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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
16N65F GOODWORK Description: 650V 16A 550m@10V TO-220F
auf Bestellung 10000 Stücke:
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50+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N65ET6ARMA1 IKD06N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD06N65ET6-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5568 Stücke:
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1+5.3 EUR
10+3.42 EUR
100+2.37 EUR
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3000+1.7 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS IXFH46N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.16 EUR
10+9.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfh46n65x2-datasheet?assetguid=ad91230a-7477-47d1-9aed-c4a5de3b76d9 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
auf Bestellung 5150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.69 EUR
30+14.9 EUR
120+12.76 EUR
510+11.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFH46N65X2-Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
auf Bestellung 366 Stücke:
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1+24.23 EUR
10+14.61 EUR
120+13.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2W IXFH46N65X2W IXYS ixfh64n65x2w-datasheet?assetguid=8f26fe38-2800-4147-8599-7c18fc4773c8 Description: 650V 69m 46A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.79 EUR
30+13.65 EUR
120+11.65 EUR
510+10.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2W IXFH46N65X2W IXYS Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFH46N65X2W_Datasheet.pdf MOSFETs 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.35 EUR
10+13.4 EUR
120+11.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X3 IXFH46N65X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfh46n65x3_datasheet.pdf MOSFETs TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.24 EUR
10+15.43 EUR
120+12.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X3 IXFH46N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6 Description: MOSFET 46A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.66 EUR
10+15.73 EUR
300+10.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS 238_K248734.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.72 EUR
10+9.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS 238_K248734.pdf Description: IXFP26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.66 EUR
50+12.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSM6----N6--5-- KSM6----N6--5-- Essentra Components Plastic_Knobs.pdf Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M6
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
auf Bestellung 1696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
12+1.76 EUR
13+1.64 EUR
25+1.5 EUR
50+1.42 EUR
100+1.33 EUR
250+1.24 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT16N65HF MOT16N65HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_128.html Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+3.46 EUR
100+2.08 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA6N65E-GE3 SIHA6N65E-GE3 Vishay Siliconix siha6n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA6N65E-GE3 SIHA6N65E-GE3 Vishay Siliconix siha6n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB6N65E-GE3 SIHB6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihb6n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.37 EUR
100+2.32 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.64 EUR
2000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
auf Bestellung 2552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
75+2.09 EUR
150+1.89 EUR
525+1.59 EUR
1050+1.46 EUR
2025+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihd6n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 5447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.07 EUR
100+1.86 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF6N65E-GE3 SIHF6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihf6n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+4.08 EUR
100+2.83 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.09 EUR
5000+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N65E-GE3 SIHG026N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg026n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.42 EUR
25+17.74 EUR
100+15.2 EUR
500+13.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N65E-GE3 SIHG026N65E-GE3 Vishay Semiconductors sihg026n65e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.88 EUR
10+17.42 EUR
100+16.42 EUR
500+15.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ6N65E-T1-GE3 SIHJ6N65E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihj6n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 5661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.68 EUR
10+3.67 EUR
100+2.51 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.95 EUR
3000+1.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL026N65E-GE3 SIHL026N65E-GE3 Vishay Semiconductors sihl026n65e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.52 EUR
10+15.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL026N65E-GE3 SIHL026N65E-GE3 Vishay Siliconix sihl026n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9286 pF @ 100 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.05 EUR
10+19.69 EUR
100+16.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N65E-GE3 SIHP6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.62 EUR
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.86 EUR
5000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N65E-GE3 SIHU6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihu6n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.49 EUR
6000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB6N65K3 STB6N65K3 STMicroelectronics MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.23 EUR
2000+1.15 EUR
5000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB6N65M2 STB6N65M2 STMicroelectronics MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.65 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.17 EUR
2000+1.12 EUR
5000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.65 EUR
5000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.57 EUR
10+3.61 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.68 EUR
23+3.75 EUR
26+3.32 EUR
50+2.45 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 4894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.06 EUR
10+4.62 EUR
100+3.22 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+4.55 EUR
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.57 EUR
2500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N65M2 STD6N65M2 STMicroelectronics en.DM00127825.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N65M2 STD6N65M2 STMicroelectronics en.DM00127825.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Gate charge: 19.5nC
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+3.5 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.75 EUR
5000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
