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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPW47N60C3 SPW47N60C3
Produktcode: 43153
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 47 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6800/24
Montage: THT
auf Bestellung: 88 St.
  • 88 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+11.71 EUR
10+10.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS7N60B SSS7N60B
Produktcode: 32907
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Fairchild SSP7N60Buii.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1380/38
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 85 St.
  • 85 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.49 EUR
10+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N60
auf Bestellung 175000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D2FC-F-7N(60M) D2FC-F-7N(60M) Aratas (Formerly Omron Components) D2FC_Datasheet_EN.pdf Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 1mA (DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -25°C ~ 65°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round (Pin Plunger)
Operating Force: 60gf
Ingress Protection: IP40
Mechanical Life: 60,000,000 Cycles
Electrical Life: 60,000,000 Cycles
Release Force: 24gf
Differential Travel: 0.005" (0.13mm)
Overtravel: 0.008" (0.2mm)
Operating Position: 0.272" (6.9mm)
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 6 V
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
19+1.11 EUR
25+1.02 EUR
50+0.96 EUR
100+0.92 EUR
250+0.84 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D2FC-F-7N(60M) D2FC-F-7N(60M) Omron Electronics D2FC_Datasheet_EN.pdf Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.99 EUR
25+0.95 EUR
50+0.93 EUR
100+0.88 EUR
250+0.86 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60 FCA47N60 ONSEMI FCA47N60-F109-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.27µC
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60 FCA47N60 onsemi FCA47N60-F109-D.PDF MOSFETs 650V SUPER FET
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.16 EUR
10+17.64 EUR
120+16.21 EUR
510+14.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 onsemi FCA47N60-F109-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.24 EUR
30+13.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 onsemi FCA47N60-F109-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.63 EUR
30+14.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 onsemi FCA47N60-F109-D.PDF MOSFETs 650V SUPER FET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.75 EUR
10+14.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60F FCA47N60F onsemi FCA47N60F-D.PDF MOSFETs 47A, 600V SuperFET
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.01 EUR
10+18.37 EUR
120+15.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD7N60TM FCD7N60TM onsemi FCD7N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD7N60TM FCD7N60TM onsemi FCD7N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
10+4.12 EUR
50+3.17 EUR
100+2.87 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD7N60TM FCD7N60TM onsemi FCD7N60-D.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
auf Bestellung 10795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+3.19 EUR
100+2.89 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS onsemi FCD7N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 1163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.12 EUR
10+3.97 EUR
50+3.05 EUR
100+2.75 EUR
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS onsemi FCD7N60-D.pdf MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+2.89 EUR
100+2.37 EUR
500+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.27µC
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 onsemi FCH47N60-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.03 EUR
10+14.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
 FCH47N60F-F133 ONSEMI FCH47N60F-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.21µC
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-F133 onsemi FCH47N60F-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.79 EUR
10+15.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-F133 onsemi FCH47N60F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.66 EUR
30+15.7 EUR
60+14.51 EUR
120+13.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCI7N60 FCI7N60 onsemi FCI7N60-D.pdf MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+3.67 EUR
100+3.33 EUR
500+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCI7N60 FCI7N60 onsemi FCI7N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
auf Bestellung 2911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.16 EUR
10+4.71 EUR
50+3.65 EUR
100+3.32 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60 FCP7N60 onsemi FCPF7N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.45 EUR
10+3.27 EUR
100+2.93 EUR
500+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60 FCP7N60 onsemi FCPF7N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.19 EUR
50+3.24 EUR
100+2.94 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60 ONS/FAI FCP7N60-FCPF7N60.pdf IGBT, N-ch, 7A, 600V, TO-220 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+21.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF7N60NT FCPF7N60NT Fairchild Semiconductor FAIRS46786-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
auf Bestellung 5991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
186+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF17N60NT FDPF17N60NT onsemi fdpf17n60nt-d.pdf MOSFETs UniFET2 600V
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.94 EUR
10+4.11 EUR
100+3.71 EUR
500+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF17N60NT FDPF17N60NT onsemi fdpf17n60nt-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.91 EUR
10+5.22 EUR
50+4.07 EUR
100+3.7 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU7N60NZTU FDU7N60NZTU Fairchild info-tfdu7n60nztu.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU7N60NZTU FDU7N60NZTU Fairchild info-tfdu7n60nztu.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGPF7N60RUFDTU FGPF7N60RUFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS24360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
404+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60B3 Harris Corporation HRISSA43-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60B3D Harris Corporation HRISSA44-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
175+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3D HGT1S7N60C3D Fairchild Semiconductor FAIRS30067-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-262
auf Bestellung 3882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3DS HGT1S7N60C3DS Harris Corporation HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
166+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60B3 Harris Corporation HRISSA43-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
279+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60B3S Harris Corporation HRISSA43-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 72µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
271+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60B3D HGTP7N60B3D Fairchild Semiconductor FAIRS45389-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-220-3
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60B3D HGTP7N60B3D Harris Corporation FAIRS45389-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 16743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60C3 HGTP7N60C3 Harris Corporation HRISS471-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 14A TO-220AB
