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Name: SI2301CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 1978876-3
Price: 18.26 EUR
Availability: InStock

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SI1046X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Produkt ist nicht verfügbar

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SI1069X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

auf Bestellung 1851 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI1073X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2301CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V

auf Bestellung 29856 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.83 EUR
31+	0.58 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2302CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 29180 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.83 EUR
33+	0.55 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2303CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V

auf Bestellung 3999 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR
26+	0.68 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2305ADS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2307CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

auf Bestellung 32387 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.02 EUR
26+	0.68 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2316BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V

auf Bestellung 61123 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR
23+	0.79 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2333CDS-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V

auf Bestellung 33749 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
17+	1.08 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5403DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V

auf Bestellung 5763 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.62 EUR
14+	1.33 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5406CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5410DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5418DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

auf Bestellung 2790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
10+	2.03 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5432DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

auf Bestellung 3048 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5475DDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5519DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7102DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7115DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V

auf Bestellung 5980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.78 EUR
10+	2.57 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7121DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V

auf Bestellung 10238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.52 EUR
10+	1.77 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7123DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

auf Bestellung 17508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7160DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7164DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V

auf Bestellung 1237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.58 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7172DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V

auf Bestellung 7461 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.40 EUR
10+	3.66 EUR
100+	2.91 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7174DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V

auf Bestellung 3190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.95 EUR
10+	4.58 EUR
100+	3.23 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7178DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V

auf Bestellung 6127 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.16 EUR
10+	4.03 EUR
100+	2.82 EUR
500+	2.30 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7186DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

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SI7192DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

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SI7194DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

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SI7196DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V

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SI7224DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

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SI7234DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

auf Bestellung 7989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.39 EUR
10+	4.19 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7322DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V

auf Bestellung 16441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.71 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SI7328DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

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SI7405BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

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SI7460DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V

auf Bestellung 3408 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.91 EUR
10+	3.18 EUR
100+	2.20 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7611DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V

auf Bestellung 9765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.08 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.60 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7620DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

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SI7634BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V

auf Bestellung 704 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.29 EUR
10+	2.72 EUR
100+	2.17 EUR
500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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SI7658ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V

auf Bestellung 1941 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.39 EUR
10+	4.19 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7716ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

auf Bestellung 14671 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.73 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.00 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SI7718DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7720DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7738DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V

auf Bestellung 4827 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.72 EUR
10+	3.96 EUR
100+	3.21 EUR
500+	2.85 EUR
1000+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7742DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7748DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7758DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7784DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7788DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

auf Bestellung 6870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7790DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

auf Bestellung 691 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7802DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

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SI7848BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

auf Bestellung 4446 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.19 EUR
10+	2.72 EUR
100+	2.10 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7852ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V

auf Bestellung 4333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.03 EUR
10+	3.26 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7882DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7884BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V

auf Bestellung 6228 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.19 EUR
10+	2.58 EUR
100+	2.34 EUR
500+	2.30 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7905DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7940DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7948DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Si7980DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

auf Bestellung 8085 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI1046X-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI1069X-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

auf Bestellung 1851 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI1073X-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2301CDS-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V

auf Bestellung 29856 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
22+	0.83 EUR
31+	0.58 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2302CDS-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 29180 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
22+	0.83 EUR
33+	0.55 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2303CDS-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V

auf Bestellung 3999 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
20+	0.92 EUR
26+	0.68 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2305ADS-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2307CDS-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

auf Bestellung 32387 Stücke:

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Anzahl	Preis
18+	1.02 EUR
26+	0.68 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2308BDS-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2316BDS-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V

auf Bestellung 61123 Stücke:

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20+	0.92 EUR
23+	0.79 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI2333CDS-T1-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V

auf Bestellung 33749 Stücke:

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13+	1.46 EUR
17+	1.08 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5403DC-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V

auf Bestellung 5763 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
11+	1.62 EUR
14+	1.33 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5406CDC-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5410DU-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5418DU-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

auf Bestellung 2790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
8+	2.27 EUR
10+	2.03 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5432DC-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

auf Bestellung 3048 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5475DDC-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5519DU-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7102DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7115DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V

auf Bestellung 5980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	3.78 EUR
10+	2.57 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7121DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V

auf Bestellung 10238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
7+	2.52 EUR
10+	1.77 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7123DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

auf Bestellung 17508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7160DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7164DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V

auf Bestellung 1237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3+	6.58 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7172DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V

auf Bestellung 7461 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	4.40 EUR
10+	3.66 EUR
100+	2.91 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7174DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V

auf Bestellung 3190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3+	6.95 EUR
10+	4.58 EUR
100+	3.23 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7178DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V

auf Bestellung 6127 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3+	6.16 EUR
10+	4.03 EUR
100+	2.82 EUR
500+	2.30 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7186DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7192DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7194DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7196DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7224DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7234DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

auf Bestellung 7989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3+	6.39 EUR
10+	4.19 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7322DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V

auf Bestellung 16441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
7+	2.71 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7328DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7405BDN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7460DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V

auf Bestellung 3408 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	4.91 EUR
10+	3.18 EUR
100+	2.20 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SI7611DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V

auf Bestellung 9765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
6+	3.08 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.60 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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SI7620DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7634BDP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V

auf Bestellung 704 Stücke:

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Anzahl	Preis
6+	3.29 EUR
10+	2.72 EUR
100+	2.17 EUR
500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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SI7658ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V

auf Bestellung 1941 Stücke:

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Anzahl	Preis
3+	6.39 EUR
10+	4.19 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7716ADN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

auf Bestellung 14671 Stücke:

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10+	1.89 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.00 EUR
1000+	0.92 EUR

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SI7718DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7720DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7738DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V

auf Bestellung 4827 Stücke:

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4+	4.72 EUR
10+	3.96 EUR
100+	3.21 EUR
500+	2.85 EUR
1000+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SI7742DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7748DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7758DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7784DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7788DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

auf Bestellung 6870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7790DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

auf Bestellung 691 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7802DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7848BDP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

auf Bestellung 4446 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	4.19 EUR
10+	2.72 EUR
100+	2.10 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7852ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V

auf Bestellung 4333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	5.03 EUR
10+	3.26 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SI7882DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7884BDP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V

auf Bestellung 6228 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
6+	3.19 EUR
10+	2.58 EUR
100+	2.34 EUR
500+	2.30 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7905DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7940DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7948DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Si7980DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

auf Bestellung 8085 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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