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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI4688DY-T1-GE3 SI4688DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4688dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
auf Bestellung 8235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.13 EUR
13+1.42 EUR
100+1.11 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4842BDY-T1-GE3 SI4842BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4842bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.44 EUR
10+3.39 EUR
100+2.43 EUR
500+2.1 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4866BDY-T1-GE3 SI4866BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4866bd.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
auf Bestellung 7138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4943cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 3455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.75 EUR
10+2.41 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
auf Bestellung 12499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
11+1.62 EUR
100+1.09 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9926cd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 21469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
10+1.87 EUR
100+1.3 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 24747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
18+0.98 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix sud19p06-60.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
auf Bestellung 51828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.28 EUR
17+1.04 EUR
100+0.91 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Vishay Siliconix sud23n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 6646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.32 EUR
12+1.51 EUR
100+1.03 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Siliconix sud50n04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
12+1.59 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
auf Bestellung 5755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.02 EUR
10+3.57 EUR
100+2.48 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1046R-T1-GE3 SI1046R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1046r.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1046X-T1-GE3 SI1046X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1046x.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1069X-T1-GE3 SI1069X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1069x.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5432DC-T1-GE3 SI5432DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5432dc.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
auf Bestellung 3048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5519DU-T1-GE3 SI5519DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5519du.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7123DN-T1-GE3 SI7123DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7123dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
auf Bestellung 17508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7160DP-T1-GE3 SI7160DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7160dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7186DP-T1-GE3 SI7186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7194DP-T1-GE3 SI7194DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7194dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7328DN-T1-GE3 SI7328DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7328dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7718DN-T1-GE3 SI7718DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7718dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7720DN-T1-GE3 SI7720DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7720dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7758DP-T1-GE3 SI7758DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7758dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7784DP-T1-GE3 SI7784DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7784dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7788DP-T1-GE3 SI7788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7788dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 6870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7790DP-T1-GE3 SI7790DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7790dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7802DN-T1-GE3 SI7802DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7802dn.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7882DP-T1-GE3 SI7882DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71858.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7948DP-T1-GE3 SI7948DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7948dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7980DP-T1-GE3 Si7980DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7980dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
auf Bestellung 8085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA408DJ-T1-GE3 SIA408DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia408dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
auf Bestellung 2757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA415DJ-T1-GE3 SIA415DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia415dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
auf Bestellung 5849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA417DJ-T1-GE3 SIA417DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia417dj.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA419DJ-T1-GE3 SIA419DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia419dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA426DJ-T1-GE3 SIA426DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia426dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
auf Bestellung 8006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA430DJ-T1-GE3 SIA430DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia430dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA813DJ-T1-GE3 SIA813DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia813dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA917DJ-T1-GE3 SIA917DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia917dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB415DK-T1-GE3 SIB415DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib415dk.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417DK-T1-GE3 SIB417DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib417dk.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB419DK-T1-GE3 SIB419DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib419dk.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB914DK-T1-GE3 SIB914DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib914dk.pdf Description: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR892DP-T1-GE3 SiR892DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir892dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 5163 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4110DY-T1-GE3 SI4110DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4110dy.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
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SI4170DY-T1-GE3 SI4170DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4170dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
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Si4226DY-T1-GE3 Si4226DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4226dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
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SI4448DY-T1-E3 SI4448DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4448dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
auf Bestellung 2347 Stücke:
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SI4660DY-T1-GE3 SI4660DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4660dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
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SI4668DY-T1-GE3 SI4668DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4668dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
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SI4866BDY-T1-GE3 SI4866BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4866bd.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
