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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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SPA17N80C3 Produktcode: 29151
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 800 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91 JHGF: THT |
auf Bestellung 50 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SPB17N80C3 Produktcode: 37324
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
![]() Gehäuse: D2Pak Uds,V: 800 Idd,A: 11 Rds(on), Ohm: 0.25 Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88 JHGF: SMD |
auf Bestellung 18 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IXFA7N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 250ns |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFA7N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP7N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 250ns |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP7N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP7N80P | IXYS |
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auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFX27N80Q | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFX27N80Q | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHA17N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB17N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 9796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB17N80AE-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHB17N80E-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 7349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG17N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG17N80E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP17N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP17N80AEF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1717 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP17N80E-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 3926 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP17N80E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 2426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPA17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 42W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA17N80C3 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPA17N80C3XK | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPA17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPB17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 227W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPB17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 227W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPB17N80C3 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPB17N80C3 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPB17N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2657 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP17N80C3 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPW17N80C3 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPW17N80C3A | Infineon |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD7N80K5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF17N80K5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF7N80K5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP17N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP17N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP7N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperMESH5™ Version: ESD |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7N80K5 | ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP7N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperMESH5™ Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STU7N80K5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1841 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WML07N80M3 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.8A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ M3 |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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17N80C3 | INFINEON | 09+ 3/TO220 |
auf Bestellung 2048 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
APT17N80BC3 | APT |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
APT17N80SC3 |
auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FQA7N80 | Fairchild |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQB7N80 | FAIRC | 09+ DIP16 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQB7N80 | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQB7N80 | FAIRCHILD |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FQB7N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQB7N80 | FAIRCHILD | SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQP7N80 | FSC |
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auf Bestellung 7010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQPF7N80 | FSC |
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auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQPF7N80 | Fairchild |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQPF7N80C | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
SPA17N80C3 Produktcode: 29151
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91
JHGF: THT
auf Bestellung 50 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPB17N80C3 Produktcode: 37324
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 800
Idd,A: 11
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 800
Idd,A: 11
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
JHGF: SMD
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFA7N80P |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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9+ | 7.95 EUR |
IXFA7N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 7.95 EUR |
17+ | 4.2 EUR |
500+ | 2.62 EUR |
IXFP7N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.27 EUR |
29+ | 2.46 EUR |
IXFP7N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.27 EUR |
29+ | 2.46 EUR |
IXFP7N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
MOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.32 EUR |
10+ | 5.26 EUR |
500+ | 5.16 EUR |
IXFX27N80Q |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 24.72 EUR |
4+ | 23.38 EUR |
30+ | 23.09 EUR |
IXFX27N80Q |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 24.72 EUR |
4+ | 23.38 EUR |
30+ | 23.09 EUR |
120+ | 22.48 EUR |
SIHA17N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.46 EUR |
10+ | 2.15 EUR |
100+ | 2.09 EUR |
SIHB17N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 800V 15A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 800V 15A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.44 EUR |
10+ | 2.75 EUR |
100+ | 2.6 EUR |
