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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SISS08DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
11+2.01 EUR
100+1.57 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS08DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-BE3VishayMOSFETs PPAK1212 N-CH 40V 31.7A
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+2.28 EUR
100+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.77 EUR
9000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
auf Bestellung 9282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
132+1.76 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 23049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+1.36 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 86.8A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 86.8A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
auf Bestellung 31331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.84 EUR
50+1.38 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
auf Bestellung 9282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.77 EUR
132+1.76 EUR
148+1.45 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 10054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.12 EUR
100+1.43 EUR
500+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.9 EUR
6000+0.84 EUR
9000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
auf Bestellung 10032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS12DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 200A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS12DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS176LDN-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 5875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.18 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.93 EUR
6000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS176LDN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
11+2.06 EUR
50+1.55 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS176LDN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS176LDN-T1-UE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 42.3A
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 42.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 70V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 10.9mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS176LDN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 5366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.92 EUR
100+1.23 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.94 EUR
3000+0.8 EUR
6000+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS178LDN-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.2 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.02 EUR
3000+0.93 EUR
6000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS178LDN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2.07 EUR
50+1.56 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS178LDN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS178LDN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 5930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.92 EUR
100+1.23 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.94 EUR
3000+0.8 EUR
6000+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS178LDN-T1-UE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 45.3A
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 45.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 70V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 9.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 6534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V
auf Bestellung 7467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.86 EUR
50+2.17 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22DN-T1-GE3 Vishay SiliconixVishayMOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8S SISS22DN-T1-GE3 TSISS22dn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22LDN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 74A; Idm: 150A; 42W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.09 EUR
9000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS22LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.5 A, 0.00291 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00291ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
100+2.34 EUR
142+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22LDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 26356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.48 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
auf Bestellung 62848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.51 EUR
50+1.9 EUR
100+1.7 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS22LDN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS23DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.77 EUR
9000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS23DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
145+1.48 EUR
500+1.15 EUR
1500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS23DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 16426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.37 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS23DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
auf Bestellung 9904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
50+1.39 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS23DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 300nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.5mΩ
auf Bestellung 3584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS23DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
98+2.39 EUR
145+1.48 EUR
500+1.15 EUR
1500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
auf Bestellung 6399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
10+3.18 EUR
50+2.42 EUR
100+2.18 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 36W
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 6265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.14 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.82 EUR
67+3.47 EUR
100+2.52 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
107+2.19 EUR
160+1.33 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
107+2.19 EUR
160+1.33 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-BE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.15 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 13534 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 170329 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
auf Bestellung 1873 Stücke:
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6+3.8 EUR
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100+1.63 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 8982 Stücke:
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56+4.47 EUR
100+2.34 EUR
129+1.68 EUR
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1000+1.3 EUR
5000+1.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 65A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-UE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 65A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
auf Bestellung 5979 Stücke:
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7+3.28 EUR
11+2.09 EUR
50+1.57 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS26LDN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 14 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 7143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.38 EUR
107+2.18 EUR
136+1.58 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.2 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 7143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
107+2.18 EUR
136+1.58 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
auf Bestellung 4861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.53 EUR
120+1.8 EUR
500+1.4 EUR
1500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 4156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
auf Bestellung 12729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.84 EUR
50+1.38 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
auf Bestellung 4861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
92+2.53 EUR
120+1.8 EUR
500+1.4 EUR
1500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS27DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.76 EUR
9000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS28DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 10 V
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
50+1.33 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS28DN-T1-GE3VishaySISS28DN-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
408+0.44 EUR
414+0.42 EUR
421+0.39 EUR
427+0.37 EUR
434+0.36 EUR
441+0.33 EUR
500+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 408 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS28DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS28DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
auf Bestellung 5944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.77 EUR
10+1.44 EUR
100+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSS28DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 2.24mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS30ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
119+1.96 EUR
174+1.24 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS30ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 40 V
auf Bestellung 8631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
10+2.38 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SISS30ADN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 80V
auf Bestellung 8520 Stücke:
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1+3.08 EUR
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3000+1 EUR
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SISS30ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 40 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.02 EUR
6000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SISS30ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
119+1.96 EUR
174+1.24 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SISS30DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8250 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8250µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
126+1.84 EUR
167+1.29 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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