| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FM28V100-TGTR | INFINEON |
Description: INFINEON - FM28V100-TGTR - FRAM, 1MB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-I-32tariffCode: 85423290 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 1Mbit MSL: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Speicherorganisation: 128K x 8 Bit Taktfrequenz: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Speichergröße: 1Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.b.2 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
TLS125D0EJXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLS125D0EJXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4V bis 40Vin, 250mV Dropout, 2-40V/250mAout, HSOIC-8tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 150°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 40V productTraceability: No Anzahl der Pins: 8Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 250mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV MSL: MSL 3 - 168 Stunden Ausgang: Einstellbar hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V Produktpalette: Adj, 250mA LDO Voltage Regulators Ausgangsstrom, max.: 250mA euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: HSOIC rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 4V IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC Ausgangsspannung, max.: 40V Nominelle feste Ausgangsspannung: - Ausgangsspannung, min.: 2V Dropout-Spannung Vdo: 250mV Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom, max.: 250mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 usEccn: EAR99 Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, ModultariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FF55MR12W1M1HB70BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, ModultariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FF55MR12W1M1HB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, ModultariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, ModultariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPB407N30NATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
S70KS1282GABHV020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 PinstariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 128Mbit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 128Mbit Zugriffszeit: 35ns Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Taktfrequenz: 200MHz SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC031N06NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC074N15NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm |
auf Bestellung 4994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC074N15NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 214W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm |
auf Bestellung 4994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FF3MR20KM1HHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 4000 µohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FF3MR12KM1HPHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 220 A, 1.2 kV, 4440 µohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62 mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FF3MR12KM1HHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 4440 µohm, ModultariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62 mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FF300R17ME7B11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 300 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 300A Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
TLS203B0EJV33XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLS203B0EJV33XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.3V bis 20V, 270mV Dropout-Spannung, 3.3V/300mAout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.3V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3.3V, 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
TLE989XEVALBLQFPTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE989XEVALBLQFPTOBO1 - Evaluationskit, TLE988x, TLE989x, Controller für 3-Phasen-BLDC-MotorsteuerungtariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE988x/TLE989x, Sockelplatine, USB-Kabel Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: TLE988x, TLE989x Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.a.2 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IQFH55N04NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 451A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 214W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm |
auf Bestellung 2966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ESD123B2W0201E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 SeriestariffCode: 85411000 Bauform - Diode: WLL-3-1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 14880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ESD123B2W0201E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 SeriestariffCode: 85411000 Bauform - Diode: WLL-3-1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 14880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC007N04LS6SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BSC007N04LS6SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2EP130RXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10mA Treiberkonfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 280ns Ausgabeverzögerung: 280ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 8388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2EP101RXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10mA Treiberkonfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 280ns Ausgabeverzögerung: 280ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2EP100RXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10mA Treiberkonfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 280ns Ausgabeverzögerung: 280ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2EP110RXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10mA Treiberkonfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 280ns Ausgabeverzögerung: 280ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 5444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2EP100RXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 280ns Ausgabeverzögerung: 280ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2EP101RXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 280ns Ausgabeverzögerung: 280ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2EP110RXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 280ns Ausgabeverzögerung: 280ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 5444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
2EP130RXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 10mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 280ns Ausgabeverzögerung: 280ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 8388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 - Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G, 12.2V Server-StromversorgungtariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: Server-Stromversorgung SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Prozessorkern: 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IDW10G120C5BFKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDW10G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
