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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
AUIRF7799L2TR	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IHW25N140R5LXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.4kV; 45A; 123W; TO247-3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.4kV Power dissipation: 123W Gate charge: 150nC Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Pulsed collector current: 75A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 45A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IHW20N140R5LXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.4kV; 38A; 106W; TO247-3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.4kV Power dissipation: 106W Gate charge: 125nC Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Pulsed collector current: 60A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 38A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IHW40N140R5LXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.4kV; 80A; 366W; TO247-3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.4kV Power dissipation: 366W Gate charge: 260nC Pulsed collector current: 120A Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IHW30N140R5LXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.4kV; 80A; 306W; TO247-3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.4kV Power dissipation: 306W Gate charge: 0.21µC Pulsed collector current: 90A Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE49462LHALA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Hall Sensors Description: Sensor: Hall Type of sensor: Hall	auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE4998P8XUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Hall Sensors Description: Sensor: Hall; programmable; SMT; Temp: -40÷125°C Type of sensor: Hall Kind of sensor: programmable Mounting: SMT Operating temperature: -40...125°C	auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE493D-W2B6 A2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Hall Sensors Description: Sensor: Hall Type of sensor: Hall	auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD042P03L3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -70A Pulsed drain current: -280A Power dissipation: 150W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF400R06KE3HOSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; Ic: 500A; 62MM; 1.25kW; Field Stop,Trench; screw Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 500A Case: 62MM Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 1.25kW Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IHW30N160R5	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 60A; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 60A Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V	auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY9BF118TBGL-GK7E1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1520 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY27410FLTXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Supervisor circuits Description: IC: supervisor circuit Type of integrated circuit: supervisor circuit	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY27410FLTXIT	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Supervisor circuits Description: IC: supervisor circuit Type of integrated circuit: supervisor circuit	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP120N08S403AKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP120N08S4-03	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Transistors - Unclassified Description: IPP120N08S4-03	auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS142D	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 4.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 4.6A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TO252-3 On-state resistance: 23mΩ Kind of package: reel; tape Technology: HITFET® Output voltage: 42V Power dissipation: 59W	auf Bestellung 677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB180P04P4L02ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -140A Pulsed drain current: -720A Power dissipation: 150W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: -16...5V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB120P04P4L-03	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -120A; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -40V Drain current: -120A Case: D2PAK On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD90P04P4L-04	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -90A; Idm: -360A; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -40V Drain current: -90A Pulsed drain current: -360A Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 2447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR35217MTRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Battery and battery cells controllers Description: IC: PMIC Type of integrated circuit: PMIC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPW65R035CFD7AXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPW60R041P6	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 77.5A; Idm: 267A; 481W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 77.5A Power dissipation: 481W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 267A Gate charge: 170nC	auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD80R360P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.6A Power dissipation: 84W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Version: ESD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPW80R360P7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.6A Power dissipation: 84W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Version: ESD Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN60R360P7S	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 9A; Idm: 26A; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Case: SOT223 On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 26A Gate charge: 13nC	auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 89 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP030N10N5XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 250W Gate charge: 112nC Polarisation: unipolar Drain current: 120A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220-3 On-state resistance: 3mΩ	auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ISP772T	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2.6A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 50mΩ Supply voltage: 5...34V DC Technology: Industrial PROFET	auf Bestellung 1067 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ISP742RI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 0.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 Supply voltage: 5...34V DC Technology: Industrial PROFET	auf Bestellung 1368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ISP762T	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 Supply voltage: 5...34V DC Technology: Industrial PROFET On-state resistance: 70mΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ITS4075QEPDXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 4.1A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 4.1A Number of channels: 4 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TSDSO-14 Supply voltage: 5...45V DC Technology: Industrial PROFET Power dissipation: 1.9W Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 0.1ms Kind of package: reel; tape Turn-off time: 0.1ms On-state resistance: 75mΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ISP742RIFUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 0.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 Supply voltage: 5...34V DC Technology: Industrial PROFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ITS4040DEPDXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 4.1A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 4.1A Number of channels: 2 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TSDSO-14 Supply voltage: 5...45V DC Technology: Industrial PROFET Power dissipation: 1.9W Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 0.1ms Kind of package: reel; tape Turn-off time: 0.1ms On-state resistance: 40mΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ITS4090QEPDXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.5A Number of channels: 4 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TSDSO-14 Supply voltage: 5...45V DC Technology: Industrial PROFET Power dissipation: 1.8W Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 75µs Kind of package: reel; tape Turn-off time: 75µs On-state resistance: 90mΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
T830N12TOFXPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Button thyristors Description: Thyristor: hockey-puck; 1.2kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA Max. forward impulse current: 14.5A Gate current: 250mA Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT) Max. off-state voltage: 1.2kV Body dimensions: Ø58/Ø36mm Load current: 844A Max. load current: 1.5kA Kind of package: in-tray Case: BG-T5814K0-1 Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
T830N14TOFXPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Button thyristors Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA Max. forward impulse current: 14.5kA Gate current: 250mA Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT) Max. off-state voltage: 1.4kV Body dimensions: Ø58/Ø36mm Load current: 844A Max. load current: 1.5kA Kind of package: in-tray Case: BG-T5814K0-1 Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
T830N16TOFXPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Button thyristors Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA Max. forward impulse current: 14.5kA Gate current: 250mA Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT) Max. off-state voltage: 1.6kV Body dimensions: Ø58/Ø36mm Load current: 844A Max. load current: 1.5kA Kind of package: in-tray Case: BG-T5814K0-1 Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP30R06W1E3B11BOMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; Inverter; 115W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Case: AG-EASY1B-2 Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 115W Technology: Field Stop; Trench	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP30R06W1E3BOMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 30A; AG-EASY1B-1; Inverter; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Case: AG-EASY1B-1 Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 115W Technology: Field Stop; Trench Collector current: 30A Electrical mounting: screw	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPW60R170CFD7	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 75W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.325Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 28nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA60R099P7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPZ60R099P6FKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPU80R1K4P7AKMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 32W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 10nC Kind of package: tube	auf Bestellung 1084 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPLK80R1K4P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; Idm: 8.9A; 37W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 37W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8.9A Gate charge: 10nC	auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA80R1K4P7	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 24W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC	auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFSL7437PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1kA	auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IFCM10P60GDXKMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 280 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BC859CE6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS126 H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Version: ESD Application: automotive industry	auf Bestellung 5330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 238 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTN8982TAAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Motor and PWM drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP460H6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 70mA Power dissipation: 0.23W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 22GHz Current gain: 90...160	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP405H6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 25mA Power dissipation: 75mW Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25GHz Current gain: 90...130	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP405H6740XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP410H6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; 40mA; 150mW; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.15W Case: SOT343 Mounting: SMD Frequency: 25GHz Application: automotive industry Current gain: 60	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP 420 H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 4.5V Case: SOT343 Mounting: SMD Frequency: 25GHz	auf Bestellung 8880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 210 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP 620 H7764	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector current: 80mA Case: SOT343 Current gain: 110 Mounting: SMD Frequency: 65GHz	auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 177 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP 640 H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50mA; 200mW; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT343 Current gain: 110 Mounting: SMD Frequency: 40GHz	auf Bestellung 3004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 218 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMZA65R048M1HXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal	auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1EDI60H12AH	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; 1200V Type of integrated circuit: driver Voltage class: 1.2kV Turn-on time: 0.12µs Mounting: SMD	auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SMBTA92E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 50MHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF7799L2TR

