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SIZ700DT-T1-GE3 SIZ700DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz700dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
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SIZ704DT-T1-GE3 SIZ704DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz704dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SIZ720DT-T1-GE3 SIZ720DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz720dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
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SMMA511DJ-T1-GE3 SMMA511DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix smma511d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
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SMMB911DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SMMB911DK-T1-GE3.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L Dual
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SQ2308ES-T1-GE3 SQ2308ES-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ2308ES.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO236
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SQ3442EV-T1-GE3 SQ3442EV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3442ev.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
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SQ3456EV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3456ev.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 30V 6TSOP
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SQ4401DY-T1-GE3 SQ4401DY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4401dy.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC
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SQ4410EY-T1-GE3 SQ4410EY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4410ey.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
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SQ4431EY-T1-GE3 SQ4431EY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4431ey.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
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SQ4470EY-T1-GE3 SQ4470EY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4470ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
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SQ4840EY-T1-GE3 SQ4840EY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4840ey.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC
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SQ4850EY-T1_GE3 SQ4850EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4850ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.95 EUR
5000+0.88 EUR
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SQ4936EY-T1-GE3 SQ4936EY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4936ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
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SQ4942EY-T1-GE3 SQ4942EY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4942ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
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SQ4946EY-T1-E3 SQ4946EY-T1-E3 Vishay Siliconix sq4946ey0.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SQ7002K-T1-GE3 SQ7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ7002K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 30 V
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SQ7414EN-T1-E3 SQ7414EN-T1-E3 Vishay Siliconix sq7414en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQ7415EN-T1-E3 SQ7415EN-T1-E3 Vishay Siliconix sq7415en.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK 1212-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQ9945AEY-T1-E3 SQ9945AEY-T1-E3 Vishay Siliconix sq9945ae.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SQD15N06-42L-GE3 SQD15N06-42L-GE3 Vishay Siliconix sqd15n06-42l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
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SQD19P06-60L_GE3 SQD19P06-60L_GE3 Vishay Siliconix sqd19p06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.24 EUR
6000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SQD23N06-31L-GE3 SQD23N06-31L-GE3 Vishay Siliconix sqd23n06-31l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SQD25N06-22L_GE3 SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix sqd25n06-22l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SQD25N06-35L-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252
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SQD25N15-52_GE3 SQD25N15-52_GE3 Vishay Siliconix sqd25n15-52.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SQD35N05-26L-GE3 SQD35N05-26L-GE3 Vishay Siliconix sqd35n05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SQD40N04-10A-GE3 SQD40N04-10A-GE3 Vishay Siliconix sqd40n04.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40N06-25L-GE3 SQD40N06-25L-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40N10-25_GE3 SQD40N10-25_GE3 Vishay Siliconix sqd40n10-25.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD45N05-20L-GE3 SQD45N05-20L-GE3 Vishay Siliconix 72974.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD45P03-12_GE3 SQD45P03-12_GE3 Vishay Siliconix sqd45p03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.54 EUR
6000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SQD50N02-04-GE3 SQD50N02-04-GE3 Vishay Siliconix sqd50n02.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N03-06P-GE3 SQD50N03-06P-GE3 Vishay Siliconix sqd50n03.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N03-09-GE3 SQD50N03-09-GE3 Vishay Siliconix sqd50n03.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N06-07L-GE3 SQD50N06-07L-GE3 Vishay Siliconix sqd50n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N06-09L-GE3 SQD50N06-09L-GE3 Vishay Siliconix sqd50n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
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SQD50P04-09L-GE3 SQD50P04-09L-GE3 Vishay Siliconix sqd50p04.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P04-13L-GE3 SQD50P04-13L-GE3 Vishay Siliconix sqd50p04-13l.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
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SQD50P06-15L_GE3 SQD50P06-15L_GE3 Vishay Siliconix sqd50p06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SQJ412EP-T1-GE3 SQJ412EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj412ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
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SQJ456EP-T1-GE3 SQJ456EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj456ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ461EP-T1-GE3 SQJ461EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj461ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 30A 8-SO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ463EP-T1-GE3 SQJ463EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj463ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj469ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ840EP-T1-GE3 SQJ840EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj840ep.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
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SQJ844EP-T1-GE3 SQJ844EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj844ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK 8SOIC
