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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM6N40TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
auf Bestellung 13431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N40TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 1.6A 6-Pin UF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N40TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N40TU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+1.43 EUR
282+0.82 EUR
441+0.49 EUR
582+0.37 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N40TU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N40TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+1.42 EUR
307+0.76 EUR
390+0.55 EUR
541+0.39 EUR
1500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N40TU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N40TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+1.42 EUR
307+0.76 EUR
390+0.55 EUR
541+0.39 EUR
1500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N40TULF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N40TULXGF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N42FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N43FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N43FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin US T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N43FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N43FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin US T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N43FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 13361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
53+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N43FU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin US
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1035+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1035 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N43FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N43FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+0.79 EUR
493+0.48 EUR
720+0.3 EUR
971+0.23 EUR
1105+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N43FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin US T/R
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
510+0.35 EUR
622+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 510 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N43FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N43FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+0.79 EUR
493+0.48 EUR
720+0.3 EUR
971+0.23 EUR
1105+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N43FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin US T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
408+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 408 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N43FULF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 74500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.14 EUR
8000+0.13 EUR
12000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
28000+0.11 EUR
40000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FE,LMToshibaMOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
auf Bestellung 15991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 74500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N44FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.86 EUR
393+0.6 EUR
685+0.31 EUR
1017+0.21 EUR
1201+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N44FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.86 EUR
393+0.6 EUR
685+0.31 EUR
1017+0.21 EUR
1201+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FELM(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 13323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/HiSpeed2n1 US6 (SOT-363)
auf Bestellung 14123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N44FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: pi-MOSVI Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 148100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
562+0.42 EUR
893+0.24 EUR
1316+0.17 EUR
1486+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N44FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: pi-MOSVI Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 148100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+0.73 EUR
562+0.42 EUR
893+0.24 EUR
1316+0.17 EUR
1486+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N48FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N48FU,LFToshibaMOSFETs SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N48FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N48FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N48FU,RFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N48FU,RFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N48FU,RFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N48FU,RF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N55NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 4227000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.87 EUR
6000+0.68 EUR
9000+0.55 EUR
12000+0.48 EUR
15000+0.42 EUR
24000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N55NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N55NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N55NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N55NU,LFToshibaMOSFETs 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
auf Bestellung 9093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.55 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N55NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.43 EUR
256+0.69 EUR
279+0.62 EUR
281+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.43 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N55NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N55NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.44 EUR
387+0.61 EUR
441+0.49 EUR
582+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N55NULF(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N56FE,LMToshibaMOSFET Small-signal MOSFET N-Channel
auf Bestellung 207555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.07 EUR
10+0.8 EUR
100+0.45 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N56FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.13 EUR
8000+0.11 EUR
12000+0.11 EUR
20000+0.11 EUR
28000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N56FE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.68 EUR
377+0.45 EUR
381+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N56FE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N56FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
auf Bestellung 32255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
52+0.4 EUR
144+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N56FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N56FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N57NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N57NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N57NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 70269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.77 EUR
50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N57NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+0.77 EUR
307+0.56 EUR
311+0.54 EUR
527+0.3 EUR
532+0.29 EUR
551+0.26 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N57NU,LFToshibaMOSFETs 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
auf Bestellung 35740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.69 EUR
100+0.4 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N57NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N57NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N57NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N57NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N58NU,LFToshibaMOSFETs N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1
auf Bestellung 23033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
3000+0.29 EUR
9000+0.25 EUR
24000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N58NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 155972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N58NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 155993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.79 EUR
50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N58NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N58NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.067 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
auf Bestellung 11863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
265+0.88 EUR
430+0.5 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N58NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N58NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.067 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
auf Bestellung 11863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
265+0.88 EUR
430+0.5 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N61NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N61NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N61NU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N61NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N61NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N61NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N62TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
auf Bestellung 12922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
28+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N62TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=20V, VGSS=+/-8V, ID=0.8A, RDS(ON)=0.085ohm at 4.5V, in UF6 package
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N62TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N62TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N62TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
28+0.75 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N62TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N62TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N62TU,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.87 EUR
205+1.13 EUR
319+0.68 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N62TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N62TU,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.87 EUR
205+1.13 EUR
319+0.68 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N67NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N67NU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
3000+0.29 EUR
9000+0.25 EUR
24000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N67NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 25236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.77 EUR
50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N67NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N67NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.45 EUR
277+0.84 EUR
432+0.5 EUR
519+0.42 EUR
1500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N67NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N67NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+1.04 EUR
339+0.69 EUR
477+0.45 EUR
599+0.36 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N67NU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N67NU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.54 EUR
284+0.82 EUR
359+0.6 EUR
500+0.43 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N67NU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N67NU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.54 EUR
284+0.82 EUR
359+0.6 EUR
500+0.43 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N68NU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
auf Bestellung 5297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.55 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
3000+0.27 EUR
9000+0.24 EUR
24000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N68NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N68NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 5055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N68NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N68NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.084 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.44 EUR
387+0.61 EUR
441+0.49 EUR
582+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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SSM6N68NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 6-Pin UDFN-B EP T/R
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.57 EUR
370+0.48 EUR
436+0.39 EUR
516+0.32 EUR
603+0.27 EUR
736+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N68NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 6-Pin UDFN-B EP T/R
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.57 EUR
370+0.46 EUR
436+0.38 EUR
516+0.31 EUR
603+0.25 EUR
736+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
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SSM6N7002AFU
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SSM6N7002BFEToshibaArray
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SSM6N7002BFE(T5L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
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SSM6N7002BFE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
auf Bestellung 33292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
76+0.27 EUR
121+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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SSM6N7002BFE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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SSM6N7002BFE,LMToshibaMOSFETs ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.1 EUR
4000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SSM6N7002BFE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 95 Stücke:
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SSM6N7002BFE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.087 EUR
8000+0.079 EUR
12000+0.074 EUR
20000+0.069 EUR
28000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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SSM6N7002BFE,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 2015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1258+0.14 EUR
1303+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1258 Stücke
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