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Name: SI7108DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 1995639-3
Price: 20.82 EUR
Availability: InStock

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Preis

SI7108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8

auf Bestellung 42079 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.47 EUR
10+	3.11 EUR
100+	2.50 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.70 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7112DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V

auf Bestellung 14391 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.80 EUR
10+	2.52 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7113DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V

auf Bestellung 8099 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.71 EUR
10+	2.38 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7114DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7116DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 5043 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.19 EUR
10+	3.38 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Si7120DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7216DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

auf Bestellung 4539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.59 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7220DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

auf Bestellung 64267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.07 EUR
10+	2.61 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7308DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V

auf Bestellung 8027 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.20 EUR
12+	1.49 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7366DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7386DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 28706 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.74 EUR
13+	1.42 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7411DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7414DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V

auf Bestellung 5689 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	2.01 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7415DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V

auf Bestellung 27094 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	2.71 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7430DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V

auf Bestellung 5941 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.58 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7434DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V

auf Bestellung 13089 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.96 EUR
10+	4.17 EUR
100+	3.37 EUR
500+	3.00 EUR
1000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7450DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V

auf Bestellung 4854 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.98 EUR
10+	3.33 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7456DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.70 EUR
10+	3.32 EUR
100+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7459DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7461DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V

auf Bestellung 22843 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.68 EUR
10+	3.71 EUR
100+	2.58 EUR
500+	2.10 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7463DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V

auf Bestellung 8556 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.90 EUR
10+	4.00 EUR
100+	2.90 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7465DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V

auf Bestellung 6033 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
14+	1.30 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.90 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7483ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7485DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7489DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

auf Bestellung 11417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.67 EUR
10+	3.70 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7501DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

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SI7540DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

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SI7818DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V

auf Bestellung 5709 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.57 EUR
10+	2.10 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SI7820DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V

auf Bestellung 11681 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.71 EUR
10+	2.38 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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SI7842DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete

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SI7844DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

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SI7858ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

auf Bestellung 2959 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.14 EUR
10+	4.61 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.05 EUR
1000+	2.61 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SI7892BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V

auf Bestellung 1251 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.47 EUR
10+	2.36 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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SI7898DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

auf Bestellung 12222 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.98 EUR
10+	2.96 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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SI7922DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 42035 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.75 EUR
10+	2.27 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.30 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SI7942DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

auf Bestellung 4991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SI7945DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

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SI7958DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

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SI7960DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

Produkt ist nicht verfügbar

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SIA411DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA914DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SI1065X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

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SI4378DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

auf Bestellung 6620 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SI5435BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

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SI5447DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

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SI6433BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

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SI6459BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP

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SI6463BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

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SI7107DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7114DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7366DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7958DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

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SIA411DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA914DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SUB75P03-07-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHP18N50C-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.49 EUR
50+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHG20N50C-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

auf Bestellung 1377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.21 EUR
25+	3.52 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.35 EUR
1000+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHP22N60S-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHG22N60S-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5620 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2522DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SP3TX1 1.1OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.1Ohm
-3db Bandwidth: 105MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.6V ~ 5.5V
Charge Injection: 27pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP3T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7108DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8

auf Bestellung 42079 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
6+	3.47 EUR
10+	3.11 EUR
100+	2.50 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.70 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7112DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V

auf Bestellung 14391 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
7+	2.80 EUR
10+	2.52 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7113DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V

auf Bestellung 8099 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	3.71 EUR
10+	2.38 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7114DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7116DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 5043 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	5.19 EUR
10+	3.38 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Si7120DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7216DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

auf Bestellung 4539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	3.59 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7220DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

auf Bestellung 64267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	4.07 EUR
10+	2.61 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7308DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V

auf Bestellung 8027 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
8+	2.20 EUR
12+	1.49 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7366DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7386DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V

auf Bestellung 28706 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
11+	1.74 EUR
13+	1.42 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7411DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7414DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V

auf Bestellung 5689 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
6+	2.96 EUR
10+	2.01 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7415DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V

auf Bestellung 27094 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	4.21 EUR
10+	2.71 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7430DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V

auf Bestellung 5941 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3+	6.58 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7434DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V

auf Bestellung 13089 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	4.96 EUR
10+	4.17 EUR
100+	3.37 EUR
500+	3.00 EUR
1000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7450DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V

auf Bestellung 4854 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	4.98 EUR
10+	3.33 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7456DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	3.70 EUR
10+	3.32 EUR
100+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7459DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7461DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V

auf Bestellung 22843 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	5.68 EUR
10+	3.71 EUR
100+	2.58 EUR
500+	2.10 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7463DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V

auf Bestellung 8556 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3+	5.90 EUR
10+	4.00 EUR
100+	2.90 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7465DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V

auf Bestellung 6033 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
11+	1.72 EUR
14+	1.30 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.90 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7483ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7485DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7489DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

auf Bestellung 11417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	5.67 EUR
10+	3.70 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7501DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7540DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7818DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V

auf Bestellung 5709 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
7+	2.57 EUR
10+	2.10 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7820DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V

auf Bestellung 11681 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	3.71 EUR
10+	2.38 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7842DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7844DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7858ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

auf Bestellung 2959 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	5.14 EUR
10+	4.61 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.05 EUR
1000+	2.61 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7892BDP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V

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SI7898DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

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SI7922DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

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1000+	1.30 EUR

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SI7942DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

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SI7945DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

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SI7958DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

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SI7960DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

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SIA411DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA914DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SI1065X-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

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SI4378DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

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SI5435BDC-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5447DC-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

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SI6433BDQ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6459BDQ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6463BDQ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7107DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

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SI7114DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

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SI7366DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7958DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

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SIA411DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

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SIA914DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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SUB75P03-07-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V

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SIHP18N50C-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

auf Bestellung 99 Stücke:

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Anzahl	Preis
4+	5.49 EUR
50+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SIHG20N50C-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

auf Bestellung 1377 Stücke:

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Anzahl	Preis
3+	6.21 EUR
25+	3.52 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.35 EUR
1000+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHP22N60S-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHG22N60S-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5620 pF @ 25 V

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DG2522DN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP3TX1 1.1OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.1Ohm
-3db Bandwidth: 105MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.6V ~ 5.5V
Charge Injection: 27pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP3T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

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