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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SSS6N60A SSS6N60A
Produktcode: 43341
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Samsung sss6n60a-samsung.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
1+1.66 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS6N60A SSS6N60A
Produktcode: 172151
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Fairchild Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 93 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2
Produktcode: 155644
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ST stf6n60m2.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
auf Bestellung 31 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6n60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6N60C FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT106N60LC6 APT106N60LC6 Microchip Technology APT47N60B_SC3(G)_F.pdf MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.72 EUR
100+27.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF16N60 FCPF16N60 onsemi / Fairchild 163225CD516F2F8AB7AEC53A50A20A260CB31771F198C010BC4338873B862D50.pdf MOSFETs 600V N-CH SuperFET
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.53 EUR
10+3.82 EUR
100+3.64 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HI1206N601R-10 HI1206N601R-10 Laird Technologies 232C939125EDDCA541C4316B82AF3318D5452D08305A2DD92D9330C625570F12.pdf Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
auf Bestellung 3680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
10+0.31 EUR
25+0.27 EUR
50+0.24 EUR
100+0.22 EUR
250+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1 Infineon INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGD06N60T-DS-v02_02-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 10330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.44 EUR
10+0.87 EUR
100+0.65 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60T IGP06N60T Infineon Technologies Infineon-IGP06N60T-DS-v02_03-en.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.47 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3171D35FF4FA8&compId=IGP06N60T-DTE.pdf?ci_sign=9ac35b215c56b00cc17deb3e21b51f59f54290eb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3171D35FF4FA8&compId=IGP06N60T-DTE.pdf?ci_sign=9ac35b215c56b00cc17deb3e21b51f59f54290eb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGP06N60T-DS-v02_03-en.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+1.08 EUR
100+0.96 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB06N60T IKB06N60T Infineon Technologies Infineon-IKB06N60T-DataSheet-v02_05-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.9 EUR
10+1.85 EUR
100+1.29 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB06N60T-DataSheet-v02_05-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+1.9 EUR
100+1.4 EUR
500+1.24 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.87 EUR
5000+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.62 EUR
70+1.03 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
70+1.03 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N60R_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
auf Bestellung 2079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD06N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 4459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.09 EUR
100+0.75 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C;   IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF IKD06N60RF Infineon Technologies Infineon-IKD06N60RF-DataSheet-v02_04-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.38 EUR
100+0.91 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD06N60RF-DataSheet-v02_04-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+1.12 EUR
100+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN06N60RC2ATMA1 IKN06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN06N60RC2_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE2747C5EC7820&compId=IKP06N60T.pdf?ci_sign=fe7eb39bc96303d3dfea9fcce07ee1c6ee3290c4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+1.99 EUR
49+1.49 EUR
64+1.13 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE2747C5EC7820&compId=IKP06N60T.pdf?ci_sign=fe7eb39bc96303d3dfea9fcce07ee1c6ee3290c4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
49+1.49 EUR
64+1.13 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60A Vishay sihfib6n.pdf N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.23 EUR
50+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
50+1.94 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Vishay Semiconductors sihfib6n.pdf MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.2 EUR
9+8.71 EUR
10+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_36N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 36A
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IXFH36N60X3 IXFH36N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfh36n60x3_datasheet.pdf MOSFETs TO247 600V 36A N-CH X3CLASS
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IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFP36N60X3 IXFP36N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfp36n60x3_datasheet.pdf MOSFETs TO220 600V 36A N-CH X3CLASS
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IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
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IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
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IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH36N60B3_Datasheet.PDF IGBTs GenX3 600V IGBTs
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IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
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IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
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Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
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IXTH26N60P IXTH26N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTH26N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
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PBES16N60R PBES16N60R TE Connectivity / Alcoswitch DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=9-2381880-9&DocType=DS&DocLang=English Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
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SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix siha186n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
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SIHB186N60EF-GE3 SIHB186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb186n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
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10+2.87 EUR
100+2.76 EUR
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SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihd186n60ef.pdf MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2925 Stücke:
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10+2.5 EUR
