Produkte > STG

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns
Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.79 EUR
10+5.11 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 151mJ (on), 293mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+3.42 EUR
100+2.76 EUR
600+2.32 EUR
1200+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 165600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+1.93 EUR
1200+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/71ns
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.82 EUR
30+3.14 EUR
120+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 165600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+1.93 EUR
1200+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30IH160DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH160DF2 - IGBT, 85 A, 1.77 V, 395 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.52 EUR
33+7.1 EUR
100+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30IH160DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+6.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/200ns
Switching Energy: 123µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH65DF - IGBT, 60 A, 1.55 V, 180 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+3.89 EUR
100+2.98 EUR
600+2.51 EUR
1200+2.12 EUR
3000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 258 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.81 EUR
30+3.71 EUR
120+3.02 EUR
510+2.52 EUR
1020+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
Verlustleistung: 258W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.43 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 87A TO247
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 441 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 87 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 81.6 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 756µJ (on), 1.057mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21.6ns/138ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 151 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.45 EUR
10+4.84 EUR
25+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30M65DF2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 87 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 87A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+5.05 EUR
120+3.77 EUR
510+3.36 EUR
1020+2.87 EUR
2520+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 30A 1200V short circuit rugged IGBT
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 60A TO-247
Power - Max: 220 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 105 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/251ns
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA35HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 260W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns
Switching Energy: 185µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA35IH135DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+5.21 EUR
120+4.32 EUR
510+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA35IH135DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 70A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 258 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.77 EUR
10+5.88 EUR
30+5.32 EUR
120+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.71 EUR
10+8.69 EUR
25+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 468W
Gate charge: 158nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.35 EUR
13+6.74 EUR
16+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.57 EUR
30+6.54 EUR
120+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120DF2STMIGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.85 EUR
30+9.19 EUR
120+7.72 EUR
510+6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120F2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.18 EUR
10+8.19 EUR
100+6.87 EUR
600+5.9 EUR
1200+5.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.64 EUR
10+8.68 EUR
25+8.19 EUR
100+7.1 EUR
600+6.06 EUR
1200+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 7V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65DFB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 72A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.44 EUR
10+4.08 EUR
100+3.36 EUR
600+2.81 EUR
1200+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.51 EUR
25+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/72ns
Switching Energy: 765µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.56 EUR
30+4.14 EUR
120+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DHFB2STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 214µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65DHFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.65 EUR
10+5.63 EUR
100+4.65 EUR
600+3.71 EUR
1200+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FBSTMicroelectronicsDescription: PTD HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/125ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40HP65FB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 72A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247
Power - Max: 227 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Part Status: Active
Gate Charge: 153 nC
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 410µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/125ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.84 EUR
30+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FB2STMTrans IGBT Chip N-CH 650V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+8.44 EUR
25+4.9 EUR
100+4.77 EUR
250+4.69 EUR
600+3.28 EUR
1200+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 238W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 238W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.63 EUR
54+3.07 EUR
120+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.33 EUR
55+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
Power - Max: 238 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 400V, 40A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 190µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns
Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.47 EUR
30+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.6 EUR
25+6.83 EUR
100+5.76 EUR
250+5.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40M120DF3STMSTGWA40M120DF3 STGWA40M120 IGBT N-CH 1200V 80A 468W TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/338ns
Switching Energy: 3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 240 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 40A 1200V short circuit rugged IGBT
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40S120DF3STMIGBT 1200V 40A TO247-3L Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Power - Max: 468 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 129 nC
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/148ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA45HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 310 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.84 EUR
39+4.33 EUR
42+3.89 EUR
100+3.07 EUR
250+2.78 EUR
600+2.33 EUR
1200+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+5.46 EUR
100+3.96 EUR
600+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.84 EUR
39+4.43 EUR
42+4.03 EUR
100+3.24 EUR
250+3.01 EUR
600+2.59 EUR
1200+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns
Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.6 EUR
10+5.68 EUR
100+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/115ns
Switching Energy: 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.91 EUR
30+3.77 EUR
120+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50HP65FB2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+5.32 EUR
25+4.32 EUR
100+3.71 EUR
250+3.28 EUR
600+2.81 EUR
1200+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50HP65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA50HP65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 86A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: 284µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.48 EUR
10+6.3 EUR
100+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.23 EUR
10+5.46 EUR
100+4.21 EUR
600+3.72 EUR
1200+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA50IH65DF - IGBT, 100 A, 1.5 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.54 EUR
40+5.81 EUR
100+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.83 EUR
16+5.43 EUR
19+4.62 EUR
30+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Nächste Seite >> ]