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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI4947ADY-T1-E3 SI4947ADY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3 Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 11705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.82 EUR
10+1.79 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-E3 SI4963BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4963bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-E3 SI4973DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5401DC-T1-E3 SI5401DC-T1-E3 Vishay Siliconix 73225.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5402BDC-T1-E3 SI5402BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5402bdc.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404BDC-T1-E3 SI5404BDC-T1-E3 Vishay Siliconix 73102.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5406DC-T1-E3 SI5406DC-T1-E3 Vishay Siliconix 71657.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5433BDC-T1-E3 SI5433BDC-T1-E3 Vishay Siliconix 73208.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5435BDC-T1-E3 SI5435BDC-T1-E3 Vishay Siliconix 73137.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5441BDC-T1-E3 SI5441BDC-T1-E3 Vishay Siliconix 73207.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5445BDC-T1-E3 SI5445BDC-T1-E3 Vishay Siliconix 73251.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5447DC-T1-E3 SI5447DC-T1-E3 Vishay Siliconix 71256.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5463EDC-T1-E3 SI5463EDC-T1-E3 Vishay Siliconix 71364.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5476DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73663.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5480DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73585.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5481DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73777.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5482DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73594.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5484DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73589.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5485DU-T1-E3 Vishay Siliconix si5485du.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5486DU-T1-E3 SI5486DU-T1-E3 Vishay Siliconix si5486du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5499DC-T1-E3 SI5499DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5499dc.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 4 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504DC-T1-E3 SI5504DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5504dc.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5509DC-T1-E3 SI5509DC-T1-E3 Vishay Siliconix 73629.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5511DC-T1-E3 SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5511DC.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513DC-T1-E3 SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix 71186.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515DC-T1-E3 SI5515DC-T1-E3 Vishay Siliconix 72221.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-E3 SI5517DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5517DU.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5857DU-T1-E3 SI5857DU-T1-E3 Vishay Siliconix si5857du.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5858DU-T1-E3 SI5858DU-T1-E3 Vishay Siliconix si5858du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902DC-T1-E3 SI5902DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5902dc.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5903DC-T1-E3 SI5903DC-T1-E3 Vishay Siliconix 71054.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5904DC-T1-E3 SI5904DC-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-E3 SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5908dc.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 6244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.26 EUR
10+2.07 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5920DC-T1-E3 SI5920DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5920dc.pdf Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC-T1-E3 SI5933DC-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935DC-T1-E3 SI5935DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5935dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5938DU-T1-E3 SI5938DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73463.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5943DU-T1-E3 SI5943DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73669.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5944DU-T1-E3 SI5944DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73683.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5947DU-T1-E3 SI5947DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73695.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6410DQ-T1-E3 Si6410DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70661.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-E3 SI6415DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70639.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
auf Bestellung 5532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6423DQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72257.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6433BDQ-T1-E3 SI6433BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72511.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6435ADQ-T1-E3 Si6435ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71104.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6459BDQ-T1-E3 SI6459BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72518.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6463BDQ-T1-E3 SI6463BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72018.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6467BDQ-T1-E3 SI6467BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72087.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6544BDQ-T1-E3 SI6544BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72244.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6562DQ-T1-E3 Si6562DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3 SI6913DQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6913dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
auf Bestellung 2133 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6924AEDQ-T1-E3 SI6924AEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6925ADQ-T1-E3 SI6925ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72623.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72754.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.03 EUR
10+1.92 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6928DQ-T1-E3 Si6928DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70663.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6943BDQ-T1-E3 SI6943BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72016.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6954ADQ-T1-E3 Si6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71130.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 21145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.25 EUR
13+1.42 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6963BDQ-T1-E3 SI6963BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-E3 SI6968BEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6968be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2024 Stücke:
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9+2.16 EUR
10+1.77 EUR
100+1.38 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.95 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4947ADY-T1-E3
SI4947ADY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-E3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 11705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.82 EUR
10+1.79 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-E3 si4963bd.pdf
SI4963BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-E3
SI4973DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5401DC-T1-E3 73225.pdf
SI5401DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5402BDC-T1-E3 si5402bdc.pdf
SI5402BDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404BDC-T1-E3 73102.pdf
SI5404BDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5406DC-T1-E3 71657.pdf
SI5406DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5433BDC-T1-E3 73208.pdf
SI5433BDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5435BDC-T1-E3 73137.pdf
SI5435BDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5441BDC-T1-E3 73207.pdf
SI5441BDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5445BDC-T1-E3 73251.pdf
SI5445BDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5447DC-T1-E3 71256.pdf
SI5447DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5463EDC-T1-E3 71364.pdf
SI5463EDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5476DU-T1-E3 73663.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5480DU-T1-E3 73585.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5481DU-T1-E3 73777.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5482DU-T1-E3 73594.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5484DU-T1-E3 73589.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5485DU-T1-E3 si5485du.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5486DU-T1-E3 si5486du.pdf
SI5486DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5499DC-T1-E3 si5499dc.pdf
SI5499DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 4 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504DC-T1-E3 si5504dc.pdf
SI5504DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5509DC-T1-E3 73629.pdf
SI5509DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5511DC-T1-E3 SI5511DC.pdf
SI5511DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513DC-T1-E3 71186.pdf
SI5513DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515DC-T1-E3 72221.pdf
SI5515DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-E3 SI5517DU.pdf
SI5517DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
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SI5857DU-T1-E3 si5857du.pdf
SI5857DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5858DU-T1-E3 si5858du.pdf
SI5858DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902DC-T1-E3 si5902dc.pdf
SI5902DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5903DC-T1-E3 71054.pdf
SI5903DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5904DC-T1-E3
SI5904DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-E3 si5908dc.pdf
SI5908DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 6244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.26 EUR
10+2.07 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5920DC-T1-E3 si5920dc.pdf
SI5920DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC-T1-E3
SI5933DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935DC-T1-E3 si5935dc.pdf
SI5935DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5938DU-T1-E3 73463.pdf
SI5938DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5943DU-T1-E3 73669.pdf
SI5943DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5944DU-T1-E3 73683.pdf
SI5944DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5947DU-T1-E3 73695.pdf
SI5947DU-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6410DQ-T1-E3 70661.pdf
Si6410DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-E3 70639.pdf
SI6415DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
auf Bestellung 5532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI6423DQ-T1-E3 72257.pdf
SI6423DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6433BDQ-T1-E3 72511.pdf
SI6433BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6435ADQ-T1-E3 71104.pdf
Si6435ADQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6459BDQ-T1-E3 72518.pdf
SI6459BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6463BDQ-T1-E3 72018.pdf
SI6463BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6467BDQ-T1-E3 72087.pdf
SI6467BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6544BDQ-T1-E3 72244.pdf
SI6544BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6562DQ-T1-E3
Si6562DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3 si6913dq.pdf
SI6913DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6924AEDQ-T1-E3
SI6924AEDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6925ADQ-T1-E3 72623.pdf
SI6925ADQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3 72754.pdf
SI6926ADQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.03 EUR
10+1.92 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6928DQ-T1-E3 70663.pdf
Si6928DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6943BDQ-T1-E3 72016.pdf
SI6943BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Si6954ADQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 21145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.25 EUR
13+1.42 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6963BDQ-T1-E3
SI6963BDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-E3 si6968be.pdf
SI6968BEDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.16 EUR
10+1.77 EUR
100+1.38 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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