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Name: SI7115DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 1978892-3
Price: 18.04 EUR
Availability: InStock

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Privatkunde

SI5475DDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

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SI5519DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7102DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7115DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V

auf Bestellung 576 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.37 EUR
10+	3.46 EUR
100+	2.38 EUR
500+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7121DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 10238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7123DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

auf Bestellung 17508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7160DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7164DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.83 EUR
10+	5.14 EUR
100+	3.61 EUR
500+	2.95 EUR
1000+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7172DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 7461 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.24 EUR
10+	4.36 EUR
100+	3.46 EUR
500+	2.93 EUR
1000+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7174DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7178DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V

auf Bestellung 6127 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.33 EUR
10+	4.8 EUR
100+	3.36 EUR
500+	2.74 EUR
1000+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7186DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7192DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7194DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7196DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7224DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7234DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

auf Bestellung 22185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.16 EUR
10+	5.37 EUR
50+	4.15 EUR
100+	3.77 EUR
500+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7322DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 16441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.22 EUR
10+	2.64 EUR
100+	2.06 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7328DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7405BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7460DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3408 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.84 EUR
10+	3.78 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7611DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V

auf Bestellung 31966 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.63 EUR
10+	2.98 EUR
50+	2.26 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7620DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7634BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 704 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.92 EUR
10+	3.24 EUR
100+	2.58 EUR
500+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7658ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V

auf Bestellung 2587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.95 EUR
10+	4.56 EUR
100+	3.2 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7716ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

auf Bestellung 7458 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.42 EUR
10+	2.17 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7718DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7720DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7738DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V

auf Bestellung 2270 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.9 EUR
10+	5.2 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7742DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7748DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7758DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7784DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7788DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

auf Bestellung 6870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7790DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

auf Bestellung 691 Stücke:

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SI7802DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

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SI7848BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.22 EUR
10+	4.74 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SI7852ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.99 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SI7882DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

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SI7884BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 6043 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.14 EUR
10+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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SI7905DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

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SI7940DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

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SI7948DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

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Si7980DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

auf Bestellung 8085 Stücke:

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SI7994DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2217 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.81 EUR
10+	5.72 EUR
100+	4.63 EUR
500+	4.12 EUR
1000+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIA408DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 2757 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA413DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

auf Bestellung 141390 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.62 EUR
13+	1.65 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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SIA414DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V

auf Bestellung 17033 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.19 EUR
22+	0.98 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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SIA415DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

auf Bestellung 5849 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA417DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA419DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA421DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

auf Bestellung 53213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.87 EUR
13+	1.67 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA426DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 8006 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA430DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

auf Bestellung 3605 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA432DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V

auf Bestellung 3210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	2.07 EUR
13+	1.69 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA456DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

auf Bestellung 21443 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.62 EUR
13+	1.65 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA511DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA513DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA813DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA814DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5475DDC-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5519DU-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7102DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7115DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V

auf Bestellung 576 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
4+	5.37 EUR
10+	3.46 EUR
100+	2.38 EUR
500+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7121DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 10238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
7+	3 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7123DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

auf Bestellung 17508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7160DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7164DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3+	7.83 EUR
10+	5.14 EUR
100+	3.61 EUR
500+	2.95 EUR
1000+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7172DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 7461 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
4+	5.24 EUR
10+	4.36 EUR
100+	3.46 EUR
500+	2.93 EUR
1000+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7174DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SI7178DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V

auf Bestellung 6127 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3+	7.33 EUR
10+	4.8 EUR
100+	3.36 EUR
500+	2.74 EUR
1000+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7186DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7192DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7194DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7196DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7224DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7234DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

auf Bestellung 22185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3+	8.16 EUR
10+	5.37 EUR
50+	4.15 EUR
100+	3.77 EUR
500+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7322DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 16441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
7+	3.22 EUR
10+	2.64 EUR
100+	2.06 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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SI7328DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7405BDN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7460DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3408 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
4+	5.84 EUR
10+	3.78 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7611DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V

auf Bestellung 31966 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
5+	4.63 EUR
10+	2.98 EUR
50+	2.26 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7620DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7634BDP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 704 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
6+	3.92 EUR
10+	3.24 EUR
100+	2.58 EUR
500+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7658ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V

auf Bestellung 2587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
4+	6.95 EUR
10+	4.56 EUR
100+	3.2 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7716ADN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

auf Bestellung 7458 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
7+	3.42 EUR
10+	2.17 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7718DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7720DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7738DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V

auf Bestellung 2270 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3+	7.9 EUR
10+	5.2 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7742DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7748DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7758DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7784DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7788DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

auf Bestellung 6870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7790DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

auf Bestellung 691 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7802DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7848BDP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3+	7.22 EUR
10+	4.74 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7852ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
4+	5.99 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7882DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7884BDP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 6043 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
7+	3.14 EUR
10+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7905DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7940DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7948DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Si7980DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

auf Bestellung 8085 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7994DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2217 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
4+	6.81 EUR
10+	5.72 EUR
100+	4.63 EUR
500+	4.12 EUR
1000+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA408DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

auf Bestellung 2757 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA413DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

auf Bestellung 141390 Stücke:

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8+	2.62 EUR
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SIA414DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V

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18+	1.19 EUR
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SIA415DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA417DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

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SIA419DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA421DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

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SIA426DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SIA430DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

auf Bestellung 3605 Stücke:

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SIA432DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V

auf Bestellung 3210 Stücke:

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13+	1.69 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.9 EUR

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SIA456DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

auf Bestellung 21443 Stücke:

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8+	2.62 EUR
13+	1.65 EUR
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500+	0.86 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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SIA511DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

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SIA513DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA813DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA814DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V

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