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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFN132N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+93.46 EUR
5+82.07 EUR
10+71.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3IXYSMOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.13 EUR
10+72.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.65 EUR
10+69.82 EUR
50+60.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+49.58 EUR
5+47.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+83.31 EUR
5+73.28 EUR
10+60.51 EUR
50+51.54 EUR
100+48.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PIXYSMOSFET Modules 140 Amps 200V 0.018 Rds
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.42 EUR
10+45.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.13 EUR
10+49.46 EUR
50+41.94 EUR
100+40.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN140N20P. - MOSFET, N-CH, 200V, 140A, ISOTOP
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+70.52 EUR
5+56.72 EUR
10+44.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N25TIXYSMOSFET Modules GigaMOS HiperFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.19 EUR
10+58.92 EUR
50+50.29 EUR
100+49.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+50.02 EUR
5+42.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+77.52 EUR
5+62.58 EUR
10+49.1 EUR
50+48.67 EUR
100+48.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PIXYSMOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.58 EUR
10+63.61 EUR
100+56.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N60X3LittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 140A 600V X3 SOT227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 SOT
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N10IXYSDiscrete Semiconductor Modules 150 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N10IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N15IXYSMOSFET 150V 150A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Gate charge: 355nC
Reverse recovery time: 190ns
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2IXYSMOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.64 EUR
10+96.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.57 EUR
10+89.04 EUR
50+80.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2N-Channel 650V 145A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30TN-CH 300V 130A SOT227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30T
Produktcode: 162434
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30TIXYSMOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.12 EUR
10+44.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.97 EUR
10+41.92 EUR
100+36.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN1704IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N10IXYSDiscrete Semiconductor Modules 170 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 515 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N10IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N25X3IXYSMOSFET Modules 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.97 EUR
10+57.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.12 EUR
10+45.98 EUR
100+40.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 138 Amps 300V 0.018 Rds
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1+91.24 EUR
10+81.3 EUR
20+78.6 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
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10+81.84 EUR
100+71.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2IXYSMOSFET Modules 650V/170A miniBLOC SOT-227
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10+93.64 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2N-Channel 650V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000 pF @ 25 V
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+105.6 EUR
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IXFN170N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
tariffCode: 0
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.17kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+150.34 EUR
5+123.03 EUR
10+98.26 EUR
25+95.05 EUR
50+91.87 EUR
100+90.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 170A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 13mΩ
Reverse recovery time: 270ns
Pulsed drain current: 340A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 1.17kW
Gate charge: 434nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 170A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N07IXYSMOSFET Modules 180 Amps 70V 0.007 Rds
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN180N07IXYS180A/70V/MOS/1U
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN180N10IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N10 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.008 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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IXFN180N10IXYSMODULE
auf Bestellung 240 Stücke:
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IXFN180N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFN180N10IXYSMOSFET Modules 180 Amps 100V 0.008 Rds
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.27 EUR
10+92.87 EUR
100+71.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10Транзистори
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IXFN180N15PIXYSMOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.5 EUR
10+47.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.33 EUR
10+46.66 EUR
50+39.56 EUR
100+37.98 EUR
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IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+59.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN180N15PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+36.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN180N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+89.58 EUR
5+78.55 EUR
10+65.07 EUR
50+55.43 EUR
100+51.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+57.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN180N15P. - MOSFET, N-CH, 150V, 150A, ISOTOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+70.52 EUR
5+56.72 EUR
10+44.23 EUR
25+40.97 EUR
100+37.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20SOT-227B, HiPerFET, N-Channel MOSFET, Id=180A, Vdss=200V, -55...+150 Транзистори
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+117.12 EUR
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IXFN180N20
Produktcode: 47824
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IxysTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: miniBLOC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 180 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/22
Produkt ist nicht verfügbar
1+10.77 EUR
10+9.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20IXYSMOSFET Modules 200V 180A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IXFN180N25TIXYSMOSFET Modules 155A 250V
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.24 EUR
10+41.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.97 EUR
10+48.73 EUR
50+41.39 EUR
100+39.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+73.09 EUR
5+59.38 EUR
10+45.43 EUR
50+40.72 EUR
100+37.59 EUR
200+35.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TN-CH 250V 168A SOT-227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+41.45 EUR
5+33 EUR
10+31.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07IXYSMOSFET Modules 70V 200A
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+87.8 EUR
10+74.85 EUR
100+63.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 70V 180A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+79.37 EUR
5+69.83 EUR
10+57.67 EUR
50+49.11 EUR
100+45.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYSMOSFET Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds
auf Bestellung 769 Stücke:
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1+61.12 EUR
10+45.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 235nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.33 EUR
10+46.66 EUR
50+39.56 EUR
100+37.98 EUR
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IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
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110+35.88 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN20N120IXYSMOSFET Modules 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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