf
IKD06N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.29 EUR
10+1.44 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN06N60RC2ATMA1 Infineon-IKN06N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a73d90769
IKN06N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.76 EUR
10+1.2 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE2747C5EC7820&compId=IKP06N60T.pdf?ci_sign=fe7eb39bc96303d3dfea9fcce07ee1c6ee3290c4
IKP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 15ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
42+1.73 EUR
46+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE2747C5EC7820&compId=IKP06N60T.pdf?ci_sign=fe7eb39bc96303d3dfea9fcce07ee1c6ee3290c4
IKP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 15ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
42+1.73 EUR
46+1.56 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60A sihfib6n.pdf
Hersteller: Vishay
N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee
IRFIB6N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
35+2.07 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF sihfib6n.pdf
IRFIB6N60APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.86 EUR
10+4.36 EUR
25+2.64 EUR
1000+2.62 EUR
5000+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162
IXFA16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162
IXFA16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N60X3 media-3321973.pdf
IXFA36N60X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO263 600V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.02 EUR
10+9.24 EUR
50+7.78 EUR
100+6.79 EUR
250+6.55 EUR
500+5.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492
IXFH26N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.33 EUR
9+8.12 EUR
10+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P media-3321580.pdf
IXFH26N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 26A
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.29 EUR
10+13.52 EUR
30+9.61 EUR
510+9.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec
IXFH36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.17 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P media-3323767.pdf
IXFH36N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 36A
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60X3 media-3320246.pdf
IXFH36N60X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 600V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.01 EUR
10+11.14 EUR
30+8.48 EUR
120+7.3 EUR
270+7.08 EUR
510+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK36N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec
IXFK36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK36N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec
IXFK36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162
IXFP16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.92 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162
IXFP16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.92 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP36N60X3 media-3321337.pdf
IXFP36N60X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 600V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.02 EUR
10+9.24 EUR
50+8.25 EUR
100+7.73 EUR
250+7.67 EUR
500+6.16 EUR
1000+6.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.35 EUR
15+4.85 EUR
16+4.58 EUR
30+4.42 EUR
120+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.35 EUR
15+4.85 EUR
16+4.58 EUR
30+4.42 EUR
120+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 media-3322636.pdf
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 600V IGBTs
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.22 EUR
10+8.11 EUR
30+5.26 EUR
120+4.51 EUR
510+4.4 EUR
1020+4.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4
IXGH36N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 47ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4
IXGH36N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 47ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60P media-3322813.pdf
IXTH26N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.19 EUR
10+13.06 EUR
30+8.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBES16N60R ENG_DS_9_2381880_9_B-2325933.pdf
PBES16N60R
Hersteller: TE Connectivity / Alcoswitch
Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+77.28 EUR
10+70.45 EUR
25+65.17 EUR
50+60.79 EUR
100+55.33 EUR
250+54.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA186N60EF-GE3 siha186n60ef.pdf
SIHA186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.41 EUR
10+5.02 EUR
25+4.54 EUR
100+4.31 EUR
500+4.22 EUR
1000+3.59 EUR
2000+2.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB186N60EF-GE3 sihb186n60ef.pdf
SIHB186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.83 EUR
10+5.67 EUR
25+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD186N60EF-GE3 sihd186n60ef.pdf
SIHD186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.32 EUR
10+2.55 EUR
100+2.48 EUR
500+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3 sihg026n60ef.pdf
SIHG026N60EF-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.64 EUR
10+13.38 EUR
100+13.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH186N60EF-T1GE3 sihh186n60ef.pdf
SIHH186N60EF-T1GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.06 EUR
10+6.04 EUR
100+4.47 EUR
500+4.38 EUR
1000+4.29 EUR
3000+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH26N60E-T1-GE3 sihh26n60e.pdf
SIHH26N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.75 EUR
10+6.76 EUR
100+4.89 EUR
1000+4.7 EUR
3000+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH26N60EF-T1-GE3 sihh26n60ef.pdf
SiHH26N60EF-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.18 EUR
3000+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP186N60EF-GE3 sihp186n60ef.pdf
SIHP186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.18 EUR
10+4.63 EUR
100+3.1 EUR
1000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD06N60C3ATMA1 Infineon_SPD06N60C3_DataSheet_v02_02_EN-3363720.pdf
SPD06N60C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.19 EUR
10+2.69 EUR
100+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.32 EUR
5000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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