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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTH24P20IXYSMOSFETs -24 Amps -200V 0.15 Rds
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+20.67 EUR
30+13.39 EUR
120+13.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24P20LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24P20IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.94 EUR
30+14.42 EUR
120+12.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24P20LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24P20.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH24P20. - MOSFET, P-CH, 200V, 24A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.44 EUR
9+27.13 EUR
10+22.28 EUR
25+19.52 EUR
100+16.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 250A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH260N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.31 EUR
30+5.93 EUR
120+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH260N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.31 EUR
30+5.8 EUR
120+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH260N055T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Drain-source voltage: 55V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH260N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.32 EUR
30+9.02 EUR
120+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH260N055T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.8 EUR
10+10.85 EUR
120+10.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.99 EUR
30+13.14 EUR
60+12.08 EUR
120+11.2 EUR
510+9.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60PIXYSMOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.07 EUR
10+15.49 EUR
120+11.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.48 EUR
30+7.72 EUR
120+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26P20PIXYSMOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH270N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 270A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH270N04T4IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 280A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N150IXYSMOSFETs TO247 1.5KV 2A N-CH HIVOLT
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24 EUR
10+21.13 EUR
30+20.56 EUR
60+19.31 EUR
120+18.27 EUR
270+17.09 EUR
510+16.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N150LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 2A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 1A, 20V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.31 EUR
30+20.78 EUR
120+19.28 EUR
510+18.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N150LIXYSMOSFET MSFT N-CH LINEAR STD
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.31 EUR
10+24.06 EUR
30+23.42 EUR
60+22.1 EUR
120+21.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N170D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.7KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N170D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 10 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42 EUR
30+26.78 EUR
120+24.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N170D2IXYSMOSFETs N-channel MOSFET
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.9 EUR
10+34.06 EUR
30+30.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N170D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.7KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N300P3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+93.56 EUR
30+63.61 EUR
120+62.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N300P3HVIXYSMOSFETs TO247 3KV 2A N-CH POLAR
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+102.08 EUR
10+87.06 EUR
120+72.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2N300P3HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 2A; 520W; TO247HV; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 3kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 520W
Case: TO247HV
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO247
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH2R4N120PIXYSMOSFET 2.4 Amps 1200V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.56 EUR
10+18.58 EUR
30+17.72 EUR
120+15.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH300N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO247-3; 53ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 53ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH300N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH300N04T2IXYSMOSFETs Trench T2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH300N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 30A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N25IXYSMOSFETs 30 Amps 250V 0.075 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N25L2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 355W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N25L2IXYSMOSFETs TO247 250V 30A N-CH LINEAR
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50IXYSMOSFETs 30 Amps 500V 0.17 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50LIXYSMOSFETs 30 Amps 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.51 EUR
30+45.21 EUR
120+41.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50L2IXYSMOSFETs 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.74 EUR
10+49.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH30N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+93.39 EUR
5+79.48 EUR
10+63.72 EUR
50+54.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.05 EUR
30+13.17 EUR
120+11.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N50PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.8 EUR
10+13.22 EUR
120+11.39 EUR
510+11.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH30N60L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 540W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.7 EUR
6+46.04 EUR
10+36.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 335nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.17 EUR
30+28.05 EUR
60+26.13 EUR
120+24.53 EUR
510+24.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2IXYSMOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 4628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.6 EUR
10+27.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.72 EUR
30+14.91 EUR
60+13.74 EUR
120+12.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.14 EUR
11+16.9 EUR
30+15.87 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
Mounting: THT
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.66 EUR
8+11.79 EUR
10+10.57 EUR
30+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH32N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Gate charge: 54nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+10.06 EUR
10+9.06 EUR
11+8 EUR
30+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH32N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH32N65XIXYSMOSFETs 650v/32A Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH32P20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH32P20TIXYSMOSFET TrenchP Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH340N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH340N04T4IXYSMOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH34N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.55 EUR
30+10.92 EUR
60+10.01 EUR
120+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH34N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH34N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 34
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH34N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 54nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
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IXTH360N055T2IXYSMOSFETs 360Amps 55V
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270+15.73 EUR
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IXTH360N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 360A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTH36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-247
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IXTH36N20TIXYSMOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds
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IXTH36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH36N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTH36N50PIXYSMOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
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510+11.82 EUR
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IXTH36N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.42 EUR
12+20.3 EUR
14+16.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXTH36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXTH36P10IXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 36A TO-247
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IXTH36P10IXYSMOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO247
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH36P15PIXYSMOSFETs PolarP Power MOSFETs
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTH38N30L2LittelfuseMOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTH3N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
auf Bestellung 300 Stücke:
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10+8.91 EUR
13+7.06 EUR
30+5.51 EUR
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IXTH3N100PIXYSMOSFETs 3 Amps 1000V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTH3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.500 Rds
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.5 EUR
10+13.28 EUR
120+9.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.95 EUR
25+12.21 EUR
50+11.48 EUR
100+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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