500+ | 2.13 EUR |
1000+ | 1.97 EUR |
5000+ | 1.92 EUR |
10000+ | 1.85 EUR |
SIHB17N80AE-T1-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 16800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 2.12 EUR |
SIHB17N80E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 7349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.11 EUR |
10+ | 6.42 EUR |
100+ | 5.21 EUR |
500+ | 4.52 EUR |
1000+ | 4.47 EUR |
SIHG17N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.47 EUR |
10+ | 3.7 EUR |
100+ | 3.01 EUR |
500+ | 2.55 EUR |
1000+ | 2.5 EUR |
2500+ | 2.46 EUR |
SIHG17N80E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.17 EUR |
10+ | 6.93 EUR |
100+ | 5.61 EUR |
500+ | 5 EUR |
1000+ | 4.28 EUR |
SIHP17N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.68 EUR |
10+ | 2.68 EUR |
100+ | 2.53 EUR |
500+ | 2.08 EUR |
1000+ | 2.04 EUR |
2000+ | 1.97 EUR |
SIHP17N80AEF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.84 EUR |
10+ | 3.59 EUR |
100+ | 2.62 EUR |
500+ | 2.15 EUR |
1000+ | 2.13 EUR |
2000+ | 1.97 EUR |
SIHP17N80E-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.34 EUR |
10+ | 5.4 EUR |
100+ | 4.75 EUR |
500+ | 4.36 EUR |
1000+ | 3.8 EUR |
5000+ | 3.75 EUR |
SIHP17N80E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.74 EUR |
10+ | 6.11 EUR |
100+ | 4.93 EUR |
500+ | 4.44 EUR |
SPA17N80C3 | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.28 EUR |
22+ | 3.3 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
SPA17N80C3 | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 3444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.42 EUR |
10+ | 5.03 EUR |
100+ | 4.07 EUR |
500+ | 3.56 EUR |
1000+ | 3.1 EUR |
2500+ | 2.92 EUR |
5000+ | 2.9 EUR |
SPA17N80C3XK |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.42 EUR |
10+ | 5.03 EUR |
100+ | 4.07 EUR |
500+ | 3.56 EUR |
1000+ | 3.1 EUR |
2500+ | 2.92 EUR |
SPA17N80C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.63 EUR |
25+ | 3.68 EUR |
100+ | 3.48 EUR |
500+ | 2.92 EUR |
1000+ | 2.9 EUR |
SPB17N80C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.72 EUR |
14+ | 5.15 EUR |
15+ | 4.88 EUR |
250+ | 4.69 EUR |
SPB17N80C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.72 EUR |
14+ | 5.15 EUR |
15+ | 4.88 EUR |
250+ | 4.69 EUR |
SPB17N80C3 |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 8.81 EUR |
SPB17N80C3 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 2682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.78 EUR |
10+ | 5.3 EUR |
100+ | 4.28 EUR |
500+ | 3.8 EUR |
1000+ | 3.26 EUR |
2000+ | 3.08 EUR |
SPB17N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 2657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6 EUR |
10+ | 4.68 EUR |
100+ | 3.8 EUR |
250+ | 3.7 EUR |
500+ | 3.64 EUR |
1000+ | 3.38 EUR |
5000+ | 3.26 EUR |
SPP17N80C3 | ![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.36 EUR |
22+ | 3.33 EUR |
23+ | 3.15 EUR |
SPP17N80C3 | ![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.36 EUR |
22+ | 3.33 EUR |
23+ | 3.15 EUR |
1000+ | 3.03 EUR |
SPP17N80C3 | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.78 EUR |
10+ | 5.3 EUR |
100+ | 4.28 EUR |
500+ | 3.8 EUR |
1000+ | 3.26 EUR |
2500+ | 3.08 EUR |
SPP17N80C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.27 EUR |
10+ | 6.9 EUR |
25+ | 3.17 EUR |
100+ | 3.06 EUR |
SPW17N80C3 | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.28 EUR |
12+ | 5.99 EUR |
13+ | 5.68 EUR |
SPW17N80C3 | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.28 EUR |
12+ | 5.99 EUR |
13+ | 5.68 EUR |
SPW17N80C3 | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.03 EUR |
10+ | 6.62 EUR |
100+ | 5.35 EUR |
240+ | 5.33 EUR |
480+ | 4.75 EUR |
1200+ | 4.07 EUR |
2640+ | 3.84 EUR |
SPW17N80C3A |
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Hersteller: Infineon
MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD
MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 16.32 EUR |
SPW17N80C3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.69 EUR |
10+ | 7.6 EUR |
25+ | 3.59 EUR |
100+ | 3.57 EUR |
STD7N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
MOSFETs N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
auf Bestellung 2337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.22 EUR |
10+ | 2.59 EUR |
100+ | 1.85 EUR |
500+ | 1.52 EUR |
1000+ | 1.4 EUR |
2500+ | 1.29 EUR |
STF17N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.34 EUR |
10+ | 5.28 EUR |
100+ | 4.4 EUR |
500+ | 3.22 EUR |
1000+ | 3.13 EUR |
STF7N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
MOSFETs N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
auf Bestellung 1624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.36 EUR |
10+ | 1.95 EUR |
500+ | 1.76 EUR |
1000+ | 1.55 EUR |
2000+ | 1.45 EUR |
STP17N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 5.96 EUR |
18+ | 4.1 EUR |
19+ | 3.89 EUR |
STP17N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 5.96 EUR |
18+ | 4.1 EUR |
19+ | 3.89 EUR |
STP7N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.51 EUR |
STP7N80K5 |
![]() |
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 5 EUR |
STP7N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.51 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
STU7N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
MOSFETs N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.31 EUR |
10+ | 2.78 EUR |
100+ | 1.99 EUR |
500+ | 1.66 EUR |
1000+ | 1.43 EUR |
3000+ | 1.35 EUR |
6000+ | 1.31 EUR |
WML07N80M3 |
![]() |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ M3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ M3
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.56 EUR |
17N80C3 |
Hersteller: INFINEON
09+ 3/TO220
09+ 3/TO220
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APT17N80BC3 |
Hersteller: APT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APT17N80SC3 |
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQA7N80 |
![]() |
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQB7N80 |
Hersteller: FAIRC
09+ DIP16
09+ DIP16
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQB7N80 |
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQB7N80 |
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQB7N80 |
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQB7N80 |
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQP7N80 |
![]() |
Hersteller: FSC
auf Bestellung 7010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQPF7N80 |
![]() |
Hersteller: FSC
00+ TO-220
00+ TO-220
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQPF7N80 |
![]() |
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQPF7N80C |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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