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SIHG026N60EF-GE3 SIHG026N60EF-GE3 Vishay sihg026n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
auf Bestellung 995 Stücke:
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10+13.43 EUR
100+12.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH186N60EF-T1GE3 SIHH186N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix sihh186n60ef.pdf MOSFETs PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2503 Stücke:
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10+5.91 EUR
100+4.28 EUR
500+4.19 EUR
1000+4.1 EUR
3000+3.56 EUR
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SIHH26N60E-T1-GE3 SIHH26N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh26n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2902 Stücke:
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1+8.76 EUR
10+6.46 EUR
100+4.68 EUR
1000+4.59 EUR
3000+4.42 EUR
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SiHH26N60EF-T1-GE3 SiHH26N60EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh26n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2920 Stücke:
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3000+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP186N60EF-GE3 SIHP186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp186n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.21 EUR
10+4.49 EUR
100+3.15 EUR
500+2.83 EUR
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SPD06N60C3ATMA1 SPD06N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD06N60C3_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2500 Stücke:
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1+4 EUR
10+2.57 EUR
100+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.26 EUR
5000+1.22 EUR
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STD16N60M2 STD16N60M2 STMicroelectronics en.DM00148347.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 8694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+1.03 EUR
100+0.98 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.84 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STD6N60DM2 STD6N60DM2 STMicroelectronics std6n60dm2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 2253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+1.94 EUR
100+1.34 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS6N60A
Produktcode: 43341
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sss6n60a-samsung.pdf
SSS6N60A
Hersteller: Samsung
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
Anzahl Preis
1+1.66 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS6N60A
Produktcode: 172151
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SSS6N60A
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 93 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STF6N60M2
Produktcode: 155644
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stf6n60m2.pdf
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
auf Bestellung 31 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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6n60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
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6N60C
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
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APT106N60LC6 APT47N60B_SC3(G)_F.pdf
APT106N60LC6
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+31.72 EUR
100+27.37 EUR
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FCPF16N60 163225CD516F2F8AB7AEC53A50A20A260CB31771F198C010BC4338873B862D50.pdf
FCPF16N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH SuperFET
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.53 EUR
10+3.82 EUR
100+3.64 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HI1206N601R-10 232C939125EDDCA541C4316B82AF3318D5452D08305A2DD92D9330C625570F12.pdf
HI1206N601R-10
Hersteller: Laird Technologies
Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
auf Bestellung 3680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.44 EUR
10+0.31 EUR
25+0.27 EUR
50+0.24 EUR
100+0.22 EUR
250+0.18 EUR
500+0.16 EUR
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IGD06N60TATMA1 INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
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Anzahl Preis
20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IGD06N60TATMA1 Infineon-IGD06N60T-DS-v02_02-EN.pdf
IGD06N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
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Anzahl Preis
2+1.44 EUR
10+0.87 EUR
100+0.65 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IGP06N60T Infineon-IGP06N60T-DS-v02_03-en.pdf
IGP06N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1906 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.47 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IGP06N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3171D35FF4FA8&compId=IGP06N60T-DTE.pdf?ci_sign=9ac35b215c56b00cc17deb3e21b51f59f54290eb
IGP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3171D35FF4FA8&compId=IGP06N60T-DTE.pdf?ci_sign=9ac35b215c56b00cc17deb3e21b51f59f54290eb
IGP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 Infineon-IGP06N60T-DS-v02_03-en.pdf
IGP06N60TXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.29 EUR
10+1.08 EUR
100+0.96 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB06N60T Infineon-IKB06N60T-DataSheet-v02_05-EN.pdf
IKB06N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.9 EUR
10+1.85 EUR
100+1.29 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB06N60TATMA1 Infineon-IKB06N60T-DataSheet-v02_05-EN.pdf
IKB06N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.99 EUR
10+1.9 EUR
100+1.4 EUR
500+1.24 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.87 EUR
5000+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369
IKD06N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
70+1.03 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369
IKD06N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
70+1.03 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 Infineon_IKD06N60R_DS_v02_05_EN.pdf
IKD06N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
auf Bestellung 2079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.92 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RC2ATMA1 Infineon-IKD06N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 4459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.85 EUR
10+1.09 EUR
100+0.75 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C;   IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF Infineon-IKD06N60RF-DataSheet-v02_04-EN.pdf
IKD06N60RF
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.18 EUR
10+1.38 EUR
100+0.91 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 Infineon-IKD06N60RF-DataSheet-v02_04-EN.pdf
IKD06N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.16 EUR
10+1.12 EUR
100+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN06N60RC2ATMA1 Infineon_IKN06N60RC2_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKN06N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.64 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE2747C5EC7820&compId=IKP06N60T.pdf?ci_sign=fe7eb39bc96303d3dfea9fcce07ee1c6ee3290c4
