Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPD90N08S405ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD90N08S405ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 144W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | auf Bestellung 4418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90N08S405ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90N08S405ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | auf Bestellung 4418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90N08S405ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90N10S406ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90N10S406ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm | auf Bestellung 14040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90N10S406ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90N10S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90N10S406ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90N10S406ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm | auf Bestellung 14040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90N10S406ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90N10S4L-06 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 3782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90N10S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90N10S4L06ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90N10S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | auf Bestellung 4270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90N10S4L06ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD90N10S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 9480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90N10S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90N10S4L06ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90N10S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | auf Bestellung 4255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P4-04 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | auf Bestellung 1888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 197483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 137W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | auf Bestellung 10058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD90P03P404ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P03P404ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 22912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 10933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ | auf Bestellung 923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ | auf Bestellung 2375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 137W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | auf Bestellung 1060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ | auf Bestellung 12011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 4641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ | auf Bestellung 923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31 Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 10016 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 137W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | auf Bestellung 1060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 10300 @ 25, Qg, нКл = 13 @ 10, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 3 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137, Тексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P03P4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 582-586 Tag (e) |
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| IPD90P03P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P03P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | auf Bestellung 4671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P03P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +5V, -16V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V | auf Bestellung 5639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P03P4L04ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2516 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +5V, -16V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P04P4-05 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 6097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P04P405ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm | auf Bestellung 15701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5973 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P405ATMA2 | Infineon | MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405ATMA2 Produktcode: 205599
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| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P405AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P405AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P4L-04 | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 6,6mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 175°C; IPD90P04P4L04ATMA1 IPD90P04P4L04 TIPD90p04p4l04 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPD90P04P4L-04 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P4L-04 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P4L04ATMA1 | Infineon | MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 28504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +5V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P04P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P4L04ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm | auf Bestellung 3237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 7871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P04P4L04ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -90A; 125W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -90A Power dissipation: 125W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 135nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90P04P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5623 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P04P4L04ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm | auf Bestellung 5262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P04P4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90R1K2C3 | Infineon | N-MOSFET 900V 5.1A 83W 1.2Ω IPD90R1K2C3 INFINEON TIPD90r1k2c3 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPD90R1K2C3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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