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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFN170N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N10IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 515 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N10IXYSDiscrete Semiconductor Modules 170 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.12 EUR
10+45.98 EUR
100+40.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N25X3IXYSMOSFET Modules 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.97 EUR
10+57.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.86 EUR
10+81.84 EUR
100+71.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 138 Amps 300V 0.018 Rds
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.24 EUR
10+81.3 EUR
20+78.6 EUR
50+77.18 EUR
100+71.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
tariffCode: 0
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.17kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+140.32 EUR
5+114.78 EUR
10+91.7 EUR
25+90.63 EUR
50+89.6 EUR
100+88.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2N-Channel 650V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000 pF @ 25 V
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+103.67 EUR
10+79.04 EUR
100+76.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2IXYSMOSFET Modules 650V/170A miniBLOC SOT-227
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+94.16 EUR
10+92.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 170A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N07IXYSMOSFET Modules 180 Amps 70V 0.007 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N07IXYS180A/70V/MOS/1U
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10IXYSMODULE
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N10 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.008 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10IXYSMOSFET Modules 180 Amps 100V 0.008 Rds
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+99.01 EUR
10+84.13 EUR
100+73.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+61.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+63.82 EUR
5+51.32 EUR
10+40.06 EUR
50+39.33 EUR
100+38.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.3 EUR
10+38.28 EUR
100+32.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PIXYSMOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.5 EUR
10+47.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+37.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 11mΩ
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 380A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 680W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+59.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20SOT-227B, HiPerFET, N-Channel MOSFET, Id=180A, Vdss=200V, -55...+150 Транзистори
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+120.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20
Produktcode: 47824
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IxysTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: miniBLOC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 180 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/22
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20IXYSMOSFET Modules 200V 180A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
On-state resistance: 12.9mΩ
Technology: GigaMOS™
Drain current: 168A
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 900W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.92 EUR
10+46.48 EUR
100+38.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TIXYSMOSFET Modules 155A 250V
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.24 EUR
10+41.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+73.09 EUR
5+59.38 EUR
10+45.43 EUR
50+40.72 EUR
100+37.59 EUR
200+35.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TN-CH 250V 168A SOT-227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07IXYSMOSFET Modules 70V 200A
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+87.8 EUR
10+74.85 EUR
100+63.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 70V 180A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+79.27 EUR
5+68.66 EUR
10+57.57 EUR
50+49.05 EUR
100+45.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.4 EUR
10+44.51 EUR
100+36.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+36.72 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYSMOSFET Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.12 EUR
10+45.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 235nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120IXYSMOSFET Modules 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+42.51 EUR
10+38.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
On-state resistance: 570mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120PIXYSMOSFET Modules 20 Amps 1200V 0.6 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N20PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 188A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.07kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+105.86 EUR
5+83.56 EUR
10+68.73 EUR
50+60.32 EUR
100+57.3 EUR
250+54.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFN210N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+96.82 EUR
10+73.35 EUR
100+66.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N20PIXYSMOSFET Modules 188 Amps 200V 0.0105 Rds
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.3 EUR
10+64.26 EUR
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IXFN210N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N20PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 188A
Pulsed drain current: 600A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 1.07kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 192A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3IXYSMOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+90.61 EUR
10+74.52 EUR
100+69.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 268nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Drain current: 192A
Pulsed drain current: 550A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.5kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.5kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+104.43 EUR
5+92.13 EUR
10+63.99 EUR
50+62.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+205.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30P3
Produktcode: 164550
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30X3IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 650A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 695W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 3800 µohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+97.87 EUR
5+85.35 EUR
10+73.71 EUR
50+68.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+97.87 EUR
10+74.11 EUR
100+65.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN210N30X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 300V 210A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+99.02 EUR
10+80.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN21N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN21N100QIXYSMOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN21N100Q
Produktcode: 52937
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3MOSFET MBLOC 200V 160A N-CH X3CLASS, -20...+20C Силові MOSFET-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 160A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 200V; 160A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 128ns
Gate charge: 204nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 390W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.43 EUR
10+47.73 EUR
100+42.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 160A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN220N20X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 200V 160A N-CH X3CLASS
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IXFN230N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 230A 4-Pin SOT-227B
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IXFN230N10
Produktcode: 192504
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXFN230N10MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B (альтернатива STE250NS10) Транзистори
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IXFN230N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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IXFN230N10IXYSMOSFET Modules 230 Amps 100V 0.006 Rds
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IXFN230N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 230A 4-Pin SOT-227B
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IXFN230N10IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN230N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.006 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 230
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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IXFN230N10IXYS230A/100V/MOS/1U
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IXFN230N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1090W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
auf Bestellung 260 Stücke:
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1+68.12 EUR
10+50.66 EUR
100+45.47 EUR
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IXFN230N20TIXYSMOSFET Modules 230A 200V
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.53 EUR
10+55.09 EUR
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