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IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

246+	2.65 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 246 Stücke

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IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD95R450P7ATMA1

Infineon

MOSFET N-CH 950V 14A TO252 Діоди та діодні збірки

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IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 263 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	5.01 EUR
54+	3.2 EUR
100+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	2.94 EUR
100+	2.76 EUR
250+	2.59 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.33 EUR
2500+	2.23 EUR
5000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 3323 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.13 EUR
10+	3.33 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.76 EUR

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IPD95R450P7ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 20098 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.46 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.69 EUR
5000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD95R450PFD7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD95R450PFD7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V

auf Bestellung 2252 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.88 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.17 EUR
500+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPD95R450PFD7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 958 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.96 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.69 EUR

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IPD95R450PFD7ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD95R450PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 13.3 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1607 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.18 EUR
51+	4.62 EUR
100+	3.05 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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IPD95R450PFD7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD95R450PFD7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD95R750P7

Infineon Technologies

MOSFETs LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD95R750P7

Infineon

Trans MOSFET N-CH 950V 9A DPAK Діоди та діодні збірки

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD95R750P7ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm

auf Bestellung 3168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	5.38 EUR
76+	3.08 EUR
106+	2.02 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

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IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1674 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.93 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1189 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.93 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 175 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.01 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.64 EUR
2500+	1.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD95R750P7ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm

auf Bestellung 3168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.08 EUR
106+	2.02 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD95R750P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 11127 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.83 EUR
67+	2.52 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.25 EUR
2500+	1.08 EUR
5000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 11127 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.83 EUR
67+	2.58 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.2 EUR
5000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R037CM8XTMA1

Infineon Technologies

Description: IPDD60R037CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R037CM8XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 481 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.88 EUR
10+	9.53 EUR
100+	7.71 EUR
500+	6.85 EUR
1000+	5.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R037CM8XTMA1

Infineon Technologies

Description: IPDD60R037CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.09 EUR
10+	11.67 EUR
100+	8.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R045CFD7

Infineon Technologies

HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R045CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.31 EUR
16+	14.73 EUR
19+	11.51 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 10-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 9290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	9.12 EUR
100+	8.53 EUR
500+	7.9 EUR
1000+	7.29 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V

auf Bestellung 1680 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.21 EUR
10+	11.03 EUR
100+	8.14 EUR
500+	7.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R045CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 379W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	20.77 EUR
14+	17.05 EUR
16+	13.66 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPDD60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 10-Pin HDSOP EP T/R

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IPDD60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

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IPDD60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 281 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.5 EUR
10+	10.14 EUR
100+	9.01 EUR
1000+	8.23 EUR
1700+	7.64 EUR

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IPDD60R050G7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.59 EUR
15+	15.9 EUR
18+	12.53 EUR
50+	11.29 EUR
100+	8.94 EUR
250+	8.76 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPDD60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 47A 10-Pin HDSOP EP T/R

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IPDD60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3215 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.28 EUR
10+	12.46 EUR
100+	9.52 EUR
500+	8.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPDD60R050G7XTMA1

INFINEON

auf Bestellung 1070 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	20.65 EUR
15+	16.52 EUR
17+	12.8 EUR
50+	11.52 EUR
100+	9.16 EUR
250+	8.97 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPDD60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 47A 10-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

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IPDD60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

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IPDD60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V

auf Bestellung 1335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.45 EUR
10+	9.53 EUR
100+	7.04 EUR
500+	6.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPDD60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1437 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.83 EUR
10+	8.27 EUR
100+	6.14 EUR
1000+	5.24 EUR

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IPDD60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

SP003803300

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

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IPDD60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

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IPDD60R075CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1458 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.14 EUR
10+	16.09 EUR
100+	13.57 EUR
500+	11.83 EUR

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IPDD60R075CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	12.9 EUR
26+	9.07 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R075CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V

auf Bestellung 2703 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.98 EUR
10+	8.73 EUR
100+	6.33 EUR
500+	5.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R075CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 266W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R075CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1700+	4.88 EUR

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1700+	5.72 EUR

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R080G7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.069 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1689 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.31 EUR
500+	4.22 EUR
1000+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

auf Bestellung 2376 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.25 EUR
10+	6.27 EUR
100+	6.07 EUR
500+	5.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1889 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R080G7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.069 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1689 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	5.32 EUR
49+	4.76 EUR
100+	4.31 EUR
500+	4.22 EUR
1000+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R090CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.074 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	16.67 EUR
19+	12.51 EUR
25+	10.54 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R090CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1747 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R090CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.92 EUR
10+	11.44 EUR
100+	9.47 EUR
500+	8.25 EUR
1000+	7.19 EUR
1700+	7.16 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R090CFD7XTMA1

Infineon Technologies

IPDD60R090CFD7XTMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R090CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.074 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	16.67 EUR
19+	12.51 EUR
25+	10.54 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R090CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1747 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

auf Bestellung 526 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.65 EUR
10+	6.49 EUR
100+	4.68 EUR
500+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPDD60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPDD60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 10-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

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IPDD60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1595 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.72 EUR
10+	7.16 EUR
100+	5.15 EUR
500+	5.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPDD60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

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IPDD60R105CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R105CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.088 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 198W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.99 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPDD60R105CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1504 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPDD60R105CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1699 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.4 EUR
10+	6.34 EUR
25+	5.65 EUR
100+	4.8 EUR
250+	4.52 EUR
500+	4.08 EUR
1000+	3.83 EUR

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IPDD60R105CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1504 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

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IPDD60R105CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R105CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.088 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.34 EUR
41+	5.74 EUR
43+	4.99 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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IPDD60R125CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.101 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	9.17 EUR
38+	6.18 EUR
100+	4.61 EUR
500+	3.58 EUR
1000+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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IPDD60R125CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 358 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.14 EUR
10+	5.3 EUR
100+	3.96 EUR
500+	3.39 EUR
1000+	3.36 EUR
1700+	3 EUR

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IPDD60R125CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.101 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 176W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.34 EUR
500+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R125CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA

auf Bestellung 1688 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.62 EUR
10+	4.88 EUR
100+	3.68 EUR
500+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R125CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R125G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R125G7XTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ G7
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 0.125Ω
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	5.78 EUR
18+	4.9 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R125G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1

auf Bestellung 1085 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.66 EUR
10+	3.96 EUR
100+	3.58 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R125G7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.77 EUR
10+	3.52 EUR
500+	3.39 EUR
1000+	3 EUR
1700+	2.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R145CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R145CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.114 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.114ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R145CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V

auf Bestellung 3296 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.25 EUR
10+	5.13 EUR
100+	3.71 EUR
500+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R145CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1375 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.18 EUR
10+	4.11 EUR
100+	3.19 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R145CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R145CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.114 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	5.47 EUR
55+	4.27 EUR
58+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R145CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1700+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 1700 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R150G7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.33 EUR
10+	4.82 EUR
100+	3.61 EUR
500+	3.19 EUR
1000+	2.75 EUR
1700+	2.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R150G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 400 V

auf Bestellung 3380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.19 EUR
10+	4.72 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDD60R150G7XTMA1

Infineon Technologies

IPDD60R150G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 16A 10-Pin HDSOP EP T/R - Arrow.com

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IPDD60R150G7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 400 V

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IPDD60R150G7XTMA1

Infineon Technologies

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IPDD60R170CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)

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IPDD60R170CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R170CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.139 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 137W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.139ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.139ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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IPDD60R170CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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