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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI6433BDQ-T1-E3 SI6433BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72511.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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SI6459BDQ-T1-E3 SI6459BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72518.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
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SI6463BDQ-T1-E3 SI6463BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72018.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-T1-E3 SI6544BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72244.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6983DQ-T1-E3 SI6983DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72367.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
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SI6993DQ-T1-E3 SI6993DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72369.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
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SI7100DN-T1-E3 SI7100DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7100dn.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
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SI7107DN-T1-E3 SI7107DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7107dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
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SI7136DP-T1-E3 SI7136DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73601.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
auf Bestellung 135 Stücke:
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SI7138DP-T1-E3 SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7138dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
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SI7366DP-T1-E3 SI7366DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72296.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
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SI7382DP-T1-E3 SI7382DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7382dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
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SI7384DP-T1-E3 SI7384DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72656.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
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SI7413DN-T1-E3 SI7413DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72616.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
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SI7421DN-T1-E3 SI7421DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72416.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
auf Bestellung 8935 Stücke:
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Si7448DP-T1-E3 Si7448DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7448dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
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SI7476DP-T1-E3 SI7476DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7476dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
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SI7530DP-T1-E3 SI7530DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73249.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
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SI7703EDN-T1-E3 SI7703EDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7703edn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
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SI7802DN-T1-E3 SI7802DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7802dn.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
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SI7866ADP-T1-E3 SI7866ADP-T1-E3 Vishay Siliconix 73380.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
auf Bestellung 8498 Stücke:
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SI7911DN-T1-E3 SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72340.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
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SI7946DP-T1-E3 SI7946DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72282.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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Si7958DP-T1-E3 Si7958DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7958dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
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SI7962DP-T1-E3 SI7962DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72914.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
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SI8415DB-T1-E1 SI8415DB-T1-E1 Vishay Siliconix 73210.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
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SI8435DB-T1-E1 SI8435DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8435db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
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SIA411DJ-T1-E3 SIA411DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia411dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
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SIA443DJ-T1-E3 SIA443DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia443dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
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SIA450DJ-T1-E3 SIA450DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia450dj.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
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SIA810DJ-T1-E3 SIA810DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia810dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
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SIA914DJ-T1-E3 SIA914DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia914dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
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SIE800DF-T1-E3 SIE800DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie800df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
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SIE802DF-T1-E3 SIE802DF-T1-E3 Vishay Siliconix 72985.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
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SIE806DF-T1-E3 SIE806DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie806df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
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SIE812DF-T1-E3 SIE812DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie812df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
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SIE820DF-T1-E3 SIE820DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie820df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
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SIE822DF-T1-E3 SIE822DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie822df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
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SIE830DF-T1-E3 SIE830DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie830df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
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SIE832DF-T1-E3 SIE832DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie832df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
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SUM110N06-3M9H-E3 SUM110N06-3M9H-E3 Vishay Siliconix sum110n0.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V
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SUM36N20-54P-E3 SUM36N20-54P-E3 Vishay Siliconix sum36n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
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SUM09N20-270-E3 SUM09N20-270-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
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SUM110N04-05H-E3 SUM110N04-05H-E3 Vishay Siliconix 73131.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