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SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 132000 Stücke:
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3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013rx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 75000 Stücke:
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3000+0.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013rx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-GE3 SI1016X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1016x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1022r.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
9000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1023X-T1-GE3 SI1023X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1023x.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1024x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
21000+0.24 EUR
30000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1026X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1026x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
auf Bestellung 291000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4688DY-T1-GE3 si4688dy.pdf
SI4688DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
auf Bestellung 8235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.13 EUR
13+1.42 EUR
100+1.11 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4842BDY-T1-GE3 si4842bd.pdf
SI4842BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.44 EUR
10+3.39 EUR
100+2.43 EUR
500+2.1 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4866BDY-T1-GE3 si4866bd.pdf
SI4866BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
auf Bestellung 7138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4943CDY-T1-GE3 si4943cdy.pdf
SI4943CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 3455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.75 EUR
10+2.41 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
auf Bestellung 12499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.57 EUR
11+1.62 EUR
100+1.09 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-GE3 si9926cd.pdf
SI9926CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 21469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.12 EUR
10+1.87 EUR
100+1.3 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 24747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.62 EUR
18+0.98 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
auf Bestellung 51828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.28 EUR
17+1.04 EUR
100+0.91 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD23N06-31-GE3 sud23n06.pdf
SUD23N06-31-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 6646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.32 EUR
12+1.51 EUR
100+1.03 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3 sud50n04.pdf
SUD50N04-8M8P-4GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.11 EUR
12+1.59 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P06-15-GE3 sud50p06-15.pdf
SUD50P06-15-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
auf Bestellung 5755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.02 EUR
10+3.57 EUR
100+2.48 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1046R-T1-GE3 si1046r.pdf
SI1046R-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1046X-T1-GE3 si1046x.pdf
SI1046X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1069X-T1-GE3 si1069x.pdf
SI1069X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5432DC-T1-GE3 si5432dc.pdf
SI5432DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
auf Bestellung 3048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5519DU-T1-GE3 si5519du.pdf
SI5519DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7123DN-T1-GE3 si7123dn.pdf
SI7123DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
auf Bestellung 17508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7160DP-T1-GE3 si7160dp.pdf
SI7160DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7186DP-T1-GE3 si7186dp.pdf
SI7186DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7194DP-T1-GE3 si7194dp.pdf
SI7194DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7328DN-T1-GE3 si7328dn.pdf
SI7328DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7718DN-T1-GE3 si7718dn.pdf
SI7718DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7720DN-T1-GE3 si7720dn.pdf
SI7720DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7758DP-T1-GE3 si7758dp.pdf
SI7758DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7784DP-T1-GE3 si7784dp.pdf
SI7784DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7788DP-T1-GE3 si7788dp.pdf
SI7788DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 6870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7790DP-T1-GE3 si7790dp.pdf
SI7790DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7802DN-T1-GE3 si7802dn.pdf
SI7802DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7882DP-T1-GE3 71858.pdf
SI7882DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7948DP-T1-GE3 si7948dp.pdf
SI7948DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7980DP-T1-GE3 si7980dp.pdf
Si7980DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
auf Bestellung 8085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA408DJ-T1-GE3 sia408dj.pdf
SIA408DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
auf Bestellung 2757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA415DJ-T1-GE3 sia415dj.pdf
SIA415DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
auf Bestellung 5849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA417DJ-T1-GE3 sia417dj.pdf
SIA417DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA419DJ-T1-GE3 sia419dj.pdf
SIA419DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA426DJ-T1-GE3 sia426dj.pdf
SIA426DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
auf Bestellung 8006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA430DJ-T1-GE3 sia430dj.pdf
SIA430DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA813DJ-T1-GE3 sia813dj.pdf
SIA813DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA917DJ-T1-GE3 sia917dj.pdf
SIA917DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB415DK-T1-GE3 sib415dk.pdf
SIB415DK-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417DK-T1-GE3 sib417dk.pdf
SIB417DK-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB419DK-T1-GE3 sib419dk.pdf
SIB419DK-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB914DK-T1-GE3 sib914dk.pdf
SIB914DK-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR892DP-T1-GE3 sir892dp.pdf
SiR892DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 5163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4110DY-T1-GE3 si4110dy.pdf
SI4110DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4170DY-T1-GE3 si4170dy.pdf
SI4170DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4226DY-T1-GE3 si4226dy.pdf
Si4226DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4448DY-T1-E3 si4448dy.pdf
SI4448DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4660DY-T1-GE3 si4660dy.pdf
SI4660DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4668DY-T1-GE3 si4668dy.pdf
SI4668DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4866BDY-T1-GE3 si4866bd.pdf
SI4866BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
auf Bestellung 7138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012R-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.22 EUR
30000+0.21 EUR
75000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-GE3 si1013rx.pdf
SI1013R-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.22 EUR
30000+0.21 EUR
75000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3 si1013rx.pdf
SI1013X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-GE3 si1016x.pdf
SI1016X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1022R-T1-GE3 si1022r.pdf
SI1022R-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.29 EUR
9000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1023X-T1-GE3 si1023x.pdf
SI1023X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1024X-T1-GE3 si1024x.pdf
SI1024X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.25 EUR
21000+0.24 EUR
30000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1026X-T1-GE3 si1026x.pdf
SI1026X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
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