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
267+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS IXKR47N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKR47N60C5_Datasheet.PDF MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 IXKR47N60C5.pdf Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+77.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L47N-600-1 L47N-600-1 TE Connectivity Deutsch Connectors DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=1-1773962-8&DocType=Data%20Sheet&DocLang=English&DocFormat=pdf&PartCntxt=L47N-600-1 Description: LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
10+7.84 EUR
25+7.35 EUR
50+7.01 EUR
100+6.68 EUR
250+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L47N-600-1 L47N-600-1 TE Connectivity / DEUTSCH DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=1-1773962-8&DocType=Data%20Sheet&DocLang=English&DocFormat=pdf&PartCntxt=L47N-600-1 Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M83-LML3M7N60-0000-000 M83-LML3M7N60-0000-000 Harwin M83_LML3M7NXX_0000_000.pdf Headers & Wire Housings Datamate J-Tek 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.3 EUR
8+75.07 EUR
56+73.89 EUR
104+68.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M83-LML3M7N60-0000-000 M83-LML3M7N60-0000-000 Harwin Inc. PD004-Product-Datasheet-Datamate-range-signal-connectors-HRi.pdf Description: CONN HEADER R/A 60POS 2MM
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+90.89 EUR
16+74.73 EUR
104+65.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL017N60S5H onsemi MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.12 EUR
10+20.75 EUR
100+19.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 Vishay Siliconix sihd7n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
10+3.39 EUR
50+2.59 EUR
100+2.33 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60E-GE3 SIHD7N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihd7n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 3172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg47n60ae.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.68 EUR
10+10.2 EUR
100+8.57 EUR
1000+8.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 Vishay Siliconix sihg47n60aef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.47 EUR
25+11.15 EUR
50+10.21 EUR
100+9.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihg47n60aef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.39 EUR
10+10.26 EUR
100+9.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Vishay / Siliconix sihg47n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.06 EUR
10+11.25 EUR
100+10.36 EUR
500+10.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Vishay Siliconix sihg47n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.04 EUR
25+12.19 EUR
50+11.17 EUR
100+10.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY SIHG47N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg47n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.12 EUR
10+11.25 EUR
500+10.75 EUR
1000+10.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg47n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.04 EUR
10+13.83 EUR
50+11.17 EUR
100+10.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60C3
Produktcode: 43153
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SPW47N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 47 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6800/24
Montage: THT
auf Bestellung: 88 St.
  • 88 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.71 EUR
10+10.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS7N60B
Produktcode: 32907
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SSP7N60Buii.pdf
SSS7N60B
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1380/38
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 85 St.
  • 85 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.49 EUR
10+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N60
auf Bestellung 175000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D2FC-F-7N(60M) D2FC_Datasheet_EN.pdf
D2FC-F-7N(60M)
Hersteller: Aratas (Formerly Omron Components)
Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 1mA (DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -25°C ~ 65°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round (Pin Plunger)
Operating Force: 60gf
Ingress Protection: IP40
Mechanical Life: 60,000,000 Cycles
Electrical Life: 60,000,000 Cycles
Release Force: 24gf
Differential Travel: 0.005" (0.13mm)
Overtravel: 0.008" (0.2mm)
Operating Position: 0.272" (6.9mm)
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 6 V
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.34 EUR
19+1.11 EUR
25+1.02 EUR
50+0.96 EUR
100+0.92 EUR
250+0.84 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D2FC-F-7N(60M) D2FC_Datasheet_EN.pdf
D2FC-F-7N(60M)
Hersteller: Omron Electronics
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.23 EUR
10+0.99 EUR
25+0.95 EUR
50+0.93 EUR
100+0.88 EUR
250+0.86 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60 FCA47N60-F109-D.PDF
FCA47N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.27µC
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60 FCA47N60-F109-D.PDF
FCA47N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs 650V SUPER FET
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.16 EUR
10+17.64 EUR
120+16.21 EUR
510+14.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109-D.PDF
FCA47N60-F109
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.24 EUR
30+13.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109-D.PDF
FCA47N60-F109
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.63 EUR
30+14.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109-D.PDF
FCA47N60-F109
Hersteller: onsemi
MOSFETs 650V SUPER FET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.75 EUR
10+14.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60F FCA47N60F-D.PDF
FCA47N60F
Hersteller: onsemi
MOSFETs 47A, 600V SuperFET
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+27.01 EUR
10+18.37 EUR
120+15.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD7N60TM FCD7N60-D.pdf
FCD7N60TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD7N60TM FCD7N60-D.pdf
FCD7N60TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.33 EUR
10+4.12 EUR
50+3.17 EUR
100+2.87 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD7N60TM FCD7N60-D.pdf
FCD7N60TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
auf Bestellung 10795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.37 EUR
10+3.19 EUR
100+2.89 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD7N60TM-WS FCD7N60-D.pdf
FCD7N60TM-WS
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 1163 Stücke:
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4+6.12 EUR
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FCD7N60TM-WS
Hersteller: onsemi
MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
auf Bestellung 671 Stücke:
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FCH47N60-F133
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.27µC
auf Bestellung 421 Stücke:
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 577 Stücke:
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FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.21µC
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FCH47N60F-F133
