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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXFH46N65X2 | IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH46N65X2 | IXYS |
MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2 |
auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH46N65X2W | IXYS |
MOSFETs 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247 |
auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH46N65X3 | IXYS |
MOSFETs TO247 650V 46A N-CH X3CLASS |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFP26N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 460W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHB6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHD6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
auf Bestellung 5490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHF6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHJ6N65E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L |
auf Bestellung 5661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHU6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251) |
auf Bestellung 2638 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB6N65K3 | STMicroelectronics | MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE |
auf Bestellung 1992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD16N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
auf Bestellung 2489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD16N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD16N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD6N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
auf Bestellung 2892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF16N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 19.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF16N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package |
auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF16N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF16N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH |
auf Bestellung 8291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF26N65DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF6N65K3 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3 |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL16N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 |
auf Bestellung 1340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP16N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STP16N65M5 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP16N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STU16N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package |
auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STU6N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package |
auf Bestellung 2914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW56N65DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 360W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW56N65DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag |
auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW56N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 31A Pulsed drain current: 196A Power dissipation: 358W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TRS16N65FB,S1Q | Toshiba |
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WMK16N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMK36N65C4 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 277W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WML26N65C4 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMN16N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPF06N65 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SPA26N65C3 |
auf Bestellung 2002 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| STF16N65M5 |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STI16N65M5 |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STU6N65K3 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| TMPF6N65G |
auf Bestellung 19102 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| YMP6N65BCD |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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STD16N65M2 Produktcode: 198608
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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STD16N65M5 Produktcode: 189591
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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STF16N65M5 Produktcode: 201571
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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STF6N65K3 Produktcode: 198720
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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STP16N65M5 (Transistor feld- N-Kanal) Produktcode: 43778
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Lieblingsprodukt
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BXP16N65F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.1A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 43W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IXFH26N65X2 | IXYS |
MOSFETs TO247 650V 26A N-CH X2CLASS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IXFP26N65X2 | IXYS |
MOSFETs TO220 650V 26A N-CH X2CLASS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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KSM6----N6--5-- | Essentra |
Knobs & Dials Self-Assembly Push Pull Knob 1.000 in Diameter |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SiHA6N65E-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SIHA6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHB6N65E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SIHD6N65E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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SIHD6N65ET1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SIHD6N65ET4-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SIHD6N65ET5-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHF6N65E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFH46N65X2 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 10.22 EUR |
| 10+ | 7.76 EUR |
| IXFH46N65X2 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 20.79 EUR |
| 10+ | 12.51 EUR |
| 120+ | 11.35 EUR |
| IXFH46N65X2W |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
MOSFETs 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 19.27 EUR |
| 10+ | 13.94 EUR |
| 120+ | 11.62 EUR |
| 510+ | 10.33 EUR |
| 1020+ | 9.68 EUR |
| IXFH46N65X3 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 19.17 EUR |
| 10+ | 13.87 EUR |
| 120+ | 10.16 EUR |
| IXFP26N65X2 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 9.01 EUR |
| 10+ | 8.34 EUR |
| SIHB6N65E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.38 EUR |
| 10+ | 2.83 EUR |
| 100+ | 1.95 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| 2000+ | 1.36 EUR |
| SIHD6N65E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.78 EUR |
| 10+ | 1.74 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| SIHF6N65E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.28 EUR |
| 10+ | 3.43 EUR |
| 100+ | 2.38 EUR |
| 500+ | 1.99 EUR |
| 1000+ | 1.83 EUR |