50+2.69 EUR
100+2.42 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics STF16N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.82 EUR
19+4.66 EUR
20+4.39 EUR
21+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.81 EUR
50+3.99 EUR
100+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH
auf Bestellung 5782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.66 EUR
10+3.92 EUR
100+3.53 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.64 EUR
2000+2.53 EUR
5000+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N65DM2 STMicroelectronics stf26n65dm2.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+5.51 EUR
100+4.11 EUR
500+3.44 EUR
1000+3.17 EUR
2000+3.03 EUR
5000+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3 STF6N65K3 STMicroelectronics en.CD00297329.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 21.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.12 EUR
59+1.45 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3 STF6N65K3 STMicroelectronics en.CD00297329.pdf MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+3.39 EUR
100+2.45 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65M2 STF6N65M2 STMicroelectronics en.DM00128198.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+1.3 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFU6N65 STFU6N65 STMicroelectronics MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N65M2 STL16N65M2 STMicroelectronics en.DM00141948.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.8 EUR
100+2.64 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.05 EUR
3000+1.73 EUR
6000+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N65M2 STL16N65M2 STMicroelectronics en.DM00141948.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.95 EUR
10+3.86 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N65M2 STP16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140964.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.78 EUR
5000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N65M5 ST en.CD00218186.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+3.75 EUR
100+3.42 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
50+3.82 EUR
100+3.45 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N65DM2 STP26N65DM2 STMicroelectronics stp26n65dm2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.19 EUR
10+5.39 EUR
100+3.8 EUR
500+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU16N65M2 STU16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140964.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.08 EUR
100+2.4 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N65M2 STU6N65M2 STMicroelectronics en.DM00128198.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
auf Bestellung 2899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.61 EUR
100+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW56N65DM2 STW56N65DM2 STMicroelectronics STW56N65DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW56N65DM2 STW56N65DM2 STMicroelectronics STW56N65DM2.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.73 EUR
10+14.36 EUR
100+11.98 EUR
600+11.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW56N65M2 STW56N65M2 STMicroelectronics stw56n65m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 358W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.79 EUR
9+9.73 EUR
10+8.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
16N65F
Hersteller: GOODWORK
Description: 650V 16A 550m@10V TO-220F
auf Bestellung 10000 Stücke:
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50+1.08 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N65ET6ARMA1 Infineon-IKD06N65ET6-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKD06N65ET6ARMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
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1+5.3 EUR
10+3.42 EUR
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1000+1.77 EUR
3000+1.7 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2.pdf
IXFH46N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 211 Stücke:
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7+12.16 EUR
10+9.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixfh46n65x2-datasheet?assetguid=ad91230a-7477-47d1-9aed-c4a5de3b76d9
IXFH46N65X2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
auf Bestellung 5150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+24.69 EUR
30+14.9 EUR
120+12.76 EUR
510+11.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFH46N65X2-Datasheet.PDF
IXFH46N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
auf Bestellung 366 Stücke:
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1+24.23 EUR
10+14.61 EUR
120+13.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2W ixfh64n65x2w-datasheet?assetguid=8f26fe38-2800-4147-8599-7c18fc4773c8
IXFH46N65X2W
Hersteller: IXYS
Description: 650V 69m 46A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.79 EUR
30+13.65 EUR
120+11.65 EUR
510+10.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X2W Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFH46N65X2W_Datasheet.pdf
IXFH46N65X2W
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.35 EUR
10+13.4 EUR
120+11.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X3 littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfh46n65x3_datasheet.pdf
IXFH46N65X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 290 Stücke:
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1+22.24 EUR
10+15.43 EUR
120+12.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH46N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6
IXFH46N65X3
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET 46A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.66 EUR
10+15.73 EUR
300+10.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N65X2 238_K248734.pdf
IXFP26N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+10.72 EUR
10+9.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP26N65X2 238_K248734.pdf
IXFP26N65X2
Hersteller: IXYS
Description: IXFP26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.66 EUR
50+12.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSM6----N6--5-- Plastic_Knobs.pdf
KSM6----N6--5--
Hersteller: Essentra Components
Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M6
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
auf Bestellung 1696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.09 EUR
12+1.76 EUR
13+1.64 EUR
25+1.5 EUR
50+1.42 EUR
100+1.33 EUR
250+1.24 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT16N65HF index_128.html
MOT16N65HF
Hersteller: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.76 EUR
10+3.46 EUR
100+2.08 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA6N65E-GE3 siha6n65e.pdf
SIHA6N65E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA6N65E-GE3 siha6n65e.pdf
SIHA6N65E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.45 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB6N65E-GE3 sihb6n65e.pdf
SIHB6N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.21 EUR
10+3.37 EUR
