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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT40M70JVRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 53A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 495 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8890 pF @ 25 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70JVRMicrochip Technology / AtmelDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 400V, 0.070_OHM, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 400V 53A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70JVRMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS 5 400 V 70 mOhm SOT-227
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70JVRAPTMFET, N-CH, 400 V, 53 A, 0.07 Om, SOT-227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70LVFRGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 400V 57A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70LVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M70LVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 57A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 495 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8890 pF @ 25 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M75JNAPT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M82WVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40M90JN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40N60BC7Microchip TechnologyMOSFETs MOSFET FAST Superjunction 600 V 40 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40N60BC7Microchip TechnologyDescription: MOSFET FAST SUPERJUNCTION 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40N60JCU2Microchip TechnologyMOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40N60JCU2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40N60JCU2MICROSEMISOT227/POWER MODULE - COOLMOS APT40N60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40N60JCU3Microchip TechnologyMOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40N60JCU3Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40SM120BMicrochip / MicrosemiMOSFET Power MOSFET - SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40SM120BMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 1200V 41A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40SM120JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power MOSFET - SiC
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40SM120JMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40SM120SMicrochip / MicrosemiMOSFET Power MOSFET - SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT40SM120SMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 1200V 41A D3PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41F100JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 1KV 42A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41F100JMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS8 1000 V 41 A SOT-227
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+103.26 EUR
10+101.83 EUR
25+98.65 EUR
100+93.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41F100JMICROSEMIISOTOP/N-Channel FREDFET APT41F100
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41F100JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 25 V
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+112.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41F100J(Transistor)
Produktcode: 61219
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41M80B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41M80B2Microchip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS8 800 V 41 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41M80LMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS8 800 V 41 A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT41M80LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 43A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT42F50BMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 42 A TO-247
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT42F50BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT42F50BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 25 V
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT42F50BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT42F50BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT42F50SMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 42A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT42F50SMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 42 A TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT42F50SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43F60B2MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43F60B2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43F60LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 45A TO264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43F60LMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 600V, TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43GA90BMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 43 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43GA90BMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 78A TO247
Power - Max: 337 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 129 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Part Status: Active
Gate Charge: 116 nC
Test Condition: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 875µJ (on), 425µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/82ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43GA90BD30MICROSEMITO-247//high speed Punch-Through switch-mode IGBT APT43GA90
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43GA90BD30Microchip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 900V 78A 337W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.12 EUR
10+21 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43GA90BD30Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 43 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43GA90BD30Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 78A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/82ns
Switching Energy: 875µJ (on), 425µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 129 A
Power - Max: 337 W
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43GA90BSC30Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 43 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43M60B2Microchip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247 T-MAX
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.82 EUR
100+21.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43M60B2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT43M60LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 45A TO264
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
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APT43M60LMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
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APT44F80B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
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APT44F80B2Microchip TechnologyStandard Circular Contacts
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APT44F80LMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 800 V 44 A TO-264
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APT44F80L
Produktcode: 204411
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Transistoren > MOSFET N-CH
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APT44F80LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 47A TO264
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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APT44GA60BMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 78A 337W TO-247
Power - Max: 337 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Gate Charge: 128 nC
Test Condition: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/84ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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APT44GA60BMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
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APT44GA60BD30Microchip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247
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APT44GA60BD30Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 78A 337W TO-247
Power - Max: 337 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Gate Charge: 128 nC
Test Condition: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/84ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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APT44GA60BD30CMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 78A 337W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 26A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/102ns
Switching Energy: 409µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 337 W
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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APT44GA60BD30CMicrochip TechnologyIGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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APT44H60JAPT44A/600V/MOS/1U
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APT4525AN
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APT4530AN
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APT45GP120B
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APT45GP120B2DF2
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APT45GP120B2DF2APTТранзистори
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APT45GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 113A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns
Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off)
Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 113 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 625 W
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APT45GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX
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1+37.04 EUR
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APT45GP120BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A TO-247
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1+32.27 EUR
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APT45GP120BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/102ns
Switching Energy: 900µJ (on), 904µJ (off)
Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 625 W
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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APT45GP120JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.94 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 329 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT45GP120JMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A SOT-227
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100+62.52 EUR
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APT45GP120JDF2
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APT45GP120JDQ2Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A SOT-227
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APT45GP120JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Power - Max: 329 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT45GR65BMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 650V 92A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
Switching Energy: 900µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 168 A
Power - Max: 357 W
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 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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APT45GR65BMicrochipIGBT 650V 92A 357W TO-247 Транзистори
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APT45GR65BMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT MOS 8 650 V 45 A TO-247
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APT45GR65B2DU30Microchip / MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT45GR65SMicrosemiIGBT Transistors
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APT45GR65SSCD10MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT45M100JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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APT45M100JMicrochip TechnologyIGBTs MOSFET MOS8 1000 V 45 A SOT-227
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APT46GA90JD40MicrosemiТранзистори
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APT46GA90JD40
Produktcode: 181786
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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APT46GA90JD40MICROSEMIISOTOP/High Speed PT IGBT APT46GA90
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT46GA90JD40Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 46 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT46GA90JD40Microchip TechnologyDescription: IGBT MODULE 900V 87A 284W ISOTOP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 87 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.17 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Power - Max: 284 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT46GA90JD40Microchip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT46GA90JSC30Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 46 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
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APT47F60JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT47F60JMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 600V, SOT-227
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT47GA60JD40Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 47 A ISOTOP
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