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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTP1N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
50+4.34 EUR
100+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N100PIXYSMOSFETs 1 Amps 1000V 14 Rds
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+4.55 EUR
100+3.64 EUR
250+3.53 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N120PIXYSMOSFETs 1 Amps 1200V 20 Rds
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.04 EUR
10+5.01 EUR
100+4.61 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N80PIXYSMOSFETs Polar Power Mosfet 800V 1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N100PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.12 EUR
100+4.27 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.45 EUR
2500+3.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO220AB
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.2 EUR
50+8.08 EUR
100+6.93 EUR
500+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N120PIXYSMOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N60PIXYSMOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.33 EUR
10+4.32 EUR
100+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Mounting: THT
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.24 EUR
19+4.59 EUR
50+3.36 EUR
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 1,6 A, Qg, нКл = 27 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 0,8 A, 0 В, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP1R6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 1.6A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+5.53 EUR
50+4.69 EUR
100+4.16 EUR
250+3.94 EUR
500+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50PIXYSMOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.51 EUR
10+7.64 EUR
100+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2IXYSMOSFETs 200 Amps 55V 0.0042 Rds
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.17 EUR
10+5.26 EUR
100+4.08 EUR
500+4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N085TIXYSMOSFET MOSFET Id200 BVdass85
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 35nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 27nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.54 EUR
10+6.7 EUR
100+6.68 EUR
500+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 27nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XMIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XMIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.82 EUR
50+4.58 EUR
100+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2IXYSMOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+4.66 EUR
100+4.24 EUR
500+4.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.59 EUR
50+5.59 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4MIXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 230A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4MIXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.61 EUR
50+7.35 EUR
100+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2IXYSMOSFETs 230 Amps 75V
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.02 EUR
10+6.95 EUR
100+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 24A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.79 EUR
50+8 EUR
100+7.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Power dissipation: 390W
Gate charge: 36nC
Technology: X2-Class
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Power dissipation: 37W
Gate charge: 36nC
Technology: X2-Class
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.89 EUR
50+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MClareMOSFET X2-Class полевой 650V; 24A; 37W; TO220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.26 EUR
10+6.47 EUR
100+5.65 EUR
500+5.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.48 EUR
50+6.63 EUR
100+6.07 EUR
500+5.08 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.34 EUR
27+8.79 EUR
100+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24P085TIXYSMOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+3.17 EUR
100+3.14 EUR
500+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V
auf Bestellung 1421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
50+3.37 EUR
100+3.05 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.12 EUR
10+8.82 EUR
100+8.08 EUR
500+7.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.22 EUR
50+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10TIXYSMOSFETs MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 90mΩ
Reverse recovery time: 70ns
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.16 EUR
9+9.87 EUR
10+9.02 EUR
50+7.15 EUR
100+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20PIXYSMOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.55 EUR
10+9.65 EUR
100+8.88 EUR
1000+8.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20PMOSFET P-CH 200V 26A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTP26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.85 EUR
50+9.85 EUR
100+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTP270N04T4IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
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IXTP270N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 270A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9140 pF @ 25 V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.33 EUR
50+4.66 EUR
100+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXTP270N04T4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 48ns
Gate charge: 182nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.78 EUR
20+4.31 EUR
23+3.81 EUR
50+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IXTP27N20TIXYSMOSFETs 27 Amps 200V 100 Rds
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IXTP27N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB
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IXTP28N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-220
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IXTP28P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXTP28P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
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IXTP28P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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IXTP28P065TIXYSMOSFETs 28 Amps 65V 0.045 Rds
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.01 EUR
10+4.66 EUR
100+4.19 EUR
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IXTP28P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.68 EUR
51+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IXTP28P065T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP28P065T. - MOSFET, P-CH, 65V, 28A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.4 EUR
27+8.91 EUR
33+6.64 EUR
50+5.06 EUR
100+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100IXYSMOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.89 EUR
300+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.21 EUR
10+10.06 EUR
100+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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