Hersteller: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 369 Stücke:
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10+15.93 EUR
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FCH47N60F-F133
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
auf Bestellung 466 Stücke:
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1+25.66 EUR
30+15.7 EUR
60+14.51 EUR
120+13.7 EUR
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FCI7N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 900 Stücke:
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1+7.2 EUR
10+3.67 EUR
100+3.33 EUR
500+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FCI7N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
auf Bestellung 2911 Stücke:
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3+7.16 EUR
10+4.71 EUR
50+3.65 EUR
100+3.32 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FCP7N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.45 EUR
10+3.27 EUR
100+2.93 EUR
500+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60 FCPF7N60-D.pdf
FCP7N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.41 EUR
10+4.19 EUR
50+3.24 EUR
100+2.94 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60 FCP7N60-FCPF7N60.pdf
Hersteller: ONS/FAI
IGBT, N-ch, 7A, 600V, TO-220 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+21.44 EUR
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FCPF7N60NT FAIRS46786-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF7N60NT
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
auf Bestellung 5991 Stücke:
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186+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF17N60NT fdpf17n60nt-d.pdf
FDPF17N60NT
Hersteller: onsemi
MOSFETs UniFET2 600V
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+7.94 EUR
10+4.11 EUR
100+3.71 EUR
500+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF17N60NT fdpf17n60nt-d.pdf
FDPF17N60NT
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.91 EUR
10+5.22 EUR
50+4.07 EUR
100+3.7 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDU7N60NZTU info-tfdu7n60nztu.pdf
FDU7N60NZTU
Hersteller: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU7N60NZTU info-tfdu7n60nztu.pdf
FDU7N60NZTU
Hersteller: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGPF7N60RUFDTU FAIRS24360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGPF7N60RUFDTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-220F-3
auf Bestellung 1323 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
404+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60B3 HRISSA43-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60B3D HRISSA44-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
175+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3D FAIRS30067-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S7N60C3D
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-262
auf Bestellung 3882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3DS HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S7N60C3DS
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 14A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
166+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60B3 HRISSA43-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 14A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
279+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60B3S HRISSA43-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 72µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
271+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60B3D FAIRS45389-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP7N60B3D
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-220-3
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60B3D FAIRS45389-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP7N60B3D
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 14A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 16743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60C3 HRISS471-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP7N60C3
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 14A TO-220AB
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
267+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5.pdf
IXKR47N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKR47N60C5_Datasheet.PDF
IXKR47N60C5
Hersteller: IXYS
MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+41.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5.pdf
IXKR47N60C5
Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+77.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L47N-600-1 DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=1-1773962-8&DocType=Data%20Sheet&DocLang=English&DocFormat=pdf&PartCntxt=L47N-600-1
L47N-600-1
Hersteller: TE Connectivity Deutsch Connectors
Description: LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.23 EUR
10+7.84 EUR
25+7.35 EUR
50+7.01 EUR
100+6.68 EUR
250+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L47N-600-1 DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=1-1773962-8&DocType=Data%20Sheet&DocLang=English&DocFormat=pdf&PartCntxt=L47N-600-1
L47N-600-1
Hersteller: TE Connectivity / DEUTSCH
Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M83-LML3M7N60-0000-000 M83_LML3M7NXX_0000_000.pdf
M83-LML3M7N60-0000-000
Hersteller: Harwin
Headers & Wire Housings Datamate J-Tek 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+91.3 EUR
8+75.07 EUR
56+73.89 EUR
104+68.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M83-LML3M7N60-0000-000 PD004-Product-Datasheet-Datamate-range-signal-connectors-HRi.pdf
M83-LML3M7N60-0000-000
Hersteller: Harwin Inc.
Description: CONN HEADER R/A 60POS 2MM
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+90.89 EUR
16+74.73 EUR
104+65.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL017N60S5H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+30.12 EUR
10+20.75 EUR
100+19.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60E-GE3 sihd7n60e.pdf
SIHD7N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.26 EUR
10+3.39 EUR
50+2.59 EUR
100+2.33 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60E-GE3 sihd7n60e.pdf
SIHD7N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 3172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.68 EUR
10+10.2 EUR
100+8.57 EUR
1000+8.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEF-GE3 sihg47n60aef.pdf
SIHG47N60AEF-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.47 EUR
25+11.15 EUR
50+10.21 EUR
100+9.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEF-GE3 sihg47n60aef.pdf
SIHG47N60AEF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+18.39 EUR
10+10.26 EUR
100+9.53 EUR
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SIHG47N60E-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+20.06 EUR
10+11.25 EUR
100+10.36 EUR
500+10.06 EUR
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SIHG47N60E-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+20.04 EUR
25+12.19 EUR
50+11.17 EUR
100+10.32 EUR
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SIHG47N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHG47N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+20.12 EUR
10+11.25 EUR
500+10.75 EUR
1000+10.52 EUR
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SIHG47N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+20.04 EUR
10+13.83 EUR
50+11.17 EUR
100+10.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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