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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFH50N20IXYSMOSFETs DIODE Id50 BVdass200
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N30Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.3 EUR
30+15.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N30Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.62 EUR
10+20.97 EUR
30+16.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N50P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.46 EUR
10+15.9 EUR
120+13.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N50P3
Produktcode: 144531
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4335 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.33 EUR
10+24.2 EUR
12+19.22 EUR
50+16.09 EUR
100+14.99 EUR
250+14.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.09 EUR
30+15.16 EUR
120+12.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3IXYSMOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.63 EUR
10+14.88 EUR
120+13.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+14.1 EUR
8+11.83 EUR
10+10.61 EUR
30+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.67 EUR
13+14.45 EUR
30+13.2 EUR
120+12.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N85X850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.38 EUR
30+18.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.25 EUR
10+22.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N85XIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+38.96 EUR
10+31.86 EUR
50+27.74 EUR
100+25.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.02 EUR
14+12.52 EUR
25+12.13 EUR
50+11.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.85 EUR
30+11.14 EUR
120+9.45 EUR
510+8.21 EUR
1020+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30PIXYSMOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
auf Bestellung 2057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.08 EUR
10+11.19 EUR
120+9.47 EUR
510+9.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.22 EUR
12+20.21 EUR
14+15.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30QMOSFET N-Channel, 300V, 52A, TO-247AD Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N30QIXYSMOSFETs 300V 52A
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.49 EUR
10+19.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.66 EUR
25+15.66 EUR
50+14.71 EUR
100+13.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2
Produktcode: 211155
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.82 EUR
10+18.14 EUR
120+15.1 EUR
510+14.22 EUR
1020+14.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH52N50P2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.53 EUR
10+21.41 EUR
30+19.55 EUR
120+18.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3IXYSDescription: MOSFET 54A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.7 EUR
30+18.87 EUR
120+16.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH54N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.17 EUR
12+20.72 EUR
15+14.97 EUR
50+14.3 EUR
100+13.65 EUR
250+13.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3IXYSMOSFETs TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.12 EUR
10+18.52 EUR
120+17.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Gate charge: 49nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH56N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
auf Bestellung 4142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.55 EUR
30+12.3 EUR
120+10.5 EUR
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IXFH56N30X3IXYSMOSFETs TO247 300V 56A N-CH X3CLASS
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IXFH58N20IXYSTO-3P 0725+
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IXFH58N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFH58N20LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFH58N20IXYSMOSFETs 200V 58A
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFH58N20TO-247AD Транзистори
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IXFH58N20IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH58N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 58 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 58
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH58N20QTO-247AD Транзистори
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IXFH58N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFH5N100PIXYSMOSFET
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IXFH60N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFH60N20IXYSMOSFETs 60 Amps 200V 0.033 Rds
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFH60N20FIXYSDescription: MOSFET N-CH 60A TO247
Packaging: Bulk
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IXFH60N20FIXYSMOSFET
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IXFH60N25QIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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IXFH60N25QIXYSMOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds
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IXFH60N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFH60N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
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IXFH60N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.04kW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+30.44 EUR
10+23.16 EUR
50+18.18 EUR
100+16.97 EUR
250+15.85 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IXFH60N50P3IXYSMOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.94 EUR
10+11.98 EUR
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IXFH60N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IXFH60N50P3Транзистори
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IXFH60N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXFH60N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.46 EUR
10+11.47 EUR
30+10.02 EUR
60+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IXFH60N50P3 (Transistor)
Produktcode: 45505
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IXFH60N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFH60N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
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IXFH60N60X2AIXYSMOSFETs DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFH60N60X3IXYSMOSFETs TO247 600V 60A N-CH X3CLASS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X3IXYSDescription: MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH60N60X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH60N60X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH60N60X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 625
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HiPerFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 780W
Gate charge: 108nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Pulsed drain current: 120A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.92 EUR
11+21.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.75 EUR
10+16.95 EUR
120+16.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 25 V
auf Bestellung 5069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.3 EUR
30+17.27 EUR
120+14.85 EUR
510+13.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2-4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH60N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+25.92 EUR
10+21.93 EUR
50+19.92 EUR
100+17.93 EUR
250+15.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IXFH60N65X2-4IXYSMOSFETs 650V/60A TO-247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N65X2-4IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.93 EUR
30+15.84 EUR
120+13.63 EUR
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IXFH60N65X2-4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 780W
Gate charge: 108nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH66N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH67N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH67N10IXYSMOSFETs 67 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH67N10QIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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IXFH69N30PIXYSMOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
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30+18.58 EUR
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IXFH69N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH69N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 69A TO247AD
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
auf Bestellung 82 Stücke:
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IXFH6N100IXYSMOSFETs 1KV 6A
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IXFH6N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH6N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFH6N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFH6N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH6N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH6N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH6N100FIXYSMOSFETs HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A
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