Produkte > IXF

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFN132N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+93.46 EUR
5+82.07 EUR
10+71.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3IXYSMOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.13 EUR
10+72.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.65 EUR
10+69.82 EUR
50+60.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+49.58 EUR
5+47.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+83.31 EUR
5+73.28 EUR
10+60.51 EUR
50+51.54 EUR
100+48.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PIXYSMOSFET Modules 140 Amps 200V 0.018 Rds
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.42 EUR
10+45.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.13 EUR
10+49.46 EUR
50+41.94 EUR
100+40.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N20P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN140N20P. - MOSFET, N-CH, 200V, 140A, ISOTOP
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+70.52 EUR
5+56.72 EUR
10+44.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N25TIXYSMOSFET Modules GigaMOS HiperFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.19 EUR
10+58.92 EUR
50+50.29 EUR
100+49.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+50.02 EUR
5+42.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+77.52 EUR
5+62.58 EUR
10+49.1 EUR
50+48.67 EUR
100+48.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30PIXYSMOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.58 EUR
10+63.61 EUR
100+56.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N60X3LittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 140A 600V X3 SOT227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 SOT
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N10IXYSDiscrete Semiconductor Modules 150 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N10IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N15IXYSMOSFET 150V 150A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Gate charge: 355nC
Reverse recovery time: 190ns
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2IXYSMOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.64 EUR
10+96.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.57 EUR
10+89.04 EUR
50+80.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2N-Channel 650V 145A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30TN-CH 300V 130A SOT227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30T
Produktcode: 162434
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30TIXYSMOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.12 EUR
10+44.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN160N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.97 EUR
10+41.92 EUR
100+36.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN1704IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N10IXYSDiscrete Semiconductor Modules 170 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 515 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N10IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N25X3IXYSMOSFET Modules 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.97 EUR
10+57.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.12 EUR
10+45.98 EUR
100+40.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 138 Amps 300V 0.018 Rds
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.24 EUR
10+81.3 EUR
20+78.6 EUR
50+77.18 EUR
100+71.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.86 EUR
10+81.84 EUR
100+71.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2IXYSMOSFET Modules 650V/170A miniBLOC SOT-227
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+103.61 EUR
10+93.64 EUR
100+88.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2N-Channel 650V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000 pF @ 25 V
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+105.6 EUR
10+95.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
tariffCode: 0
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.17kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+150.34 EUR
5+123.03 EUR
10+98.26 EUR
25+95.05 EUR
50+91.87 EUR
100+90.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 170A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN170N65X2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 13mΩ
Reverse recovery time: 270ns
Pulsed drain current: 340A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 1.17kW
Gate charge: 434nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 170A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N07IXYSMOSFET Modules 180 Amps 70V 0.007 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N07IXYS180A/70V/MOS/1U
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N10 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.008 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10IXYSMODULE
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10IXYSMOSFET Modules 180 Amps 100V 0.008 Rds
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.27 EUR
10+92.87 EUR
100+71.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N10Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PIXYSMOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.5 EUR
10+47.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.33 EUR
10+46.66 EUR
50+39.56 EUR
100+37.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+59.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+36.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+89.58 EUR
5+78.55 EUR
10+65.07 EUR
50+55.43 EUR
100+51.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+57.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N15P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN180N15P. - MOSFET, N-CH, 150V, 150A, ISOTOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+70.52 EUR
5+56.72 EUR
10+44.23 EUR
25+40.97 EUR
100+37.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20SOT-227B, HiPerFET, N-Channel MOSFET, Id=180A, Vdss=200V, -55...+150 Транзистори
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+117.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20
Produktcode: 47824
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IxysTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: miniBLOC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 180 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/22
Produkt ist nicht verfügbar
1+10.77 EUR
10+9.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20IXYSMOSFET Modules 200V 180A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TIXYSMOSFET Modules 155A 250V
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.24 EUR
10+41.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.97 EUR
10+48.73 EUR
50+41.39 EUR
100+39.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+73.09 EUR
5+59.38 EUR
10+45.43 EUR
50+40.72 EUR
100+37.59 EUR
200+35.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TN-CH 250V 168A SOT-227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25TIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+41.45 EUR
5+33 EUR
10+31.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07IXYSMOSFET Modules 70V 200A
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+87.8 EUR
10+74.85 EUR
100+63.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N07Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 70V 180A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+79.37 EUR
5+69.83 EUR
10+57.67 EUR
50+49.11 EUR
100+45.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYSMOSFET Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.12 EUR
10+45.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 235nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.33 EUR
10+46.66 EUR
50+39.56 EUR
100+37.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+35.88 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN20N120IXYSMOSFET Modules 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40  Nächste Seite >> ]