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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTP160N04T2IXYSMOSFETs 160 Amps 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N075TIXYSMOSFETs MOSFET Id160 BVdass75
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.7 EUR
50+3.49 EUR
100+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TMOSFET N-CH 100V 160A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.29 EUR
10+6.7 EUR
100+6.12 EUR
500+5.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.75 EUR
50+6.78 EUR
100+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 430W
Gate charge: 132nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench™
Drain current: 160A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Reverse recovery time: 60ns
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.59 EUR
17+5.27 EUR
50+4.38 EUR
100+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.71 EUR
50+3.58 EUR
100+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.93 EUR
50+4.59 EUR
100+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.82 EUR
50+4.5 EUR
100+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.29 EUR
22+10.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.53 EUR
10+9.1 EUR
50+7.21 EUR
100+6.59 EUR
500+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T
Produktcode: 202698
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.32 EUR
10+8.26 EUR
50+6.52 EUR
100+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50PMOSFET N-CH 500V 16A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50PIXYSMOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.1 EUR
10+6.43 EUR
100+5.87 EUR
500+5.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+6.08 EUR
23+3.83 EUR
50+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.04 EUR
50+4.49 EUR
100+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2IXYSMOSFETs 170 Amps 75V
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+4.66 EUR
100+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.8 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N13X4IXYSMOSFET IXTP170N13X4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N055TIXYSMOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10TIXYSMOSFETs MOSFET Id180 BVdass100
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.7 EUR
10+9.15 EUR
100+8.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP180N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 5700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 480W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
auf Bestellung 2791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.98 EUR
10+11.59 EUR
50+9.29 EUR
100+8.54 EUR
500+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18N60PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10T
Produktcode: 210499
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
10+5.24 EUR
50+4.06 EUR
100+3.68 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10TIXYSMOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+3.37 EUR
100+3.01 EUR
500+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP18P10T. - MOSFET, P-CH, 100V, 18A, TO-220
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.47 EUR
35+6.71 EUR
43+5.09 EUR
54+4.02 EUR
100+3.47 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N100IXYSMOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
50+4.34 EUR
100+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N100PIXYSMOSFETs 1 Amps 1000V 14 Rds
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+4.55 EUR
100+3.64 EUR
250+3.53 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N120PIXYSMOSFETs 1 Amps 1200V 20 Rds
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.52 EUR
10+8.38 EUR
100+6.72 EUR
500+5.97 EUR
1000+5.4 EUR
2500+5.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N80PIXYSMOSFETs Polar Power Mosfet 800V 1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N100PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.12 EUR
100+4.27 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.45 EUR
2500+3.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N120PIXYSMOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO220AB
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.2 EUR
50+8.08 EUR
100+6.93 EUR
500+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N60PIXYSMOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.08 EUR
10+6.7 EUR
50+5.25 EUR
100+4.78 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Mounting: THT
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.24 EUR
19+4.59 EUR
50+3.36 EUR
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 1,6 A, Qg, нКл = 27 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 0,8 A, 0 В, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.33 EUR
10+4.32 EUR
100+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+5.18 EUR
100+4.65 EUR
500+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.08 EUR
10+6.7 EUR
50+5.25 EUR
100+4.78 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP1R6N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 1.6A, TO-220
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.32 EUR
29+8.19 EUR
35+6.27 EUR
50+4.99 EUR
100+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50PIXYSMOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2IXYSMOSFETs 200 Amps 55V 0.0042 Rds
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.17 EUR
10+5.26 EUR
100+4.08 EUR
500+4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.51 EUR
10+7.64 EUR
100+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N085TIXYSMOSFET MOSFET Id200 BVdass85
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.54 EUR
10+6.7 EUR
100+6.68 EUR
500+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.76 EUR
10+8.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XMIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XMIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXTP220N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+6.02 EUR
25+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IXTP220N04T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.51 EUR
50+5.53 EUR
100+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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IXTP220N04T2IXYSMOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.68 EUR
10+4.57 EUR
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IXTP220N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.85 EUR
10+7.24 EUR
50+5.69 EUR
100+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTP220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IXTP220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
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IXTP230N04T4IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
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IXTP230N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXTP230N04T4MIXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
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