100+2.32 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.64 EUR
2000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
auf Bestellung 2552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.58 EUR
75+2.09 EUR
150+1.89 EUR
525+1.59 EUR
1050+1.46 EUR
2025+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 5447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.5 EUR
10+2.07 EUR
100+1.86 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF6N65E-GE3 sihf6n65e.pdf
SIHF6N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.28 EUR
10+4.08 EUR
100+2.83 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.09 EUR
5000+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N65E-GE3 sihg026n65e.pdf
SIHG026N65E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+28.42 EUR
25+17.74 EUR
100+15.2 EUR
500+13.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N65E-GE3 sihg026n65e.pdf
SIHG026N65E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+27.88 EUR
10+17.42 EUR
100+16.42 EUR
500+15.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ6N65E-T1-GE3 sihj6n65e.pdf
SIHJ6N65E-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 5661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.68 EUR
10+3.67 EUR
100+2.51 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.95 EUR
3000+1.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL026N65E-GE3 sihl026n65e.pdf
SIHL026N65E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+27.52 EUR
10+15.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL026N65E-GE3 sihl026n65e.pdf
SIHL026N65E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9286 pF @ 100 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+28.05 EUR
10+19.69 EUR
100+16.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N65E-GE3 sihp6n65e.pdf
SIHP6N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.59 EUR
10+3.62 EUR
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.86 EUR
5000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N65E-GE3 sihu6n65e.pdf
SIHU6N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.82 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.49 EUR
6000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB6N65K3
STB6N65K3
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.97 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.23 EUR
2000+1.15 EUR
5000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB6N65M2
STB6N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.65 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.17 EUR
2000+1.12 EUR
5000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.65 EUR
5000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.57 EUR
10+3.61 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
STD16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+4.68 EUR
23+3.75 EUR
26+3.32 EUR
50+2.45 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 4894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.06 EUR
10+4.62 EUR
100+3.22 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.94 EUR
10+4.55 EUR
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.57 EUR
2500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N65M2 en.DM00127825.pdf
STD6N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N65M2 en.DM00127825.pdf
STD6N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.89 EUR
10+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Gate charge: 19.5nC
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.4 EUR
10+3.5 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.75 EUR
5000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.43 EUR
50+2.69 EUR
100+2.42 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M5 STF16N65M5.pdf
STF16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+4.82 EUR
19+4.66 EUR
20+4.39 EUR
21+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
STF16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.81 EUR
50+3.99 EUR
100+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
STF16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH
auf Bestellung 5782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.66 EUR
10+3.92 EUR
100+3.53 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.64 EUR
2000+2.53 EUR
5000+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26N65DM2 stf26n65dm2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.4 EUR
10+5.51 EUR
100+4.11 EUR
500+3.44 EUR
1000+3.17 EUR
2000+3.03 EUR
5000+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3 en.CD00297329.pdf
STF6N65K3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 21.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+4.12 EUR
59+1.45 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65K3 en.CD00297329.pdf
STF6N65K3
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.14 EUR
10+3.39 EUR
100+2.45 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N65M2 en.DM00128198.pdf
STF6N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.57 EUR
10+1.3 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFU6N65
STFU6N65
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.5 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N65M2 en.DM00141948.pdf
STL16N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.84 EUR
10+3.8 EUR
100+2.64 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.05 EUR
3000+1.73 EUR
6000+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N65M2 en.DM00141948.pdf
STL16N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.95 EUR
10+3.86 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N65M2 en.DM00140964.pdf
STP16N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.78 EUR
5000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
STP16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.39 EUR
10+3.75 EUR
100+3.42 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
STP16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.52 EUR
50+3.82 EUR
100+3.45 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N65DM2 stp26n65dm2.pdf
STP26N65DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.19 EUR
10+5.39 EUR
100+3.8 EUR
500+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU16N65M2 en.DM00140964.pdf
STU16N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.59 EUR
10+3.08 EUR
100+2.4 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N65M2 en.DM00128198.pdf
STU6N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
auf Bestellung 2899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+1.61 EUR
100+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW56N65DM2 STW56N65DM2-DTE.pdf
STW56N65DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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7+12.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STW56N65DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
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1+22.73 EUR
10+14.36 EUR
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STW56N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 358W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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