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ848EP-T1-GE3 SQJ848EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj848ep.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
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SQJ850EP-T1-GE3 SQJ850EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj850ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
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SQJ941EP-T1-GE3 SQJ941EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj941ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ964EP-T1-GE3 SQJ964EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj964ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOIC
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ970EP-T1-GE3 SQJ970EP-T1-GE3 Vishay Siliconix sqj970ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N04-02L-GE3 SQM110N04-02L-GE3 Vishay Siliconix sqm110n0.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N04-03-GE3 SQM110N04-03-GE3 Vishay Siliconix sqm110n0.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N04-03L-GE3 SQM110N04-03L-GE3 Vishay Siliconix sqm110n0.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N04-04-GE3 SQM110N04-04-GE3 Vishay Siliconix sqm110n0.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N05-06L_GE3 SQM110N05-06L_GE3 Vishay Siliconix doc?68838 Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N06-04L-GE3 SQM110N06-04L-GE3 Vishay Siliconix sqm110n0.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO263
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N06-06-GE3 SQM110N06-06-GE3 Vishay Siliconix sqm110n0.pdf Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO263
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ700DT-T1-GE3 siz700dt.pdf
SIZ700DT-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ704DT-T1-GE3 siz704dt.pdf
SIZ704DT-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ720DT-T1-GE3 siz720dt.pdf
SIZ720DT-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMA511DJ-T1-GE3 smma511d.pdf
SMMA511DJ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMB911DK-T1-GE3 SMMB911DK-T1-GE3.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2308ES-T1-GE3 SQ2308ES.pdf
SQ2308ES-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO236
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3442EV-T1-GE3 sq3442ev.pdf
SQ3442EV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3456EV-T1-GE3 sq3456ev.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 30V 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4401DY-T1-GE3 sq4401dy.pdf
SQ4401DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4410EY-T1-GE3 sq4410ey.pdf
SQ4410EY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4431EY-T1-GE3 sq4431ey.pdf
SQ4431EY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4470EY-T1-GE3 sq4470ey.pdf
SQ4470EY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4840EY-T1-GE3 sq4840ey.pdf
SQ4840EY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4850EY-T1_GE3 sq4850ey.pdf
SQ4850EY-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.95 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4936EY-T1-GE3 sq4936ey.pdf
SQ4936EY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4942EY-T1-GE3 sq4942ey.pdf
SQ4942EY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4946EY-T1-E3 sq4946ey0.pdf
SQ4946EY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ7002K-T1-GE3 SQ7002K.pdf
SQ7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ7414EN-T1-E3 sq7414en.pdf
SQ7414EN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ7415EN-T1-E3 sq7415en.pdf
SQ7415EN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ9945AEY-T1-E3 sq9945ae.pdf
SQ9945AEY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD15N06-42L-GE3 sqd15n06-42l.pdf
SQD15N06-42L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD19P06-60L_GE3 sqd19p06.pdf
SQD19P06-60L_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.24 EUR
6000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD23N06-31L-GE3 sqd23n06-31l.pdf
SQD23N06-31L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD25N06-22L_GE3 sqd25n06-22l.pdf
SQD25N06-22L_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD25N06-35L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SQD25N15-52_GE3 sqd25n15-52.pdf
SQD25N15-52_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD35N05-26L-GE3 sqd35n05.pdf
SQD35N05-26L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40N04-10A-GE3 sqd40n04.pdf
SQD40N04-10A-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40N06-25L-GE3
SQD40N06-25L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD40N10-25_GE3 sqd40n10-25.pdf
SQD40N10-25_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SQD45N05-20L-GE3 72974.pdf
SQD45N05-20L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD45P03-12_GE3 sqd45p03.pdf
SQD45P03-12_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.54 EUR
6000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N02-04-GE3 sqd50n02.pdf
SQD50N02-04-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N03-06P-GE3 sqd50n03.pdf
SQD50N03-06P-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N03-09-GE3 sqd50n03.pdf
SQD50N03-09-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N06-07L-GE3 sqd50n06.pdf
SQD50N06-07L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50N06-09L-GE3 sqd50n06.pdf
SQD50N06-09L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P04-09L-GE3 sqd50p04.pdf
SQD50P04-09L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P04-13L-GE3 sqd50p04-13l.pdf
SQD50P04-13L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P06-15L_GE3 sqd50p06.pdf
SQD50P06-15L_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ412EP-T1-GE3 sqj412ep.pdf
SQJ412EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ456EP-T1-GE3 sqj456ep.pdf
SQJ456EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ461EP-T1-GE3 sqj461ep.pdf
SQJ461EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 30A 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ463EP-T1-GE3 sqj463ep.pdf
SQJ463EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ469EP-T1_GE3 sqj469ep.pdf
SQJ469EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ840EP-T1-GE3 sqj840ep.pdf
SQJ840EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ844EP-T1-GE3 sqj844ep.pdf
SQJ844EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ848EP-T1-GE3 sqj848ep.pdf
SQJ848EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ850EP-T1-GE3 sqj850ep.pdf
SQJ850EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ941EP-T1-GE3 sqj941ep.pdf
SQJ941EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ964EP-T1-GE3 sqj964ep.pdf
SQJ964EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ970EP-T1-GE3 sqj970ep.pdf
SQJ970EP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N04-02L-GE3 sqm110n0.pdf
SQM110N04-02L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N04-03-GE3 sqm110n0.pdf
SQM110N04-03-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N04-03L-GE3 sqm110n0.pdf
SQM110N04-03L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N04-04-GE3 sqm110n0.pdf
SQM110N04-04-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 40V TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N05-06L_GE3 doc?68838
SQM110N05-06L_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N06-04L-GE3 sqm110n0.pdf
SQM110N06-04L-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM110N06-06-GE3 sqm110n0.pdf
SQM110N06-06-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH