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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI5484DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73589.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
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SI5513DC-T1-E3 SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix 71186.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
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SI5857DU-T1-E3 SI5857DU-T1-E3 Vishay Siliconix si5857du.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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SI5858DU-T1-E3 SI5858DU-T1-E3 Vishay Siliconix si5858du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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SI5902DC-T1-E3 SI5902DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5902dc.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
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SI5903DC-T1-E3 SI5903DC-T1-E3 Vishay Siliconix 71054.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
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SI5935DC-T1-E3 SI5935DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5935dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
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SI5938DU-T1-E3 SI5938DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73463.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
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SI5943DU-T1-E3 SI5943DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73669.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
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SI5944DU-T1-E3 SI5944DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73683.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
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SI5947DU-T1-E3 SI5947DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73695.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
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SI6433BDQ-T1-E3 SI6433BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72511.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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SI6459BDQ-T1-E3 SI6459BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72518.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
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SI6463BDQ-T1-E3 SI6463BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72018.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-T1-E3 SI6544BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72244.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6983DQ-T1-E3 SI6983DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72367.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
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SI6993DQ-T1-E3 SI6993DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72369.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
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SI7100DN-T1-E3 SI7100DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7100dn.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
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SI7107DN-T1-E3 SI7107DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7107dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
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SI7136DP-T1-E3 SI7136DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73601.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
auf Bestellung 135 Stücke:
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SI7138DP-T1-E3 SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7138dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
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SI7366DP-T1-E3 SI7366DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72296.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
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SI7382DP-T1-E3 SI7382DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7382dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
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SI7384DP-T1-E3 SI7384DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72656.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
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SI7413DN-T1-E3 SI7413DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72616.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
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SI7421DN-T1-E3 SI7421DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72416.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
auf Bestellung 8935 Stücke:
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Si7448DP-T1-E3 Si7448DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7448dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
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SI7476DP-T1-E3 SI7476DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7476dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
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SI7530DP-T1-E3 SI7530DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73249.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
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SI7703EDN-T1-E3 SI7703EDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7703edn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
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SI7802DN-T1-E3 SI7802DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7802dn.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
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SI7866ADP-T1-E3 SI7866ADP-T1-E3 Vishay Siliconix 73380.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
auf Bestellung 8498 Stücke:
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SI7911DN-T1-E3 SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72340.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
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SI7946DP-T1-E3 SI7946DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72282.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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Si7958DP-T1-E3 Si7958DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7958dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
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SI7962DP-T1-E3 SI7962DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72914.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
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SI8415DB-T1-E1 SI8415DB-T1-E1 Vishay Siliconix 73210.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
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SI8435DB-T1-E1 SI8435DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8435db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA411DJ-T1-E3 SIA411DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia411dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
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SIA443DJ-T1-E3 SIA443DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia443dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
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SIA450DJ-T1-E3 SIA450DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia450dj.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
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SIA810DJ-T1-E3 SIA810DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia810dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
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SIA914DJ-T1-E3 SIA914DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia914dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
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SIE800DF-T1-E3 SIE800DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie800df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
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SIE802DF-T1-E3 SIE802DF-T1-E3 Vishay Siliconix 72985.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
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SIE806DF-T1-E3 SIE806DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie806df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
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SIE812DF-T1-E3 SIE812DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie812df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
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SIE820DF-T1-E3 SIE820DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie820df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
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SIE822DF-T1-E3 SIE822DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie822df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE830DF-T1-E3 SIE830DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie830df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE832DF-T1-E3 SIE832DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie832df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
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SUM36N20-54P-E3 SUM36N20-54P-E3 Vishay Siliconix sum36n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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SUM09N20-270-E3 SUM09N20-270-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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SUM110N04-2M3L-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
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SUM110N06-3M4L-E3 SUM110N06-3M4L-E3 Vishay Siliconix 73036.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Vishay Siliconix sum110n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Vishay Siliconix 73493.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
auf Bestellung 18125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.81 EUR
10+7.21 EUR
100+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay Siliconix sum110p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
auf Bestellung 26400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix sum110p0.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
auf Bestellung 19958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.73 EUR
10+6.5 EUR
100+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SUM18N25-165-E3 SUM18N25-165-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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SI5484DU-T1-E3 73589.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
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SI5513DC-T1-E3 71186.pdf
SI5513DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
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SI5857DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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SI5858DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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SI5902DC-T1-E3 si5902dc.pdf
SI5902DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
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SI5903DC-T1-E3 71054.pdf
SI5903DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
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SI5935DC-T1-E3 si5935dc.pdf
SI5935DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
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SI5938DU-T1-E3 73463.pdf
SI5938DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
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SI5943DU-T1-E3 73669.pdf
SI5943DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
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SI5944DU-T1-E3 73683.pdf
SI5944DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
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SI5947DU-T1-E3 73695.pdf
SI5947DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
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SI6433BDQ-T1-E3 72511.pdf
SI6433BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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SI6459BDQ-T1-E3 72518.pdf
SI6459BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
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SI6463BDQ-T1-E3 72018.pdf
SI6463BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-T1-E3 72244.pdf
SI6544BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6983DQ-T1-E3 72367.pdf
SI6983DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
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SI6993DQ-T1-E3 72369.pdf
SI6993DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
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SI7100DN-T1-E3 si7100dn.pdf
SI7100DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
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SI7107DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
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SI7136DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7138DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
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SI7366DP-T1-E3 72296.pdf
SI7366DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
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SI7382DP-T1-E3 si7382dp.pdf
SI7382DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
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SI7384DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
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SI7413DN-T1-E3 72616.pdf
SI7413DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
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SI7421DN-T1-E3 72416.pdf
SI7421DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
auf Bestellung 8935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Si7448DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
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SI7476DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
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SI7530DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
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SI7703EDN-T1-E3 si7703edn.pdf
SI7703EDN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7802DN-T1-E3 si7802dn.pdf
SI7802DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7866ADP-T1-E3 73380.pdf
SI7866ADP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
auf Bestellung 8498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7911DN-T1-E3 72340.pdf
SI7911DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7946DP-T1-E3 72282.pdf
SI7946DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7958DP-T1-E3 si7958dp.pdf
Si7958DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7962DP-T1-E3 72914.pdf
SI7962DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8415DB-T1-E1 73210.pdf
SI8415DB-T1-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8435DB-T1-E1 si8435db.pdf
SI8435DB-T1-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA411DJ-T1-E3 sia411dj.pdf
SIA411DJ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA443DJ-T1-E3 sia443dj.pdf
SIA443DJ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA450DJ-T1-E3 sia450dj.pdf
SIA450DJ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA810DJ-T1-E3 sia810dj.pdf
SIA810DJ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA914DJ-T1-E3 sia914dj.pdf
SIA914DJ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE800DF-T1-E3 sie800df.pdf
SIE800DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE802DF-T1-E3 72985.pdf
SIE802DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE806DF-T1-E3 sie806df.pdf
SIE806DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE812DF-T1-E3 sie812df.pdf
SIE812DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE820DF-T1-E3 sie820df.pdf
SIE820DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE822DF-T1-E3 sie822df.pdf
SIE822DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE830DF-T1-E3 sie830df.pdf
SIE830DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE832DF-T1-E3 sie832df.pdf
SIE832DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM36N20-54P-E3 sum36n20.pdf
SUM36N20-54P-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM09N20-270-E3
SUM09N20-270-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N04-2M3L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N06-3M4L-E3 73036.pdf
SUM110N06-3M4L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N10-09-E3 sum110n1.pdf
SUM110N10-09-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P04-05-E3 73493.pdf
SUM110P04-05-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
auf Bestellung 18125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.81 EUR
10+7.21 EUR
100+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
auf Bestellung 26400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P08-11L-E3 sum110p0.pdf
SUM110P08-11L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
auf Bestellung 19958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.73 EUR
10+6.5 EUR
100+4.66 EUR
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SUM18N25-165-E3
SUM18N25-165-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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