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SUM110N04-2M3L-E3 SUM110N04-2M3L-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N06-3M4L-E3 SUM110N06-3M4L-E3 Vishay Siliconix 73036.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Vishay Siliconix sum110n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.80 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Vishay Siliconix 73493.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
auf Bestellung 31910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.96 EUR
10+6.31 EUR
100+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay Siliconix sum110p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.24 EUR
1600+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix sum110p0.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
auf Bestellung 36976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.41 EUR
10+6.20 EUR
100+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM18N25-165-E3 SUM18N25-165-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM23N15-73-E3 SUM23N15-73-E3 Vishay Siliconix sum23n15.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM27N20-78-E3 SUM27N20-78-E3 Vishay Siliconix sum27n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N10-30-E3 SUM40N10-30-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N15-38-E3 SUM40N15-38-E3 Vishay Siliconix sum40n15.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3 SUM45N25-58-E3 Vishay Siliconix sum45n25.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 4366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.78 EUR
10+5.41 EUR
100+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM47N10-24L-E3 SUM47N10-24L-E3 Vishay Siliconix sum47n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50N06-16L-E3 SUM50N06-16L-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM55P06-19L-E3 SUM55P06-19L-E3 Vishay Siliconix sum55p06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 3913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.45 EUR
10+3.32 EUR
100+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Vishay Siliconix 72070.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.86 EUR
10+4.04 EUR
100+3.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6433BDQ-T1-E3 72511.pdf
SI6433BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6459BDQ-T1-E3 72518.pdf
SI6459BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6463BDQ-T1-E3 72018.pdf
SI6463BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6544BDQ-T1-E3 72244.pdf
SI6544BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6983DQ-T1-E3 72367.pdf
SI6983DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6993DQ-T1-E3 72369.pdf
SI6993DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7100DN-T1-E3 si7100dn.pdf
SI7100DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7107DN-T1-E3 si7107dn.pdf
SI7107DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7136DP-T1-E3 73601.pdf
SI7136DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7138DP-T1-E3 si7138dp.pdf
SI7138DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7366DP-T1-E3 72296.pdf
SI7366DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7382DP-T1-E3 si7382dp.pdf
SI7382DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7384DP-T1-E3 72656.pdf
SI7384DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7413DN-T1-E3 72616.pdf
SI7413DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7421DN-T1-E3 72416.pdf
SI7421DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
auf Bestellung 8935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7448DP-T1-E3 si7448dp.pdf
Si7448DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7476DP-T1-E3 si7476dp.pdf
SI7476DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7530DP-T1-E3 73249.pdf
SI7530DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7703EDN-T1-E3 si7703edn.pdf
SI7703EDN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7802DN-T1-E3 si7802dn.pdf
SI7802DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7866ADP-T1-E3 73380.pdf
SI7866ADP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
auf Bestellung 8498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7911DN-T1-E3 72340.pdf
SI7911DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7946DP-T1-E3 72282.pdf
SI7946DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7958DP-T1-E3 si7958dp.pdf
Si7958DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7962DP-T1-E3 72914.pdf
SI7962DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8415DB-T1-E1 73210.pdf
SI8415DB-T1-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8435DB-T1-E1 si8435db.pdf
SI8435DB-T1-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA411DJ-T1-E3 sia411dj.pdf
SIA411DJ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA443DJ-T1-E3 sia443dj.pdf
SIA443DJ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA450DJ-T1-E3 sia450dj.pdf
SIA450DJ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA810DJ-T1-E3 sia810dj.pdf
SIA810DJ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA914DJ-T1-E3 sia914dj.pdf
SIA914DJ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE800DF-T1-E3 sie800df.pdf
SIE800DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE802DF-T1-E3 72985.pdf
SIE802DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE806DF-T1-E3 sie806df.pdf
SIE806DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE812DF-T1-E3 sie812df.pdf
SIE812DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE820DF-T1-E3 sie820df.pdf
SIE820DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE822DF-T1-E3 sie822df.pdf
SIE822DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE830DF-T1-E3 sie830df.pdf
SIE830DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIE832DF-T1-E3 sie832df.pdf
SIE832DF-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N06-3M9H-E3 sum110n0.pdf
SUM110N06-3M9H-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM36N20-54P-E3 sum36n20.pdf
SUM36N20-54P-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM09N20-270-E3
SUM09N20-270-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N04-05H-E3 73131.pdf
SUM110N04-05H-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N04-2M3L-E3
SUM110N04-2M3L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N06-3M4L-E3 73036.pdf
SUM110N06-3M4L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N10-09-E3 sum110n1.pdf
SUM110N10-09-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+5.80 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P04-05-E3 73493.pdf
SUM110P04-05-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
auf Bestellung 31910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+8.96 EUR
10+6.31 EUR
100+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+3.24 EUR
1600+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P08-11L-E3 sum110p0.pdf
SUM110P08-11L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
auf Bestellung 36976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.41 EUR
10+6.20 EUR
100+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM18N25-165-E3
SUM18N25-165-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM23N15-73-E3 sum23n15.pdf
SUM23N15-73-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM27N20-78-E3 sum27n20.pdf
SUM27N20-78-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N10-30-E3
SUM40N10-30-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40N15-38-E3 sum40n15.pdf
SUM40N15-38-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3 sum45n25.pdf
SUM45N25-58-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 4366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.78 EUR
10+5.41 EUR
100+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM47N10-24L-E3 sum47n10.pdf
SUM47N10-24L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50N06-16L-E3
SUM50N06-16L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM55P06-19L-E3 sum55p06.pdf
SUM55P06-19L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 3913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.45 EUR
10+3.32 EUR
100+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60N10-17-E3 72070.pdf
SUM60N10-17-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.86 EUR
10+4.04 EUR
100+3.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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