KITPSC3M5EVK | INFINEON |
Description: INFINEON - KITPSC3M5EVK - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, 32 Bit, ARM Cortex-M33FtariffCode: 85437090 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, USB-A/USB-C-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Anzahl der Bits: 32bit Prozessorserie: Cortex-M33F Prozessorfamilie: PSOC C3 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Prozessorarchitektur: ARM |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IPD80R750P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 51W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPD80R750P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 51W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRS21064STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 220ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IRS21064STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 220ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IPB65R125CFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPB014N06NATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IPB80P03P4L07ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPB60R045P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 201W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPB026N06NATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPB048N15N5LFATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V Verlustleistung: 313W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPB80P04P405ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm |
auf Bestellung 936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IPB35N10S3L26ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
REF5AR3995BZ114W1TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REF5AR3995BZ114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR3995BZ, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-ManagementtariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR3995BZ Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Prozessorserie: - Unterart Anwendung: SNT Prozessorfamilie: CoolSET SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: ICE5AR3995BZ Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Prozessorarchitektur: - |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
REF5BR3995BZ116W1TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REF5BR3995BZ116W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR3995BZ, SMPS/SNT, 16W, Power-ManagementtariffCode: 85437090 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR3995BZ Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Prozessorserie: - Unterart Anwendung: SNT usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: CoolSET euEccn: NLR Prozessorkern: ICE5BR3995BZ Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
REFSSRACDC2ATOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REFSSRACDC2ATOBO1 - Referenzplatine, Coolset, iSSI30R12H, IPT60T022S7, SMPS/SNT, Halbleiter-Isolator, Power-ManagementtariffCode: 85437090 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Referenzplatine XMC1302-T028X0128 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Prozessorserie: - Unterart Anwendung: Halbleiter-Isolator usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: CoolMOS euEccn: NLR Prozessorkern: iSSI30R12H, IPT60T022S7 Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
REF5AR4770BZS115W1TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REF5AR4770BZS115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4770BZS, SMPS/SNT, 15W, Power-ManagementtariffCode: 85437090 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4770BZS Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Prozessorserie: - Unterart Anwendung: SNT usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: CoolSET euEccn: NLR Prozessorkern: ICE5AR4770BZS Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
REF5BR4780BZ115W1TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REF5BR4780BZ115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR4780BZ, SMPS/SNT, 15W, Power-ManagementtariffCode: 85437090 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR4780BZ Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Prozessorserie: - Unterart Anwendung: SNT usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: CoolSET euEccn: NLR Prozessorkern: ICE5BR4780BZ Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
REF5AR0680BZS144W1TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REF5AR0680BZS144W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR0680BZS, SMPS/SNT, 44W, 12V, Power-ManagementtariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR0680BZS Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Prozessorserie: - Unterart Anwendung: SNT usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: CoolSET euEccn: NLR Prozessorkern: ICE5AR0680BZS Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
REF5BR2280BZ122W1TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REF5BR2280BZ122W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR2280BZ, SMPS/SNT, 22W, Power-ManagementtariffCode: 85437090 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR2280BZ Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Prozessorserie: - Unterart Anwendung: SNT usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: CoolSET euEccn: NLR Prozessorkern: ICE5BR2280BZ Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BTS3207NHUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS3207NHUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 7.5A, SOT-223-4tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.5ohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N Strombegrenzung: 7.5A IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 MSL: - Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: Low-Side Eingangsspannung: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOT-223 Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 17199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FM28V202A-TG | INFINEON |
Description: INFINEON - FM28V202A-TG - FRAM, 2MB (128K x 16), parallel, 33MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-II-44tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 2Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Taktfrequenz, max.: 33MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
6EDL04I06PTXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 6EDL04I06PTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 13V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/490ns Verzögerung, SOIC-28tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 6Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 13V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 17.5V Eingabeverzögerung: 530ns Ausgabeverzögerung: 490ns Betriebstemperatur, max.: 105°C |