auirf7799l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b0ca251410

INFN-S-A0002298899-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IHW25N140R5LXKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.4kV; 45A; 123W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.4kV
Power dissipation: 123W
Gate charge: 150nC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 45A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IHW20N140R5LXKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.4kV; 38A; 106W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.4kV
Power dissipation: 106W
Gate charge: 125nC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IHW40N140R5LXKSA1

Infineon-IHW40N140R5L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189b53a0f8636ab

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.4kV; 80A; 366W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.4kV
Power dissipation: 366W
Gate charge: 260nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IHW30N140R5LXKSA1

Infineon-IHW30N140R5L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189b53a008436a8

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.4kV; 80A; 306W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.4kV
Power dissipation: 306W
Gate charge: 0.21µC
Pulsed collector current: 90A
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TLE49462LHALA1

TLE4946-2L_Datasheet_Rev.pdf?folderId=db3a30431ce5fb52011d29818c631b6b&fileId=db3a304338ec6d390138fc8f905876d3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall
Type of sensor: Hall

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TLE4998P8XUMA1

Infineon-TLE4998P8D-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bc891d38931a2

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; programmable; SMT; Temp: -40÷125°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: programmable
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...125°C

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TLE493D-W2B6 A2

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall
Type of sensor: Hall

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GATMA1

Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FF400R06KE3HOSA1

Infineon-FF400R06KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b434a7a560dc

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 500A; 62MM; 1.25kW; Field Stop,Trench; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 500A
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 1.25kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IHW30N160R5

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 60A; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 60A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY9BF118TBGL-GK7E1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1520 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY27410FLTXI

Infineon-CY27410_4_PLL_SPREAD_SPECTRUM_CLOCK_GENERATOR-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecd11fe4748

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Supervisor circuits
Description: IC: supervisor circuit
Type of integrated circuit: supervisor circuit

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 260 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY27410FLTXIT

