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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFR90N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 300V 75A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N30IXYSMOSFET 75 Amps 300V 0.033 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR9N80QIXYSMOSFETs 9 Amps 800V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR9N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HVIXYSMOSFETs TO268 300V 100A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.52 EUR
10+18.6 EUR
120+18.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.66 EUR
30+17.64 EUR
120+15.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HV-TRLLittelfuseMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-268AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT10N100IXYSMOSFETs 10 Amps 1000V 1.2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT10N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.58 EUR
11+16.71 EUR
30+12.85 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+10.4 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 600W
Kind of package: tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.92 EUR
10+12.3 EUR
30+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PIXYSMOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.73 EUR
10+20.78 EUR
120+15.77 EUR
510+15.05 EUR
1020+14.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HVIxys CorporationPower MOSFET
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HVIXYSMOSFETs TO268 250V 120A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HVLittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.66 EUR
30+17.64 EUR
120+15.23 EUR
510+15.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+22.35 EUR
10+19.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HVIXYSMOSFETs TO268 300V 120A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.54 EUR
10+26.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.14 EUR
10+28.16 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.38 EUR
30+25.49 EUR
120+22.23 EUR
510+21.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT12N100IXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.05 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT12N100FIXYSMOSFET IXFT12N100F 1000V 12A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT12N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT12N90QIXYSMOSFETs 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT12N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT13N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT13N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO268
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT13N80QIXYSMOSFETs 13 Amps 800V 0.8 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10PIXYSMOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.08 EUR
10+24.15 EUR
120+21.42 EUR
510+21.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFT140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFT140N10P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IXFT140N10P-TRLIXYSMOSFETs TO268 100V 140A N-CH POLAR
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IXFT140N10PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N10PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
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IXFT140N20X3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
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IXFT140N20X3HVIXYSMOSFETs TO268 200V 140A N-CH X3CLASS
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT140N20X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFT140N20X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFT140N20X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 140A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFT14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO268
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IXFT14N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO268
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFT14N80PIXYSMOSFETs 14 Amps 800V 0.72 Rds
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IXFT14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFT150N17T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
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IXFT150N17T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.93 EUR
10+23.51 EUR
25+21.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 150A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.93 EUR
10+24.04 EUR
25+22.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N20TIXYSMOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
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IXFT150N25X3HVIXYSMOSFETs TO268 250V 150A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.73 EUR
10+41.91 EUR
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IXFT150N25X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N25X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 150A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.59 EUR
30+33.96 EUR
120+30.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HVIXYSMOSFETs TO268 300V 150A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.32 EUR
10+28.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFT150N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.0066 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.63 EUR
6+44.65 EUR
10+38.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 890W
Gate charge: 254nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 8.3mΩ
Reverse recovery time: 167ns
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+25.93 EUR
5+24.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.66 EUR
30+26.87 EUR
120+24.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+38.38 EUR
10+34.18 EUR
30+32.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT150N30X3HV-TRLLittelfuseMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-268AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100QIXYSMOSFETs 15 Amps 1000V 0.725 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.19 EUR
10+34.58 EUR
120+29.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100Q3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100Q3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100Q3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N100Q3-TRLIXYSMOSFETs MOSFET Discretes
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N80QIXYSMOSFETs 15 Amps 800V 0.6 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT16N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.27 EUR
30+26.76 EUR
120+24.68 EUR
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IXFT16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
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IXFT16N120PIXYSMOSFETs 16 Amps 1200V 1 Rds
auf Bestellung 344 Stücke:
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1+40.89 EUR
10+33.45 EUR
120+30.29 EUR
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IXFT16N120P-TRLIXYSMOSFETs MOSFET Discretes
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IXFT16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
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IXFT16N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFT16N80PIXYSMOSFETs 16 Amps 800V 0.6 Rds
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IXFT16N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 16A TO268
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
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IXFT170N25X3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
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IXFT170N25X3HVIXYSMOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.16 EUR
10+39.35 EUR
120+34.03 EUR
510+32.21 EUR
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IXFT17N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO268
Packaging: Box
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
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IXFT180N20X3HVIXYSMOSFETs TO268 200V 180A N-CH X3CLASS
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFT180N20X3HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.86 EUR
10+24.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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