| 2000+ | 1.74 EUR |
| SIHJ6N65E-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 5661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.77 EUR |
| 10+ | 3.08 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.72 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |
| 3000+ | 1.58 EUR |
| SIHP6N65E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.7 EUR |
| 10+ | 3.04 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.54 EUR |
| SIHU6N65E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.05 EUR |
| 10+ | 2.6 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| 3000+ | 1.21 EUR |
| STB6N65K3 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.08 EUR |
| 10+ | 1.99 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.16 EUR |
| 1000+ | 0.97 EUR |
| 2000+ | 0.93 EUR |
| STD16N65M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.59 EUR |
| 10+ | 2.9 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| 500+ | 1.66 EUR |
| 1000+ | 1.57 EUR |
| 2500+ | 1.47 EUR |
| STD16N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 3.35 EUR |
| 26+ | 2.77 EUR |
| 29+ | 2.47 EUR |
| 50+ | 2 EUR |
| STD16N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.83 EUR |
| 10+ | 3.82 EUR |
| 100+ | 2.66 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
| 1000+ | 2.16 EUR |
| 2500+ | 2.01 EUR |
| STD6N65M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.25 EUR |
| 10+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |
| 2500+ | 0.61 EUR |
| STF16N65M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.66 EUR |
| 34+ | 2.1 EUR |
| STF16N65M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.24 EUR |
| 10+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.35 EUR |
| 2000+ | 1.31 EUR |
| STF16N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 3.75 EUR |
| 21+ | 3.55 EUR |
| 22+ | 3.39 EUR |
| 26+ | 2.83 EUR |
| STF16N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH
MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH
auf Bestellung 8291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.44 EUR |
| 10+ | 3.29 EUR |
| 100+ | 2.97 EUR |
| 500+ | 2.45 EUR |
| 1000+ | 2.29 EUR |
| STF26N65DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.48 EUR |
| 10+ | 4.26 EUR |
| 100+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 2.83 EUR |
| 1000+ | 2.52 EUR |
| STF6N65K3 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.16 EUR |
| 10+ | 2.85 EUR |
| 100+ | 2.06 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| 1000+ | 1.68 EUR |
| STL16N65M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.86 EUR |
| 10+ | 3.15 EUR |
| 100+ | 2.22 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.72 EUR |
| 3000+ | 1.57 EUR |
| STP16N65M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.59 EUR |
| 10+ | 2.97 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| 500+ | 1.66 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| 2000+ | 1.48 EUR |
| 5000+ | 1.41 EUR |
| STP16N65M5 |
|
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 7.4 EUR |
| STP16N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.09 EUR |
| 10+ | 3.15 EUR |
| 100+ | 2.87 EUR |
| 500+ | 2.32 EUR |
| 1000+ | 2.15 EUR |
| 2000+ | 2.01 EUR |
| STU16N65M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| 1000+ | 1.48 EUR |
| STU6N65M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
auf Bestellung 2914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.66 EUR |
| 10+ | 1.35 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 3000+ | 0.65 EUR |
| STW56N65DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 10.77 EUR |
| STW56N65DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.97 EUR |
| 10+ | 11.3 EUR |
| 100+ | 9.66 EUR |
| 600+ | 9.22 EUR |
| STW56N65M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 358W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 358W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 9.91 EUR |
| 9+ | 8.18 EUR |
| 10+ | 7.19 EUR |
| TRS16N65FB,S1Q |
|
Hersteller: Toshiba
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.46 EUR |
| 10+ | 9.2 EUR |
| 120+ | 6.44 EUR |
| 510+ | 6 EUR |
| WMK16N65C2 |
|
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 28+ | 2.56 EUR |
| 34+ | 2.13 EUR |
| 43+ | 1.7 EUR |
| 56+ | 1.29 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 250+ | 1.06 EUR |
| WMK36N65C4 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 21+ | 3.46 EUR |
| 23+ | 3.22 EUR |
| 50+ | 3 EUR |
| 100+ | 2.69 EUR |
| 250+ | 2.63 EUR |
| WML26N65C4 |
|
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 36+ | 1.99 EUR |
| 41+ | 1.77 EUR |
| 46+ | 1.57 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| WMN16N65C2 |
|
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.2 EUR |
| SPA26N65C3 |
auf Bestellung 2002 Stücke:
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| STI16N65M5 |
|
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| STU6N65K3 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TMPF6N65G |
auf Bestellung 19102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| YMP6N65BCD |
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| STD16N65M2 Produktcode: 198608
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| STD16N65M5 Produktcode: 189591
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| STF16N65M5 Produktcode: 201571
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|
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| STF6N65K3 Produktcode: 198720
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|
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| STP16N65M5 (Transistor feld- N-Kanal) Produktcode: 43778
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| BXP16N65F |
|
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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| IXFH26N65X2 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
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| IXFP26N65X2 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 650V 26A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO220 650V 26A N-CH X2CLASS
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Stück im Wert von UAH
| KSM6----N6--5-- |
|
Hersteller: Essentra
Knobs & Dials Self-Assembly Push Pull Knob 1.000 in Diameter
Knobs & Dials Self-Assembly Push Pull Knob 1.000 in Diameter
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| SiHA6N65E-E3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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| SIHA6N65E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET
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| SIHB6N65E-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIHD6N65E-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
| SIHD6N65ET1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252
MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SIHD6N65ET4-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252
MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIHD6N65ET5-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252
MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SIHF6N65E-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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