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Name: SI7430DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 1995654-3
Price: 19.26 EUR
Availability: InStock

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Privatkunde

SI7430DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V

auf Bestellung 4665 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.64 EUR
10+	5.02 EUR
50+	3.89 EUR
100+	3.52 EUR
500+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SI7434DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 13089 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.9 EUR
10+	4.96 EUR
100+	4.01 EUR
500+	3.57 EUR
1000+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SI7450DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3002 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.22 EUR
10+	4.74 EUR
100+	3.31 EUR
500+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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SI7456DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.4 EUR
10+	3.95 EUR
100+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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SI7459DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

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SI7461DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V

auf Bestellung 22843 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.76 EUR
10+	4.41 EUR
100+	3.07 EUR
500+	2.5 EUR
1000+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7463DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7465DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 5056 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.37 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7483ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7485DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7489DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 11417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.75 EUR
10+	4.4 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7501DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7540DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7818DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 5709 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.06 EUR
10+	2.5 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7820DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 11681 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.41 EUR
10+	2.83 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7842DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7844DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7858ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

auf Bestellung 2959 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.12 EUR
10+	5.49 EUR
100+	4.41 EUR
500+	3.63 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7892BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1251 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.13 EUR
10+	2.81 EUR
100+	2 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7898DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

auf Bestellung 10659 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.26 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.36 EUR
500+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7922DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 34240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.52 EUR
10+	2.9 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7942DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

auf Bestellung 4991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7945DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7958DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7960DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA411DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA914DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI1065X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4378DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

auf Bestellung 6620 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5435BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6433BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6459BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6463BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7107DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7114DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7366DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7958DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA411DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA914DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUB75P03-07-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHP18N50C-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHG20N50C-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHP22N60S-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHG22N60S-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5620 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2522DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SP3TX1 1.1OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.1Ohm
-3db Bandwidth: 105MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.6V ~ 5.5V
Charge Injection: 27pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP3T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2706DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH QUAD SPDT 16-MINIQFN

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2714DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.5V ~ 3.6V
Charge Injection: 9pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 33ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2720DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2722DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2735DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH 2XSPDT 500MOHM MINIQFN

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2737DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDT X 1 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2738DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SW SPST-NCX2 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2739DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SW SPST-NO/NCX2 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2788DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Charge Injection: 87pC
Crosstalk: -96dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 43ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 81pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG3157ADN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDTX1 15OHM 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 15Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -64dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 21ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG3157BDN-T1-E4

Vishay Siliconix

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG3516DB-T5-E1

Vishay Siliconix

Description: IC SW SPDTX2 2.9OHM 10MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.9Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: 10-Micro Foot® (2x1.5)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -78dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 250mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 42ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG4051AEN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC MUX 8:1 100OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 330MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.5V ~ 5V
Charge Injection: 0.25pC
Crosstalk: -67dB @ 10MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 108ns, 92ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG4052AEN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SW SP4TX2 100OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 450MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.5V ~ 5V
Charge Injection: 0.25pC
Crosstalk: -67dB @ 10MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 108ns, 92ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG4053AEN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC MUX TRIPLE 2CHAN 16-MINIQFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7430DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V

auf Bestellung 4665 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3+	7.64 EUR
10+	5.02 EUR
50+	3.89 EUR
100+	3.52 EUR
500+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7434DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 13089 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
4+	5.9 EUR
10+	4.96 EUR
100+	4.01 EUR
500+	3.57 EUR
1000+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7450DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3002 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3+	7.22 EUR
10+	4.74 EUR
100+	3.31 EUR
500+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7456DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
5+	4.4 EUR
10+	3.95 EUR
100+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7459DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7461DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V

auf Bestellung 22843 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
4+	6.76 EUR
10+	4.41 EUR
100+	3.07 EUR
500+	2.5 EUR
1000+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7463DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7465DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 5056 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
7+	3.37 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7483ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7485DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7489DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 11417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
4+	6.75 EUR
10+	4.4 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7501DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7540DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7818DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 5709 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
7+	3.06 EUR
10+	2.5 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7820DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 11681 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
5+	4.41 EUR
10+	2.83 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7842DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7844DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7858ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

auf Bestellung 2959 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
4+	6.12 EUR
10+	5.49 EUR
100+	4.41 EUR
500+	3.63 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7892BDP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1251 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
6+	4.13 EUR
10+	2.81 EUR
100+	2 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7898DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

auf Bestellung 10659 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
4+	5.26 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.36 EUR
500+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7922DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 34240 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
5+	4.52 EUR
10+	2.9 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7942DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

auf Bestellung 4991 Stücke:

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SI7945DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7958DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7960DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA411DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA914DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI1065X-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4378DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

auf Bestellung 6620 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5435BDC-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6433BDQ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6459BDQ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI6463BDQ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7107DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7114DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7366DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7958DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA411DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA914DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUB75P03-07-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHP18N50C-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHG20N50C-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHP22N60S-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIHG22N60S-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5620 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2522DN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP3TX1 1.1OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.1Ohm
-3db Bandwidth: 105MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.6V ~ 5.5V
Charge Injection: 27pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP3T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2706DN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPDT 16-MINIQFN

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2714DL-T1-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.5V ~ 3.6V
Charge Injection: 9pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 33ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2720DN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2722DN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2735DN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH 2XSPDT 500MOHM MINIQFN

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2737DN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2738DN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX2 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2739DN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX2 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG2788DN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Charge Injection: 87pC
Crosstalk: -96dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 43ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 81pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG3157ADN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX1 15OHM 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 15Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -64dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 21ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG3157BDN-T1-E4

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG3516DB-T5-E1

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPDTX2 2.9OHM 10MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.9Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: 10-Micro Foot® (2x1.5)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -78dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 250mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 42ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG4051AEN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 100OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 330MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.5V ~ 5V
Charge Injection: 0.25pC
Crosstalk: -67dB @ 10MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 108ns, 92ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG4052AEN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SW SP4TX2 100OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 450MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.5V ~ 5V
Charge Injection: 0.25pC
Crosstalk: -67dB @ 10MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 108ns, 92ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG4053AEN-T1-E4

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC MUX TRIPLE 2CHAN 16-MINIQFN

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