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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGWA40H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.85 EUR
30+9.19 EUR
120+7.72 EUR
510+6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 7V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.64 EUR
10+8.68 EUR
25+8.19 EUR
100+7.1 EUR
600+6.06 EUR
1200+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
30+4.24 EUR
120+3.47 EUR
510+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.46 EUR
10+4.27 EUR
100+3.42 EUR
600+2.93 EUR
1200+2.53 EUR
5400+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.51 EUR
25+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.44 EUR
10+4.08 EUR
100+3.36 EUR
600+2.81 EUR
1200+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/72ns
Switching Energy: 765µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
30+4.03 EUR
120+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65DFB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 72A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DHFB2STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 214µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DHFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FBSTMicroelectronicsDescription: PTD HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/125ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FB2STMTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40HP65FB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 72A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247
Power - Max: 227 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Part Status: Active
Gate Charge: 153 nC
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 410µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/125ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.87 EUR
30+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+8.44 EUR
25+4.9 EUR
100+4.77 EUR
250+4.69 EUR
600+3.28 EUR
1200+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.67 EUR
54+3.11 EUR
120+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 238W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 238W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
Power - Max: 238 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 400V, 40A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 190µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.39 EUR
55+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.6 EUR
25+6.83 EUR
100+5.76 EUR
250+5.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns
Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.47 EUR
30+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40M120DF3STMSTGWA40M120DF3 STGWA40M120 IGBT N-CH 1200V 80A 468W TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 40A 1200V short circuit rugged IGBT
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/338ns
Switching Energy: 3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 240 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40S120DF3STMIGBT 1200V 40A TO247-3L Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 129 nC
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/148ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA45HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 310 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.91 EUR
39+4.38 EUR
42+3.93 EUR
100+3.11 EUR
250+2.82 EUR
600+2.36 EUR
1200+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+5.4 EUR
100+3.96 EUR
600+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.91 EUR
39+4.47 EUR
42+4.08 EUR
100+3.28 EUR
250+3.05 EUR
600+2.62 EUR
1200+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns
Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.35 EUR
10+5.52 EUR
100+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50HP65FB2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+5.32 EUR
25+4.32 EUR
100+3.71 EUR
250+3.28 EUR
600+2.81 EUR
1200+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/115ns
Switching Energy: 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.91 EUR
30+3.77 EUR
120+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50HP65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA50HP65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA50IH65DF - IGBT, 100 A, 1.5 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.75 EUR
38+6.2 EUR
100+5.01 EUR
500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.54 EUR
10+5.55 EUR
100+4.14 EUR
600+3.36 EUR
1200+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.83 EUR
16+5.43 EUR
19+4.62 EUR
30+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: 284µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.28 EUR
10+6.15 EUR
100+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DF2
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.28 EUR
10+5.81 EUR
100+4.82 EUR
600+4.71 EUR
1200+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50M65DF2
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/130ns
Switching Energy: 880µJ (on), 1.57mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.25 EUR
30+5.77 EUR
120+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 119A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29.8ns/143ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 119 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 207 A
Power - Max: 576 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.58 EUR
10+7.76 EUR
100+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.2 EUR
10+7.71 EUR
100+6.24 EUR
600+5.53 EUR
1200+4.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.54 EUR
10+4.74 EUR
100+3.92 EUR
600+3.28 EUR
1200+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/210ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.51 EUR
30+4.71 EUR
120+3.88 EUR
510+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.62 EUR
30+7.96 EUR
100+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60NC60WDRSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60NC60WDRSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 130A 340W TO247
Power - Max: 340 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 743µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.52 EUR
10+13.32 EUR
100+11.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.46 EUR
10+4.71 EUR
100+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.51 EUR
30+4.74 EUR
120+3.9 EUR
510+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT fea
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/190ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 600 Stücke:
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2+19.84 EUR
10+13.67 EUR
100+10.19 EUR
600+9.2 EUR
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STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns
Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 357 W
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STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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58+3.02 EUR
64+2.7 EUR
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STGWA75H65DFB2
Produktcode: 199290
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STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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32+5.49 EUR
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60+3.28 EUR
120+3.12 EUR
270+2.71 EUR
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STGWA75H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 412 Stücke:
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23+11.11 EUR
26+9.23 EUR
100+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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58+3 EUR
65+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.58 EUR
16+5.43 EUR
30+4.31 EUR
60+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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28+6.34 EUR
31+5.69 EUR
35+4.93 EUR
60+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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STGWA75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGWA75M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.11 EUR
10+11.02 EUR
100+8.92 EUR
600+7.91 EUR
1200+6.78 EUR
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STGWA75M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 468 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.51 EUR
19+9.02 EUR
27+6.16 EUR
100+5.21 EUR
250+4.52 EUR
600+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 535W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.71 EUR
10+7.27 EUR
120+6.06 EUR
510+5.46 EUR
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STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
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