Infineon-CY27410_4_PLL_SPREAD_SPECTRUM_CLOCK_GENERATOR-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecd11fe4748&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Supervisor circuits
Description: IC: supervisor circuit
Type of integrated circuit: supervisor circuit

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP120N08S403AKSA1

IPP_B_I120N08S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a014763906e790512

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP120N08S4-03

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPP120N08S4-03

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BTS142D

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 4.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 23mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Power dissipation: 59W

auf Bestellung 677 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180P04P4L02ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB120P04P4L-03

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -120A; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -120A
Case: D2PAK
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 947 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD90P04P4L-04

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -90A; Idm: -360A; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2447 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IR35217MTRPBF

Infineon-IR35215MTRPBF-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d175c99a8448b

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW65R035CFD7AXKSA1

Infineon-IPW65R035CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c0166b9f0849

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW60R041P6

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 77.5A; Idm: 267A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 267A
Gate charge: 170nC

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R360P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Version: ESD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW80R360P7XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN60R360P7S

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 9A; Idm: 26A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Case: SOT223
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 13nC

auf Bestellung 2987 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 89 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP030N10N5XKSA1

Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Gate charge: 112nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
On-state resistance: 3mΩ

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISP772T

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET

auf Bestellung 1067 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISP742RI

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET

auf Bestellung 1368 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISP762T

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
On-state resistance: 70mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ITS4075QEPDXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.1A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4.1A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
Supply voltage: 5...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 1.9W
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 0.1ms
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 0.1ms
On-state resistance: 75mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISP742RIFUMA1

Infineon-ISP742RI-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c90494d49231e

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ITS4040DEPDXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.1A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4.1A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
Supply voltage: 5...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 1.9W
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 0.1ms
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 0.1ms
On-state resistance: 40mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ITS4090QEPDXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
Supply voltage: 5...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 1.8W
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 75µs
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 75µs
On-state resistance: 90mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

T830N12TOFXPSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.2kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA
Max. forward impulse current: 14.5A
Gate current: 250mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 1.2kV
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Load current: 844A
Max. load current: 1.5kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T5814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

T830N14TOFXPSA1

Infineon-T830N-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128638723d95365

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 1.4kV
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Load current: 844A
Max. load current: 1.5kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T5814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

T830N16TOFXPSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 1.6kV
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Load current: 844A
Max. load current: 1.5kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T5814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FP30R06W1E3B11BOMA1

Infineon-FP30R06W1E3_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af0c5c0515dc5

Infineon-FP30R06W1E3_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af0c5c0515dc5

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; Inverter; 115W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-EASY1B-2
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 115W
Technology: Field Stop; Trench

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Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FP30R06W1E3BOMA1

Infineon-FP30R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4331e125a73

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 30A; AG-EASY1B-1; Inverter; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-EASY1B-1
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 115W
Technology: Field Stop; Trench
Collector current: 30A
Electrical mounting: screw

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Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW60R170CFD7

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPA60R099P7XKSA1

Infineon-IPA60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b198c14f14acc

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099P6FKSA1

Infineon-IPZ60R099P6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e765da5014ee3fc85c20387

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7AKMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube

auf Bestellung 1084 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPLK80R1K4P7ATMA1

Infineon-IPLK80R1K4P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e10fd50223

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; Idm: 8.9A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8.9A
Gate charge: 10nC

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IPA80R1K4P7

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC

auf Bestellung 500 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFSL7437PBF

irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1kA

auf Bestellung 36 Stücke:

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IFCM10P60GDXKMA1

Infineon-IFCM10P60GD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c53b94e897ce6

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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Mindestbestellmenge: 280 Stücke

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BC859CE6327HTSA1

Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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BSS126 H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Version: ESD
Application: automotive industry

auf Bestellung 5330 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 238 Stücke

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BTN8982TAAUMA1

BTN8982TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe32289b7c17&ack=t

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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BFP460H6327XTSA1

Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 22GHz
Current gain: 90...160

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BFP405H6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 75mW
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
Current gain: 90...130

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFP405H6740XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFP410H6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; 40mA; 150mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 25GHz
Application: automotive industry
Current gain: 60

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFP 420 H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 4.5V
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 25GHz

auf Bestellung 8880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFP 620 H7764

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 80mA
Case: SOT343
Current gain: 110
Mounting: SMD
Frequency: 65GHz

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 177 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFP 640 H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50mA; 200mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110
Mounting: SMD
Frequency: 40GHz

auf Bestellung 3004 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMZA65R048M1HXKSA1

Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

auf Bestellung 162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

1EDI60H12AH

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; 1200V
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 0.12µs
Mounting: SMD

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

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SMBTA92E6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz

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