IKP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
49+1.49 EUR
64+1.13 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE2747C5EC7820&compId=IKP06N60T.pdf?ci_sign=fe7eb39bc96303d3dfea9fcce07ee1c6ee3290c4
IKP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
49+1.49 EUR
64+1.13 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60A sihfib6n.pdf
Hersteller: Vishay
N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee
IRFIB6N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
50+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee
IRFIB6N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
50+1.94 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF sihfib6n.pdf
IRFIB6N60APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.92 EUR
10+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162
IXFA16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162
IXFA16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492
IXFH26N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.2 EUR
9+8.71 EUR
10+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492
IXFH26N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.2 EUR
9+8.71 EUR
10+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH26N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH26N60P_Datasheet.PDF
IXFH26N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 26A
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.08 EUR
10+8.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec
IXFH36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec
IXFH36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_36N60P_Datasheet.PDF
IXFH36N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 36A
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfh36n60x3_datasheet.pdf
IXFH36N60X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 600V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.92 EUR
10+7.8 EUR
120+7.08 EUR
510+6.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162
IXFP16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
50+3.98 EUR
100+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D52E81740A5820&compId=IXFA(H%2CP)16N60P3.pdf?ci_sign=5bf62970bec965613ad22cf903e4c096360d3162
IXFP16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
50+3.98 EUR
100+3.68 EUR
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IXFP36N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfp36n60x3_datasheet.pdf
IXFP36N60X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 600V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+11.4 EUR
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100+6.04 EUR
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IXGH36N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 227 Stücke:
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Anzahl Preis
12+6.49 EUR
14+5.22 EUR
30+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXGH36N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA930AC9867820&compId=IXGH36N60B3.pdf?ci_sign=08c7d1e2a9e74db587475c9314ff2d5aee6bc56b
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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12+6.49 EUR
14+5.22 EUR
30+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXGH36N60B3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH36N60B3_Datasheet.PDF
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 600V IGBTs
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1+8.99 EUR
10+4.89 EUR
120+4.29 EUR
510+4.12 EUR
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IXGH36N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4
IXGH36N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
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IXGH36N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E0E8A4CB5E28&compId=IXGx36N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=07bf7e4ba852ade077c7d931cbc7da7c0d97fec4
IXGH36N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTH26N60P_Datasheet.PDF
IXTH26N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
auf Bestellung 121 Stücke:
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Anzahl Preis
1+15.31 EUR
10+8.47 EUR
120+7.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBES16N60R DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=9-2381880-9&DocType=DS&DocLang=English
PBES16N60R
Hersteller: TE Connectivity / Alcoswitch
Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
auf Bestellung 33 Stücke:
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Anzahl Preis
1+73.85 EUR
10+67.32 EUR
25+62.27 EUR
50+58.1 EUR
100+52.87 EUR
250+51.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA186N60EF-GE3 siha186n60ef.pdf
SIHA186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.86 EUR
10+3.84 EUR
100+2.83 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB186N60EF-GE3 sihb186n60ef.pdf
SIHB186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.74 EUR
10+2.87 EUR
100+2.76 EUR
500+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD186N60EF-GE3 sihd186n60ef.pdf
SIHD186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.96 EUR
10+2.5 EUR
100+2.43 EUR
500+2.11 EUR
9000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3 sihg026n60ef.pdf
SIHG026N60EF-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.76 EUR
10+13.43 EUR
100+12.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH186N60EF-T1GE3 sihh186n60ef.pdf
SIHH186N60EF-T1GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.9 EUR
10+5.91 EUR
100+4.28 EUR
500+4.19 EUR
1000+4.1 EUR
3000+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH26N60E-T1-GE3 sihh26n60e.pdf
SIHH26N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.76 EUR
10+6.46 EUR
100+4.68 EUR
1000+4.59 EUR
3000+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH26N60EF-T1-GE3 sihh26n60ef.pdf
SiHH26N60EF-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.14 EUR
3000+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP186N60EF-GE3 sihp186n60ef.pdf
SIHP186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.21 EUR
10+4.49 EUR
100+3.15 EUR
500+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD06N60C3ATMA1 Infineon_SPD06N60C3_DataSheet_v02_02_EN.pdf
SPD06N60C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4 EUR
10+2.57 EUR
100+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.26 EUR
5000+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N60M2 en.DM00148347.pdf
STD16N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 8694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.17 EUR
10+1.03 EUR
100+0.98 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.84 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N60DM2 std6n60dm2.pdf
STD6N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 2253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.03 EUR
10+1.94 EUR
100+1.34 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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