auf Bestellung 1375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
KIT_PSC3M5_MC1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KIT_PSC3M5_MC1 - Motorsteuerungskit, PSC3M5FDS2AFQ1, Motorsteuerkarte/Adapterkarte, Stromversorgung, USB-Kabel, MotortariffCode: 85437090 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Motorsteuerkarte, Adapterkarte, Stromversorgungsplatine, USB-Kabel, Motor, Adapter, Kurzanleitung Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: Motorsteuerung SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.a.2 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF4000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, ModultariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IDWD40E120D7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD40E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 67 A, Einfach, 3 V, 155 ns, 185 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 185A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 155ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 67A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ICE3AR2280VJZXKLA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ICE3AR2280VJZXKLA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 28W, DIP-7tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 100kHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: 800V Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DIP Maximale Nennleistung: 28W MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 265VAC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: 85VAC Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Isolation: Isolated Nennstrom Leistungsschalter: - |
auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| FM28V100-TGTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FM28V100-TGTR - FRAM, 1MB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-I-32
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
Description: INFINEON - FM28V100-TGTR - FRAM, 1MB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-I-32
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 62.75 EUR |
| 5+ | 56.81 EUR |
| 10+ | 51.06 EUR |
| 25+ | 49.69 EUR |
| TLS125D0EJXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLS125D0EJXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4V bis 40Vin, 250mV Dropout, 2-40V/250mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 40V
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj, 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 250mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: HSOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4V
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 250mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLS125D0EJXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4V bis 40Vin, 250mV Dropout, 2-40V/250mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 40V
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj, 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 250mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: HSOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4V
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 250mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.38 EUR |
| 101+ | 2.13 EUR |
| 250+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
| 1000+ | 1.86 EUR |
| 2500+ | 1.61 EUR |
| FF33MR12W1M1HB11BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 76.74 EUR |
| 5+ | 69.85 EUR |
| FF55MR12W1M1HB70BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 98.21 EUR |
| 5+ | 84.74 EUR |
| 10+ | 72.27 EUR |
| FF55MR12W1M1HB11BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 51.44 EUR |
| 10+ | 42.76 EUR |
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 83.9 EUR |
| 5+ | 76.35 EUR |
| IPB407N30NATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 19.31 EUR |
| 15+ | 15.59 EUR |
| 18+ | 12.21 EUR |
| 50+ | 12.16 EUR |
| 100+ | 9.29 EUR |
| S70KS1282GABHV020 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.31 EUR |
| 15+ | 15.85 EUR |
| 25+ | 14.18 EUR |
| 50+ | 13.86 EUR |
| BSC031N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.57 EUR |
| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 1.9 EUR |
| BSC074N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 16.72 EUR |
| 28+ | 8.4 EUR |
| 100+ | 6.88 EUR |
| 500+ | 6.08 EUR |
| 1000+ | 5.81 EUR |
| BSC074N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 6.88 EUR |
| 500+ | 6.08 EUR |
| 1000+ | 5.81 EUR |
| FF3MR20KM1HHPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1928.16 EUR |
| FF3MR12KM1HPHPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 220 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 220 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 851.98 EUR |
| 5+ | 775.3 EUR |
| FF3MR12KM1HHPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 691.13 EUR |
| FF300R17ME7B11BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 300 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - FF300R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 300 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 252.65 EUR |
| 5+ | 229.92 EUR |
| TLS203B0EJV33XUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLS203B0EJV33XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.3V bis 20V, 270mV Dropout-Spannung, 3.3V/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V, 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - TLS203B0EJV33XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.3V bis 20V, 270mV Dropout-Spannung, 3.3V/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V, 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 127+ | 1.69 EUR |
| 143+ | 1.5 EUR |
| 250+ | 1.4 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| TLE989XEVALBLQFPTOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE989XEVALBLQFPTOBO1 - Evaluationskit, TLE988x, TLE989x, Controller für 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE988x/TLE989x, Sockelplatine, USB-Kabel
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE988x, TLE989x
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Description: INFINEON - TLE989XEVALBLQFPTOBO1 - Evaluationskit, TLE988x, TLE989x, Controller für 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE988x/TLE989x, Sockelplatine, USB-Kabel
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE988x, TLE989x
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 862.98 EUR |
| IQFH55N04NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 451A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 451A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.42 EUR |
| 33+ | 7.06 EUR |
| 100+ | 4.82 EUR |
| 500+ | 3.8 EUR |
| 1000+ | 3.77 EUR |
| ESD123B2W0201E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 14880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 443+ | 0.56 EUR |
| 672+ | 0.35 EUR |
| 1270+ | 0.17 EUR |
