Produkte > STW

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 27  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STW65N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 100 V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.01 EUR
30+16.56 EUR
120+14.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 31.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW68N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N60M6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N60M6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N60M6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 31.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N65DM6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N65DM6-4AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.38 EUR
30+15.39 EUR
120+13.2 EUR
510+11.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N65DM6-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW68N65DM6-4AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 480W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+40.96 EUR
9+26.8 EUR
10+21.77 EUR
50+18.15 EUR
100+16.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW68N65DM6-4AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.99 EUR
10+15.46 EUR
100+13.26 EUR
600+12.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.33 EUR
14+12.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW69N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.57 EUR
10+14.96 EUR
100+14.45 EUR
600+13.76 EUR
1200+12.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW69N65M5STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW69N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.43 EUR
30+12.66 EUR
120+12.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW69N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW69N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+38.91 EUR
9+27.45 EUR
10+22.38 EUR
50+19.43 EUR
100+17.93 EUR
250+16.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW69N65M5-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.56 EUR
30+14.27 EUR
120+12.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW69N65M5-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW69N65M5-4STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 650V 0.037Ohm 58A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N120K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N120K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N120K3
Produktcode: 177072
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1200 В
Drain-Strom Idd, A: 6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,94 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1050/39
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.88 EUR
10+3.53 EUR
100+3.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N120K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N120K3STMMOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.87 EUR
30+3.75 EUR
120+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW6N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 0.91 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.59 EUR
10+3.67 EUR
100+2.51 EUR
600+2.28 EUR
1200+2.09 EUR
3000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 12718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+5 EUR
63+2.73 EUR
100+2.32 EUR
250+2.01 EUR
600+1.8 EUR
1200+1.71 EUR
5400+1.61 EUR
10200+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.45 EUR
69+3.39 EUR
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+3.09 EUR
100+2.28 EUR
500+2.09 EUR
1200+1.96 EUR
2400+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 12718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.75 EUR
71+2.48 EUR
100+2.02 EUR
500+1.87 EUR
1200+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.71 EUR
30+3.09 EUR
120+2.51 EUR
510+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N10F4STM
auf Bestellung 92270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.03 EUR
10+12.54 EUR
100+10.69 EUR
1200+10.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 446W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM2
Drain current: 42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.7 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.01 EUR
11+22.4 EUR
12+19.04 EUR
50+17.43 EUR
100+15.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Gate charge: 99nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.41 EUR
10+11.9 EUR
100+9.72 EUR
600+8.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM6-4STMMOSFET N-CH 600V 62A TO247-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.78 EUR
10+13.2 EUR
100+11 EUR
600+9.81 EUR
1200+9.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60DM6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.55 EUR
10+11.28 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 450W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.08 EUR
12+20.98 EUR
13+17.05 EUR
50+14.2 EUR
100+13.2 EUR
250+12.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2STTransistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW70N60M2 TSTW70N60M2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+27.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.95 EUR
9+9.62 EUR
11+8.44 EUR
30+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2STMMOSFET N-CH 600V 68A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.55 EUR
30+12.2 EUR
120+10.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.68 EUR
10+11 EUR
100+9.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N60M2-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 43A; Idm: 272A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 450W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ M2
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Gate charge: 125nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM6
Drain current: 43A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Gate charge: 125nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 43A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.99 EUR
10+25.13 EUR
100+20.94 EUR
600+18.66 EUR
1200+15.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65DM6-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.58 EUR
10+24.41 EUR
13+17.14 EUR
50+15.77 EUR
100+13.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 31.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW70N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 252A; 446W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 446W
Gate charge: 117nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 66A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW72N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.06 EUR
17+14.24 EUR
18+12.53 EUR
50+11.91 EUR
100+11.29 EUR
250+10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.81 EUR
30+9.82 EUR
120+8.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4444 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW72N60DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 56 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW74NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW74NF30STMicroelectronicsMOSFET N-channel 300 V, 35 mOhm, 60 A STripFET II Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW74NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N20STMN-channel 200V - 0.028. - 75A, TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N20STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N20
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.6 EUR
10+13.91 EUR
100+11.41 EUR
600+10.41 EUR
1200+9.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.88 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.88 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+8.58 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 27  [ Nächste Seite >> ]