Produkte > IXF

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFR40N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 21A ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50P
Produktcode: 188328
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.44 EUR
30+22.07 EUR
60+20.48 EUR
120+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50PIXYSMOSFETs 500V 24A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50QIXYSMOSFETs 34 Amps 500V 0.12 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50QIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 313W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.05 EUR
4+27.11 EUR
10+25.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N50Q3
Produktcode: 62272
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N60IXYSMOSFET 600V 38A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N80PIXYSMOSFETs DIODE Id26 BVdass800
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 25A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR44N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N50QIXYS05+ TO92
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.12 EUR
30+29.94 EUR
60+27.91 EUR
120+26.19 EUR
510+25.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60P
Produktcode: 209609
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60PIXYSMOSFETs 600V 48A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+18.72 EUR
10+18.12 EUR
30+17.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 32A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 500W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR48N60Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR4N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.5A ISOPLS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR4N100QIXYSMOSFETs 3.5 Amps 1000V 3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR50N50IXYSMOSFETs 43 Amps 500V 0.1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR50N50HiperFET 500 В 43 А 100 мОм 120 нсек ISOPLUS247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR55N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 48A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR55N50IXYSMOSFET 48 Amps 500V 0.08 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR58N20IXYSMOSFET HiPerFET Power MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR58N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR58N20Q
Produktcode: 92070
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N50PIXYSMOSFETs 500V 64A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.46 EUR
30+28.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/45A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N60PIXYSMOSFETs DIODE Id36 BVdass600
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.6 EUR
30+30.27 EUR
60+28.21 EUR
120+26.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR64N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR66N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR70N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR70N15IXYSMOSFETs 67 Amps 150V 0.028 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR75N10QIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N10QIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N15QIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 45A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50PMOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50PIXYSMOSFETs 500V 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50PIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 45 А, Ptot, Вт = 360, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 12700 @ 25, Qg, нКл = 197 @ 10 В, Rds = 72 мОм @ 40 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 8 мA,... Транзистори Корпус: ISOPLUS-247 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N50Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.4 EUR
30+44.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N60P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR80N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N20IXYSMOSFETs 90 Amps 200V 0.025 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N20QIXYSMOSFETs 90 Amps 200V 0.025 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N30IXYSMOSFET 75 Amps 300V 0.033 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR90N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 300V 75A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR9N80QIXYSMOSFETs 9 Amps 800V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR9N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HVIXYSMOSFETs TO268 300V 100A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.52 EUR
10+18.6 EUR
120+18.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.66 EUR
30+17.64 EUR
120+15.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT100N30X3HV-TRLLittelfuseMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-268AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT10N100IXYSMOSFETs 10 Amps 1000V 1.2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT10N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PIXYSMOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+10.57 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 600W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 16mΩ
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.92 EUR
10+12.3 EUR
30+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.11 EUR
11+16.33 EUR
30+12.57 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.61 EUR
30+21.5 EUR
60+19.94 EUR
120+18.64 EUR
510+17.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HVIxys CorporationPower MOSFET
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HVIXYSMOSFETs TO268 250V 120A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N25X3HVLittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT120N30X3HVIXYSMOSFETs TO268 300V 120A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.54 EUR
10+26.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40  [ Nächste Seite >> ]