| 1590+ | 0.13 EUR |
| 2258+ | 0.095 EUR |
| ESD123B2W0201E6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 14880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.56 EUR |
| 672+ | 0.35 EUR |
| 1270+ | 0.17 EUR |
| 1590+ | 0.13 EUR |
| 2258+ | 0.095 EUR |
| BSC007N04LS6SCATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9.07 EUR |
| 40+ | 5.82 EUR |
| 100+ | 4.02 EUR |
| 500+ | 3.47 EUR |
| 1000+ | 3.21 EUR |
| BSC007N04LS6SCATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.02 EUR |
| 500+ | 3.47 EUR |
| 1000+ | 3.21 EUR |
| 2EP130RXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 8388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 3.82 EUR |
| 90+ | 2.59 EUR |
| 98+ | 2.2 EUR |
| 110+ | 1.95 EUR |
| 250+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.75 EUR |
| 2500+ | 1.69 EUR |
| 2EP101RXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 3.18 EUR |
| 108+ | 2.15 EUR |
| 120+ | 1.8 EUR |
| 146+ | 1.46 EUR |
| 250+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
| 2500+ | 1.26 EUR |
| 2EP100RXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 3.2 EUR |
| 107+ | 2.18 EUR |
| 118+ | 1.82 EUR |
| 133+ | 1.62 EUR |
| 250+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 2500+ | 1.39 EUR |
| 2EP110RXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 5444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 3.45 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| 110+ | 1.95 EUR |
| 124+ | 1.74 EUR |
| 250+ | 1.63 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| 2500+ | 1.5 EUR |
| 2EP100RXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.2 EUR |
| 107+ | 2.18 EUR |
| 118+ | 1.82 EUR |
| 133+ | 1.62 EUR |
| 250+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 2500+ | 1.39 EUR |
| 2EP101RXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.18 EUR |
| 108+ | 2.15 EUR |
| 120+ | 1.8 EUR |
| 146+ | 1.46 EUR |
| 250+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
| 2500+ | 1.26 EUR |
| 2EP110RXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 5444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.34 EUR |
| 110+ | 1.95 EUR |
| 124+ | 1.74 EUR |
| 250+ | 1.63 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| 2500+ | 1.5 EUR |
| 2EP130RXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 8388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.2 EUR |
| 110+ | 1.95 EUR |
| 250+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.75 EUR |
| 2500+ | 1.69 EUR |
| EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 - Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G, 12.2V Server-Stromversorgung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Server-Stromversorgung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Prozessorkern: 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 - Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G, 12.2V Server-Stromversorgung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Server-Stromversorgung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Prozessorkern: 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1407.94 EUR |
| IDW10G120C5BFKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDW10G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDW10G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 15.9 EUR |
| 21+ | 11.23 EUR |
| 100+ | 7.09 EUR |
| KITPSC3M5EVK |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITPSC3M5EVK - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, 32 Bit, ARM Cortex-M33F
tariffCode: 85437090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, USB-A/USB-C-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M33F
Prozessorfamilie: PSOC C3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: ARM
Description: INFINEON - KITPSC3M5EVK - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, 32 Bit, ARM Cortex-M33F
tariffCode: 85437090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, USB-A/USB-C-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M33F
Prozessorfamilie: PSOC C3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: ARM
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPD80R750P7ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 81+ | 3.09 EUR |
| 116+ | 2.01 EUR |
| 148+ | 1.45 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| IPD80R750P7ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 2.46 EUR |
| 124+ | 1.88 EUR |
| 159+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| IRS21064STRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRS21064STRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB65R125CFD7ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 7.88 EUR |
| 47+ | 4.96 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 500+ | 3.13 EUR |
| IPB014N06NATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 6.07 EUR |
| 43+ | 5.5 EUR |
| 50+ | 4.56 EUR |
| 200+ | 4.33 EUR |
| IPB60R045P7ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 20.52 EUR |
| 19+ | 12.74 EUR |
| 100+ | 8.06 EUR |
| IPB026N06NATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 7.02 EUR |
| 55+ | 4.22 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| IPB048N15N5LFATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.9 EUR |
| 19+ | 12.28 EUR |
| 100+ | 9.19 EUR |
| 500+ | 8.4 EUR |
| IPB80P04P405ATMA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.38 EUR |
| 53+ | 4.45 EUR |
| 100+ | 2.84 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| IPB35N10S3L26ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 3.8 EUR |
| 83+ | 2.81 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| REF5AR3995BZ114W1TOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR3995BZ114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR3995BZ, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5AR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
Description: INFINEON - REF5AR3995BZ114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR3995BZ, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5AR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 239.11 EUR |
| REF5BR3995BZ116W1TOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR3995BZ116W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR3995BZ, SMPS/SNT, 16W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - REF5BR3995BZ116W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR3995BZ, SMPS/SNT, 16W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 237.18 EUR |
| REFSSRACDC2ATOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REFSSRACDC2ATOBO1 - Referenzplatine, Coolset, iSSI30R12H, IPT60T022S7, SMPS/SNT, Halbleiter-Isolator, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine XMC1302-T028X0128
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Halbleiter-Isolator
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolMOS
euEccn: NLR
Prozessorkern: iSSI30R12H, IPT60T022S7
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - REFSSRACDC2ATOBO1 - Referenzplatine, Coolset, iSSI30R12H, IPT60T022S7, SMPS/SNT, Halbleiter-Isolator, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine XMC1302-T028X0128
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Halbleiter-Isolator
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolMOS
euEccn: NLR
Prozessorkern: iSSI30R12H, IPT60T022S7
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 97.16 EUR |
| REF5AR4770BZS115W1TOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR4770BZS115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4770BZS, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4770BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4770BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - REF5AR4770BZS115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4770BZS, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4770BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4770BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 294.73 EUR |
| REF5BR4780BZ115W1TOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR4780BZ115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR4780BZ, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR4780BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - REF5BR4780BZ115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR4780BZ, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR4780BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 237.18 EUR |
| REF5AR0680BZS144W1TOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR0680BZS144W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR0680BZS, SMPS/SNT, 44W, 12V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR0680BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR0680BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - REF5AR0680BZS144W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR0680BZS, SMPS/SNT, 44W, 12V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR0680BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR0680BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 237.18 EUR |
| REF5BR2280BZ122W1TOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR2280BZ122W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR2280BZ, SMPS/SNT, 22W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR2280BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - REF5BR2280BZ122W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR2280BZ, SMPS/SNT, 22W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR2280BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 237.18 EUR |
| BTS3207NHUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3207NHUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 7.5A, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.5ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 7.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOT-223
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - BTS3207NHUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 7.5A, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.5ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 7.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOT-223
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 17199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.88 EUR |
| 120+ | 1.94 EUR |
| 133+ | 1.62 EUR |
| 150+ | 1.43 EUR |
| 250+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| 2500+ | 1.17 EUR |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.4 EUR |
| 134+ | 1.74 EUR |
| 150+ | 1.43 EUR |
| FM28V202A-TG |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FM28V202A-TG - FRAM, 2MB (128K x 16), parallel, 33MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Taktfrequenz, max.: 33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
Description: INFINEON - FM28V202A-TG - FRAM, 2MB (128K x 16), parallel, 33MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Taktfrequenz, max.: 33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 83.31 EUR |
| 5+ | 74.65 EUR |
| 10+ | 66.38 EUR |
| 25+ | 64.43 EUR |
| 50+ | 62.95 EUR |
| 6EDL04I06PTXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL04I06PTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 13V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/490ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: INFINEON - 6EDL04I06PTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 13V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/490ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.32 EUR |
| 250+ | 3.27 EUR |
| 500+ | 3.21 EUR |
| 1000+ | 3.17 EUR |
| KIT_PSC3M5_MC1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KIT_PSC3M5_MC1 - Motorsteuerungskit, PSC3M5FDS2AFQ1, Motorsteuerkarte/Adapterkarte, Stromversorgung, USB-Kabel, Motor
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Motorsteuerkarte, Adapterkarte, Stromversorgungsplatine, USB-Kabel, Motor, Adapter, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Motorsteuerung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Description: INFINEON - KIT_PSC3M5_MC1 - Motorsteuerungskit, PSC3M5FDS2AFQ1, Motorsteuerkarte/Adapterkarte, Stromversorgung, USB-Kabel, Motor
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Motorsteuerkarte, Adapterkarte, Stromversorgungsplatine, USB-Kabel, Motor, Adapter, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Motorsteuerung
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 824.24 EUR |
| FF4000UXTR33T2M1BPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF4000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: INFINEON - FF4000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6532.39 EUR |
| IDWD40E120D7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD40E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 67 A, Einfach, 3 V, 155 ns, 185 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 185A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3V
Sperrverzögerungszeit: 155ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 67A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IDWD40E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 67 A, Einfach, 3 V, 155 ns, 185 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 185A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3V
Sperrverzögerungszeit: 155ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 67A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9.09 EUR |
| 40+ | 5.84 EUR |
| 100+ | 4.9 EUR |
| ICE3AR2280VJZXKLA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ICE3AR2280VJZXKLA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 28W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 28W
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
Description: INFINEON - ICE3AR2280VJZXKLA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 28W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 28W
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 4.72 EUR |
| 72+ | 3.22 EUR |
| 79+ | 2.73 EUR |
| 100+ | 2.42 EUR |
| 250+ | 2.3 EUR |
| 500+ | 2.19 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |














































